飞利浦半导体
产品speci fi cation
逆变器开漏输出
特点
宽电源电压范围为2.0 6.0 V
高噪声抗扰度
低功耗
SOT505-2和SOT765-1包
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
从指定的
40
+85
°C
和
40
+125
°C.
描述
74HC3G06 ; 74HCT3G06
该74HC3G06 / 74HCT3G06是一个高速硅栅
CMOS器件。指定符合JEDEC
没有标准。 7A 。
该74HC3G06 / 74HCT3G06提供了三个反相
缓冲区。
该74HC3G06的输出; 74HCT3G06设备
打开下水道和可以连接到其它的漏极开路
输出来实现低电平有效的线-OR或
高电平有效线与功能。对于数字操作
此设备必须有一个上拉电阻，以建立一个逻辑
高级别。
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
6.0纳秒。
典型
符号
t
PZL
t
PLZ
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
2.对于74HC3G06的条件为V
I
= GND到V
CC
.
对于74HCT3G06的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
参数
传播延迟nA至纽约
传播延迟nA至纽约
输入电容
每个缓冲区的功率耗散电容注1和2
条件
HC3G
C
L
= 50 pF的; V
CC
= 4.5 V
C
L
= 50 pF的; V
CC
= 4.5 V
9
11
1.5
4
HCT3G
9
12
1.5
4
ns
ns
pF
pF
单位
2003 12月02
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
逆变器开漏输出
推荐工作条件
74HC3G06
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作环境
温度
输入上升和下降时间
条件
分钟。
2.0
0
0
见直流和交流
40
每个特性
设备
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
典型值。
5.0
+25
74HC3G06 ; 74HCT3G06
74HCT3G06
单位
分钟。
4.5
0
0
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
+125
V
V
V
°C
马克斯。
6.0
6.0
V
CC
+125
t
r
, t
f
6.0
1000
500
400
6.0
500
ns
ns
ns
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
V
O
I
O
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
D
笔记
1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
2.以上110
°C
P的值
D
减额线性8毫瓦/ K 。
参数
电源电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出电压
输出灌电流
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
T
AMB
=
40
+125
°C;
注2
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
V
O
＆ LT ;
0.5
V ;注1
主动模式;注1
高阻抗模式;注1
0.5
V < V
O
< 7.0 V ;注1
注1
条件
0.5
0.5
65
分钟。
0.5
马克斯。
+7.0
±20
20
7.0
25
50
+150
300
V
mA
mA
V
mA
mA
°C
mW
单位
V
CC
+ 0.5 V
2003 12月02
5
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