IRFP32N50K ， SiHFP32N50K
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
190
59
84
单身
D
特点
500
0.135
低栅极电荷Q
g
结果简单驱动
需求
改进的门，雪崩和动态dv / dt的
耐用性
可用的
RoHS指令*
柔顺
充分界定电容和雪崩电压
和电流
低R
DS （ ON）
铅（Pb） ，免费提供
TO-247
G
应用
开关模式电源（SMPS ）
·不间断电源
S
N沟道
MOSFET
S
D
G
高速电源开关
硬开关和高频电路
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-247
IRFP32N50KPbF
SiHFP32N50K-E3
IRFP32N50K
SiHFP32N50K
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
当前
a
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
6-32或M3螺丝
极限
500
± 30
32
20
130
3.7
450
32
46
460
13
- 55至+ 150
300
d
10
1.1
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
A
单位
V
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩
重复性雪崩
当前
a
能源
a
dv / dt的
c
最大功率耗散
峰值二极管恢复
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。
B 。起始物为
J
= 25 ° C，L = 0.87 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 32 A.
C.我
SD
≤
32 A ， di / dt的
≤
197 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，豁免可能applyrom情况。
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S- 81361 -REV 。 B， 07 -JUL- 08
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热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.24
-
马克斯。
40
-
0.26
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
有效输出电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
体二极管的反向恢复电流
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
T
J
= 25 ° C，I
F
= 32 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 150 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 32 A
b
500
-
3.0
-
-
-
-
14
-
0.54
-
-
-
-
0.135
-
-
-
5.0
± 100
50
250
0.16
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
V
DS
= 50 V，I
D
= 32 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
V
DS
= 1.0 V，F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V ， F = 1.0 MHz的
V
DS
= 0 V至400 V
c
V
GS
= 10 V
I
D
= 32 A，V
DS
= 400 V
b
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5280
550
45
5630
155
265
-
-
-
28
120
48
54
-
-
-
-
-
-
190
59
84
-
-
-
-
ns
nC
pF
V
DD
= 250 V，I
D
= 32 A,
R
G
= 4.3
Ω,
V
GS
= 10 V
b
-
-
-
-
-
-
-
-
530
9.0
30
32
A
130
1.5
800
13.5
-
V
ns
C
A
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 32 A，V
GS
= 0 V
b
-
-
-
-
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。
B 。脉冲宽度
≤
400微秒;占空比
≤
2 %.
c. C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DS
.
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
1000
顶部
VGS
15
V
12
V
10
V
8.0 V
7.0
V
6.0
V
5.5
V
5.0
V
1000
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
TJ = 150℃
10
10
1
TJ = 25 C
1
0.1
5.0
V
20
μs
脉冲
宽度
TJ = 25 C
0.01
0.1
1
10
100
V
DS ，漏 - 源
电压
(V)
0.1
4
5
7
8
V
DS = 50
V
20
μs
脉冲
宽度
9
11
12
V
GS ，栅 - 源
电压
(V)
图。 1 - 典型的输出特性
图。 3 - 典型的传输特性
RDS （ ON） ，漏极 - 源极导通电阻（标准化）
100
顶部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
VGS
15
V
12
V
10
V
8.0 V
7.0
V
6.0
V
5.5
V
底部5.0
V
3.0
2.5
ID = 32 A
2.0
5.0
V
1.5
1
1.0
0.5
20
μs
脉冲
宽度
TJ = 150℃
0.1
0.1
1
10
100
V
DS ，漏 - 源
电压
(V)
0.0
- 60 - 40 - 20 0
20 40
V
GS = 10
V
60
80
100 120 140 160
TJ ，结温
图。 2 - 典型的输出特性
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
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1000000
1000
10000
ISD ，反向漏电流（ A）
V
GS = 0
V,
西塞=的Cgs + Cgd的，光盘
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
西塞
F = 1 MHz的
短
100
TJ = 150℃
C，电容（pF ）
1000
科斯
100
10
TJ = 25 C
1
CRSS
10
1
10
100
1000
0.1
0.2
0.6
0.9
V
GS = 0
V
1.3
1.6
V
DS ，漏 - 源
电压
(V)
V
SD ，源极到漏极
电压
(V)
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
20
1000
ID = 32 A
V
DS = 400
V
V
DS = 250
V
V
DS = 100
V
工作在这个地区限制
BY RDS （ ON）
V
GS ，栅 - 源
电压
(V)
16
ID ，漏电流（ A）
100
10
μs
12
8
100
μs
10
1毫秒
TC = 25℃
TJ = 150℃
单脉冲
100
4
10毫秒
1000
10000
0
0
40
160
80
120
QG ，总栅极电荷（ NC）
200
1
10
V
DS ，漏 - 源
电压
(V)
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
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V
DS
35
V
GS
30
25
ID ，漏电流（ A）
R
G
R
D
D.U.T.
+
-
V
DD
10
V
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
20
15
图。 10A - 开关时间测试电路
10
5
0
25
50
75
125
100
TC ，外壳温度（ ° C）
150
V
DS
90
%
10
%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
1
热响应（ ZthJC ）
D = 0.50
0.1
0.20
0.10
0.05
0.01
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
PDM
t1
t2
注意事项：
1.占空比系数D = T1 / T2
2.峰值TJ = PDM X ZthJC +锝
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
吨，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
V
DS
15
V
t
p
V
DS
L
司机
R
G
20
V
t
p
D.U.T
I
AS
0.01
Ω
+
A
-
V
DD
I
AS
图。 12B - 松开电感的波形
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图。 12A - 非钳位感应测试电路
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