IRFBF20S ， IRFBF20L ， SiHFBF20S ， SiHFBF20L
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
38
4.7
21
单身
D
特点
900
8.0
表面贴装（ IRFBF20S / SiHFBF20S ）
小尺寸通孔（ IRFBF20L / SiHFBF20L ）
=可用
in
TAPE
(IRFBF20S/SiHFBF20S)
动态的dv / dt额定值
150 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
铅（Pb） ，免费提供
和
可用的
REEL
RoHS指令*
柔顺
I
2
PAK
(TO-262)
D
2
PAK （ TO-263 ）
描述
G
G
D
S
S
N沟道
MOSFET
第三代功率MOSFET组成的Vishay提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
对D
2
PAK是一个表面贴装功率封装capabel
容纳模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了
最高功率能力和尽可能低的
的导通电阻，在任何现有的表面贴装型封装。该
D
2
白是适合的，因为高电流应用其
较低的内部连接性和功耗最高
2.0 W的一个典型的表面安装的应用程序。该
贯通孔版（ IRFBF20L / SiHFBF20L ）是可用于
低调的申请。
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRFBF20SPbF
SiHFBF20S-E3
IRFBF20S
SiHFBF20S-E3
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRFBF20STRLPbF
a
SiHFBF20STL-E3
a
IRFBF20STRL
a
SiHFBF20STL
a
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRFBF20STRRPbF
a
SiHFBF20STR-E3
a
IRFBF20STRR
a
SiHFBF20STR
a
I
2
PAK （ TO- 262 ）
IRFBF20LPbF
SiHFBF20L-E3
IRFBF20L
SiHFBF20L
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
e
栅源电压
e
连续漏电流
脉冲漏
当前
A，E
能源
B，E
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
P
D
dv / dt的
极限
900
± 20
1.7
1.1
6.8
0.43
180
1.7
5.4
54
3.1
1.5
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
A
单位
V
线性降额因子
单脉冲雪崩
重复性雪崩
重复性雪崩
当前
a
能源
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
C，E
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91121
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1
WORK -IN -PROGRESS
IRFBF20S ， IRFBF20L ， SiHFBF20S ， SiHFBF20L
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绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
10秒
6-32或M3螺丝
符号
T
J
, T
英镑
极限
- 55至+ 150
300
d
10
单位
°C
N
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 50 V ;起始物为
J
= 25 ° C，L = 117 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 1.7 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
1.7 A， di / dt的
≤
70 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
。使用IRFBF20 / SiHFBF20数据和试验条件。
热电阻额定值
参数
最大结到环境（PCB
安装，稳态）
a
最大结到外壳
符号
R
thJA
R
thJC
典型值。
-
-
马克斯。
40
2.3
单位
° C / W
记
一。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 450 V，I
D
= 1.7 A,
R
G
= 18
Ω,
V
GS
= 10V ，见图。 10
b
V
GS
= 10 V
I
D
= 1.7 A，V
DS
= 360 V,
参见图。 6和13
b
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
490
55
18
-
-
-
8.0
21
56
32
-
-
-
38
4.7
21
-
-
-
-
ns
nC
pF
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 900 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 720 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 1.0 A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 1.0 A
b
900
-
2.0
-
-
-
-
0.6
-
1.1
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
100
500
8.0
-
V
毫伏/°C的
V
nA
A
Ω
S
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
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特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
350
0.85
1.7
A
6.8
1.5
530
1.3
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 1.7 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
。使用IRFBF20 / SiHFBF20数据和试验条件。
典型特征
25 ℃，除非另有说明
图。 1 - 典型的输出特性
图。 2 - 典型的输出特性
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图。 3 - 典型的传输特性
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
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图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
R
D
V
DS
V
GS
R
G
D.U.T.
+
-
V
DD
10
V
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
90
%
10
%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 8 - 最高安全工作区
图。 10B - 开关时间波形
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