T1010H
高温10灵敏的双向可控硅
特点
■
■
■
■
■
A2
中等电流可控硅
逻辑电平触发双向可控硅
150 °C以下。牛逼
j
关闭换向
剪辑边界
RoHS指令( 2002/95 / EC )兼容封装
A2
G
A1
应用
■
■
A2
该T1010H是专为AC的控制
执行器在家电和工业系统。
单片机的多端口驱动器
控制这些电器的多个负载
并通过这些敏感门系统
双向可控硅。
A2
A1
G
A2
A1
G
D
2
PAK
T1010H-6G
TO-220AB
T1010H-6T
描述
专门设计的,在150 ℃下进行操作,该
新的10 A T1010H三端双向可控硅提供增强
在功耗和散热方面的表现
耗散。这就允许的最优化
散热片的大小,从而导致空间和成本
相比于电 - 有效性
机械解决方案。
基于ST逻辑电平技术,他们提供了一个
I
GT
低于10 mA和规定的最小
减刑,高抗干扰水平有效
向上到T
j
马克斯。
表1中。
符号
I
T( RMS )
设备简介
价值
10
600
10
单位
A
V
mA
V
DRM
/V
RRM
I
GT MAX
2009年5月
文档ID 15715牧师1
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10
T1010H
特征
图9 。
临界速度的通态特性(最大图10.相对变化
值)
下降主要与当前的
结温
( di / dt的)
C
[T
j
] /( di / dt的)
c
[T
j
=150 °C]
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
3
4
5
I
TM
(A)
100
T
j
最大:
V
to
= 0.80 V
R
d
= 41 mΩ
10
TJ = 150℃
TJ = 25°C
V
TM
(V)
1
0
1
2
T
j
(°C)
25
50
75
100
125
150
临界速度图11.相对变化
下降主要与当前的
重新应用的dV / dt (典型值)
( di / dt的)
c
[(的dV / dt )
c
] /指定的( di / dt的)
c
4
静态的dV / dt图12.相对变化
免疫力与结
温度
的dV / dt [T
j
] / DV / DT [T
j
=150 °C]
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
V
D
=V
R
=400 V
3
2
1
( dv / dt的)
C
( V / μs)内
0
0.1
1.0
10.0
100.0
T
j
(°C)
25
50
75
100
125
150
图13.变化的漏电流与图14.可接受的情况下,与环境的热
结温度为不同的
电阻与重复峰值
阻断电压的值
断态电压
I
DRM
/I
RRM
[ TJ ; V
DRM /
V
RRM
]/I
DRM
/I
RRM
[ TJ = 150 ℃; 600V ]
R
TH( C-A )
( ° C / W)
45
R
日(J -C )
= 1.5 ° C / W
T
J
=150 °C
1.0E+00
V
DRM
=V
RRM
=600 V
40
35
1.0E-01
V
DRM
=V
RRM
=400 V
30
25
20
15
1.0E-02
V
DRM
=V
RRM
=200 V
1.0E-03
10
5
V
AC峰值
(V)
300
400
500
600
T
j
(°C)
1.0E-04
25
50
75
100
125
150
0
200
文档ID 15715牧师1
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