新产品
SiB404DK
Vishay Siliconix公司
N沟道12 V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
()
0.019在V
GS
= 4.5 V
12
0.022在V
GS
= 2.5 V
0.026在V
GS
= 1.8 V
0.065在V
GS
= 1.2 V
I
D
(A)
a
9
9
9
3
9.6 NC
Q
g
（典型值）。
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
新的耐热增强型PowerPAK
SC- 75封装
- 小占位面积
- 低导通电阻
- 薄0.75毫米简介
100 % R
g
经过测试
符合RoHS指令2002/95 / EC
的PowerPAK SC- 75-6L -单
D
1
D
2
D
3
6
D
5
D
S
4
S
1.60 mm
G
应用
便携式设备
低电压栅极驱动负载开关
标识代码
AIX
零件编号代码
XXX
很多可追溯性
和日期代码
订货信息：
SiB404DK -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
S
N沟道MOSFET
G
1.60 mm
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
最大功率耗散
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
D，E
T
J
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
12
±5
9
a
9
a
8.9
B，C
7.1
B，C
35
9
a
2.1
B，C
13
8.4
2.5
B，C
1.6
B，C
- 55 150
260
°C
W
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结至外壳（漏）
B，F
t
5s
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
41
7.5
最大
51
9.5
单位
° C / W
注意事项：
一。套餐的限制，T
C
= 25 °C.
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 T = 5秒。
。见焊接温度曲线（ www.vishay.com/ppg?73257 ） 。采用PowerPAK SC- 75是一种无引线封装。引线端子的端部露出铜
（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证，不
需要保证足够的底侧的焊料互连。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
F。在稳态条件下最大为105 ° C / W 。
文档编号： 67099
S11-0236 -REV 。 A， 14 -FEB- 11
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SiB404DK
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
DS
V
DS
/T
J
V
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 5 V
V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 2 A
V
GS
= 1.8 V，I
D
= 1 A
V
GS
= 1.2 V，I
D
= 0.5 A
前锋
跨
a
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= 7 A， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
I
S
= 7 A，V
GS
= 0 V
0.8
15
5
8
7
T
C
= 25 °C
V
DD
= 6 V ，R
L
= 0.86
I
D
7 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 1
F = 1 MHz的
0.6
V
DS
= 6 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 9 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 3 A
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
关断DelayTime
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
9
35
1.2
30
10
A
V
ns
nC
ns
15
0.015
0.018
0.021
0.035
30
9.6
0.9
1.7
3.2
5
20
20
10
6.4
10
40
40
20
ns
15
nC
0.019
0.022
0.026
0.065
S
0.35
12
12
- 2.5
0.8
± 100
1
10
V
毫伏/°C的
V
nA
A
A
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
漏源导通电阻
a
R
DS （ ON）
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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文档编号： 67099
S11-0236 -REV 。 A， 14 -FEB- 11
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SiB404DK
Vishay Siliconix公司
典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
35
V
GS
= 5 V直通2 V
30
8
I
D
- 漏电流（ A）
25
20
15
10
5
0
0.0
V
GS
= 1.5 V
I
D
- 漏电流（ A）
6
10
4
T
C
= 25
°C
T
C
= 125
°C
2
V
GS
= 1 V
0
0.0
T
C
= - 55
°C
0.5
1.0
1.5
2.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.06
V
GS
= 1.2 V
0.05
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
- 电容（pF ）
1000
1200
传输特性
C
国际空间站
800
0.04
V
GS
= 1.8 V
0.03
V
GS
= 2.5 V
0.02
V
GS
= 4.5 V
600
400
C
OSS
200
C
RSS
0.01
0.00
0
5
10
15
20
25
30
35
0
0
2
4
6
8
10
12
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
5
I
D
= 9 A
4
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
V
DS
= 3 V
1.4
1.6
电容
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
GS
= 4.5 V ， 2.5 V ， 1.8 V ;我
D
= 3 A
1.2
3
V
DS
= 6 V
2
V
DS
= 9.6 V
1.0
V
GS
= 1.2 V，I
D
= 0.5 A
1
0.8
0
0
2
4
6
8
10
12
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
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SiB404DK
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典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
100
0.06
I
D
= 3 A
0.05
T
J
= 150
°C
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
I
S
- 源电流（ A）
10
0.04
0.03
T
J
= 125
°C
0.02
T
J
= 25
°C
1
T
J
= 25
°C
0.01
0.1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
0.7
导通电阻与栅极至源极电压
20
0.6
15
0.5
0.4
I
D
= 250 μA
0.3
功率（W）的
100
125
150
V
GS （ TH）
(V)
10
5
0.2
0.1
- 50
- 25
0
25
50
75
0
0.001
0.01
0.1
1
脉冲（多个）
10
100
1000
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
1000
单脉冲功率，结到环境
100
I
D
- 漏电流（ A）
限于由R
DS （ ON）
*
10
100 μs
1毫秒
1
10毫秒
T
A
= 25
°C
单脉冲
BVDSS有限公司
100毫秒
1 s, 10 s
DC
0.1
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
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文档编号： 67099
S11-0236 -REV 。 A， 14 -FEB- 11
新产品
SiB404DK
Vishay Siliconix公司
典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
25
15
20
I
D
- 漏电流（ A）
12
15
Po
w
ER （ W）
9
10
包装有限公司
6
5
3
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ° C）
0
25
50
75
100
125
150
电流降额*
T
C
- 外壳温度（ ° C）
功率降额
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级下降的包下面
极限。
文档编号： 67099
S11-0236 -REV 。 A， 14 -FEB- 11
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5
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