Si8489EDB
Vishay Siliconix公司
P沟道20 V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
- 20
R
DS （ ON）
（ Ω ）最大。
0.044在V
GS
= - 10 V
0.054在V
GS
= - 4.5 V
0.082在V
GS
= - 2.5 V
I
D
(A)
A，E
- 5.4
- 4.9
- 3.9
9.5 NC
Q
g
（典型值）。
特点
TrenchFET
功率MOSFET
小1毫米×1毫米最大。轮廓区域
低0.548毫米最大。轮廓
典型ESD保护2500 V HBM
材料分类：
对于合规的定义，请参见
www.vishay.com/doc?99912
MICRO FOOT
凹凸面
意见
背面
意见
应用
负荷开关和充电器的开关
电池管理
对于智能手机和平板电脑
G
S
8
489
S
2
G
1
XXX
S
3
D
4
器件标识：
8489
XXX =日期/批次追踪码
订货信息：
Si8489EDB -T2 -E1 （铅（ Pb），并且无卤素）
D
P沟道MOSFET
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
T
A
= 25 °C
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲（ T = 300微秒）
连续源极 - 漏极二极管电流
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 25 °C
最大功率耗散
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
包装回流条件
c
VPR
IR /对流
T
J
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
- 20
± 12
- 5.4
a
- 4.3
a
- 3.6
b
- 2.8
b
- 20
- 1.5
a
- 0.65
b
1.8
a
1.1
a
0.78
b
0.5
b
- 55 150
260
260
°C
W
A
单位
V
注意事项：
一。表面安装1" X 1" FR4板，全铜的，T = 10秒。
B 。表面安装1" X 1" FR4板最小铜，T = 10秒。
。请参考IPC / JEDEC （ J- STD- 020 ） ，无需人工或手工焊接。
。在这份文件中，凡提述的情况下代表MICRO FOOT器件的身体和脚的凹凸。
。基于T
A
= 25 °C.
文档编号： 62752
S12-1763 -REV 。 A， 23 -JUL- 12
如有技术问题，请联系：
pmostechsupport@vishay.com
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本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
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Si8489EDB
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
A，B
最大结点到环境
C，D
吨≤ 10秒
吨≤ 10秒
符号
R
thJA
典型
55
125
最大
70
160
单位
° C / W
注意事项：
一。表面安装1" X 1" FR4板，全铜。
B 。在稳态条件下最大为100 ° C / W 。
。表面安装1" X 1" FR4板最小铜。
。在稳态条件下最大为190 ° C / W 。
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= - 10 V ，R
L
= 10
I
D
- 1.5 A，V
根
= - 8 V ，R
g
= 1
V
DD
= - 10 V ，R
L
= 10
I
D
- 1.5 A，V
根
= - 4.5 V ，R
g
= 1
V
GS
= - 0.1 V，F = 1兆赫
V
DS
= - 10 V, V
GS
= - 10 V，I
D
= - 1.5 A
V
DS
= - 10 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 1.5 A
V
DS
= - 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
765
125
115
17.5
8.6
1.5
2.6
14
27
20
50
25
6
8
68
28
50
40
100
50
15
20
130
60
ns
27
13
nC
pF
V
DS
V
DS
/T
J
V
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 A
I
D
= - 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 4.5 V
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 12 V
V
DS
= - 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70 °C
V
DS
-
5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 1.5 A
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 1.5 A
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 1 A
V
DS
= - 10 V，I
D
= - 1.5 A
- 10
0.036
0.045
0.065
10
0.044
0.054
0.082
S
- 0.5
- 20
- 15
2.4
- 1.2
±1
±5
-1
- 10
A
A
V
毫伏/°C的
V
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
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2
如有技术问题，请联系：
pmostechsupport@vishay.com
文档编号： 62752
S12-1763 -REV 。 A， 23 -JUL- 12
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Si8489EDB
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特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= - 1.5 A ， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
I
S
= - 1.5 A，V
GS
= 0 V
- 0.8
25
9
15
10
T
A
= 25 °C
- 1.5
- 20
- 1.2
50
20
A
V
ns
nC
ns
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
60
10
-2
10
-3
10
-4
10
-5
10
-6
10
-7
10
-8
10
-9
0
3
6
9
12
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
15
18
0
3
6
9
12
15
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
18
T
J
= 25
°C
50
I
GSS
- 栅极电流（mA ）
I
GSS
- 栅电流（ A）
40
T
J
= 25
°C
30
T
J
= 150
°C
20
10
0
栅电流与栅源电压
20
V
GS
= 5 V直通3 V
16
I
D
- 漏电流（ A）
V
GS
= 2.5 V
12
I
D
- 漏电流（ A）
16
20
栅电流与栅源电压
12
8
V
GS
= 2 V
4
V
GS
= 1.5 V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
3.0
8
T
C
= 25
°C
4
T
C
= 125
°C
T
C
= - 55
°C
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
3.0
输出特性
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传输特性
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典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
0.20
1200
1000
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.15
V
GS
= 2.5 V
- 电容（pF ）
800
C
国际空间站
0.10
V
GS
= 4.5 V
0.05
V
GS
= 10 V
0.00
0
4
8
12
I
D
- 漏电流（ A）
16
20
600
400
200
C
RSS
0
0
C
OSS
4
8
12
16
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
20
导通电阻与漏电流和栅极电压
10
V
DS
= 5 V
I
S
- 源电流（ A）
100
电容
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
8
I
D
= 1.5 A
10
T
J
= 150
°C
6
V
DS
= 10 V
4
V
DS
= 16 V
2
T
J
= 25
°C
1
0
0
4
8
12
16
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
20
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
1.2
栅极电荷
1.4
R
DS （ ON）
- 导通电阻（标准化）
V
GS
= 10 V，I
D
= 1.5 A
1.0
源极 - 漏极二极管正向电压
1.3
0.9
1.2
V
GS （ TH）
(V)
0.8
1.1
0.7
I
D
= 250 μA
1.0
0.6
V
GS
= 4.5 ， 2.5 V，I
D
= 1.5 A
0.8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
T
J
- 结温（ ° C）
125
150
0.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
T
J
- 温度（℃ ）
125
150
0.9
导通电阻与结温
阈值电压
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典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
0.20
25
I
D
= 1.5 A
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.15
20
功率（W）的
5
15
0.10
T
J
= 125
°C
10
0.05
T
J
= 25
°C
5
0.00
0
1
2
3
4
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0
0.001
0.01
0.1
1
时间（s）
10
100
1000
导通电阻与栅极至源极电压
100
限于由R
DS （ ON）
*
单脉冲功率，结到环境
10
I
D
- 漏电流（ A）
100
s
1
1毫秒
10毫秒
0.1
T
A
= 25
°C
BVDSS有限公司
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
100毫秒
10 s, 1s
DC
注意：
当安装在1" X 1" FR4全铜。
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用
结到外壳的热阻，并且是在解决更加有用
上
散热极限情况下，额外的散热装置是
使用。它被用来确定额定电流，当该等级瀑布
下面的包装限制。
安全工作区，结到环境
5
1.5
4
1.2
功耗（ W）
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- 漏电流（ A）
3
0.9
2
0.6
1
0.3
0
T
A
- 环境温度（ ° C）
0.0
25
50
75
100
125
150
T
A
- 环境温度（ ° C）
电流降额*
功率降额
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