新产品
SiZ910DT
Vishay Siliconix公司
双N沟道30 V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
Channel-1
30
R
DS （ ON）
（ ） （最大）
0.0058在V
GS
= 10 V
0.0075在V
GS
= 4.5 V
0.0030在V
GS
= 10 V
0.0035在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
40
a
40
a
40
a
40
a
特点
Q
g
（典型值）。
12.5 NC
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
100 % R
g
和UIS测试
符合RoHS指令2002/95 / EC
Channel-2
30
29 NC
应用
笔记本系统电源
POL
同步降压转换器
D
1
在PowerPAIR
6 x 5
销1
1
2
D
1
G
2
8
7
6
5
S
1
/D
2
9针
S
2
6 mm
3
4
G
1
D
1
5 mm
D
1
D
1
G
1
N沟道1
MOSFET
S
1
/D
2
G
2
N沟道2
MOSFET
订货信息：
SiZ910DT -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
S
2
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
Channel-1
30
± 20
40
a
40
a
22
B，C
17
B，C
100
24
a
3.8
B，C
25
31
48
31
4.6
B，C
3
B，C
- 55 150
260
40
a
40
a
32
B，C
26
B，C
120
28
a
4.3
B，C
40
80
100
64
5.2
B，C
3.3
B，C
Channel-2
单位
V
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
漏电流脉冲（ T = 300微秒）
连续源漏电流二极管
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
A
mJ
最大功率耗散
W
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
D，E
°C
热电阻额定值
Channel-1
参数
B，F
Channel-2
典型值。
马克斯。
单位
t
10 s
22
27
19
24
最大结点到环境
° C / W
最大结至外壳（漏）
稳定状态
2.1
2.6
1
1.25
注意事项：
一。包装有限 - T的
C
= 25 °C.
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 T = 10秒。
。见焊接温度曲线（ www.vishay.com/doc?73257 ） 。对在PowerPAIR是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未
镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证，并且不要求
以确保足够的底侧的焊料互连。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
F。在稳态条件下最大为62 ℃/通道1和W为通道2 55℃ / W 。
文档编号： 63539
S11-2380 -REV 。 C， 28 - NOV- 11
www.vishay.com
1
符号
R
thJA
R
thJC
典型值。
马克斯。
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
新产品
SiZ910DT
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
栅极阈值电压
门源漏
V
DS
V
DS
/T
J
V
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
I
D
= 250 A
I
D
= 250 A
I
D
= 250 A
I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
通态漏电流
b
I
D（上）
V
DS
5
V, V
GS
= 10 V
V
DS
5
V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
漏源导通电阻
b
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
正向跨导
b
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Channel-2
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
总栅极电荷
Q
g
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
Channel-1
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
Q
gs
Q
gd
R
g
Channel-2
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
F = 1 MHz的
Ch-1
Channel-1
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
0.5
0.1
1500
3600
285
660
125
305
26
60
12.5
29
4.7
10
4
9.5
2.6
0.6
5.2
1.2
40
110
19
51
nC
pF
g
fs
V
DS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 20 A
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
20
25
0.0048 0.0058
0.0025 0.0030
0.0060 0.0075
0.0029 0.0035
94
140
S
1.2
1
30
30
33
31
- 5.4
- 6.1
2.2
2.2
± 100
± 100
1
1
5
5
A
A
V
nA
毫伏/°C的
V
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
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2
文档编号： 63539
S11-2380 -REV 。 C， 28 - NOV- 11
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SiZ910DT
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
动态
a
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
a
符号
测试条件
Ch-1
Channel-1
V
DD
= 15 V ，R
L
= 1.5
I
D
10 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 1
Channel-2
V
DD
= 15 V ，R
L
= 1.5
I
D
10 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Channel-1
V
DD
= 15 V ，R
L
= 1.5
I
D
10 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
Channel-2
V
DD
= 15 V ，R
L
= 1.5
I
D
10 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
I
S
= 10 A，V
GS
= 0 V
I
S
= 10 A，V
GS
= 0 V
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Channel-1
I
F
= 10 A， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
Channel-2
I
F
= 10 A， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
分钟。
典型值。
20
30
25
35
25
35
10
12
10
12
25
12
30
35
10
10
马克斯。
40
60
50
70
50
70
20
25
20
25
25
25
60
70
20
20
40
40
100
120
单位
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
ns
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
T
C
= 25 °C
A
0.8
0.8
26
36
25
36
17
20
9
16
1.2
1.2
50
70
50
70
V
ns
nC
ns
注意事项：
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
文档编号： 63539
S11-2380 -REV 。 C， 28 - NOV- 11
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3
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新产品
SiZ910DT
Vishay Siliconix公司
CHANNEL -1的典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
100
V
GS
= 10 V直通4 V
80
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
16
20
60
12
T
C
= 25
°C
8
T
C
= 125
°C
40
V
GS
= 3 V
20
4
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
3.0
T
C
= - 55
°C
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
3.0
输出特性
0.008
2000
传输特性
0.007
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
- 电容（pF ）
1600
C
国际空间站
0.006
V
GS
= 4.5 V
1200
0.005
V
GS
= 10 V
0.004
800
C
OSS
C
RSS
400
0.003
0
20
40
60
80
100
I
D
- 漏电流（ A）
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
30
导通电阻与漏电流
10
R
DS （ ON）
- 导通电阻（标准化）
I
D
= 20 A
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
8
V
DS
= 7.5 V
1.8
I
D
= 20 A
1.6
电容
1.4
V
GS
= 10, 4.5 V
1.2
6
V
DS
= 15 V
V
DS
= 24 V
4
1.0
2
0.8
0
0
6
12
18
24
30
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
www.vishay.com
4
文档编号： 63539
S11-2380 -REV 。 C， 28 - NOV- 11
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SiZ910DT
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CHANNEL -1的典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
100
0.016
I
D
= 20 A
0.014
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150
°C
0.012
0.010
0.008
0.006
0.004
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
1.2
0.002
0
2
4
6
8
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
T
J
= 25
°C
T
J
= 125
°C
10
1
T
J
= 25
°C
源极 - 漏极二极管正向电压
2.0
100
导通电阻与栅极至源极电压
1.8
80
1.6
功率（W）的
75
100
125
150
V
GS （ TH）
(V)
60
1.4
I
D
= 250 μA
1.2
40
1.0
20
0.8
- 50
- 25
0
25
50
0
0.001
0.01
0.1
T
J
- 温度（℃ ）
1
时间（s）
10
100
1000
阈值电压
1000
限于由R
DS （ ON）
*
100
I
D
- 漏电流（ A）
100 μs
10
1毫秒
1
10毫秒
100毫秒
1s
10 s
DC
BVDSS有限公司
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
100
单脉冲功率
0.1
T
A
= 25
°C
单脉冲
安全工作区，结到环境
文档编号： 63539
S11-2380 -REV 。 C， 28 - NOV- 11
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