Si8440/1/2
Q
ü A D
-C
H A N N 左
D
我G I TA L
I
S 0 L A T O服务
特点
高速操作：
DC - 150 Mbps的
低传播延迟：
小于10纳秒
宽工作电源电压：
2.375–5.5 V
低功耗： I1 + I2 <
12毫安/通道速率为100 Mbps
精确定时：
2纳秒脉冲宽度失真
1 ns的通道间匹配
2纳秒脉冲宽度偏差
2500 V
RMS
隔离
瞬变抗扰度： >25 KV / μs的
三态输出与ENABLE
控制
DC正确
无需开机初始化
<10 μs的启动时间
工作温度最高可达：
125 ℃的速率为100 Mbps
100℃ ，在150 Mbps的
宽体SOIC -16封装
引脚分配
宽体SOIC
V
DD1
GND1
A1
A2
A3
A4
EN1
GND1
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
V
DD2
GND2
B1
B2
B3
B4
EN2
GND2
应用
隔离开关模式电源
隔离式ADC ， DAC
电机控制
功率因数校正系统
安全管理机构认证
UL认证： 2500 V
RMS
FOR 1
每UL1577分钟
CSA元件验收
通知＃ 5A
*所有待定
VDE认证合格
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884
第2部分） ：2003-01
DIN EN60950 （ VDE0805 ） ：
2001-12 ; EN60950 ： 2000
V
IORM
= 560 V
PEAK
描述
硅实验室的系列数字隔离器是采用CMOS器件
一个射频耦合器，以在一个隔离传输数字信息
屏障。达到在低功率电平非常高的速度运转。
这些器件采用16引脚宽体SOIC封装。三
速度等级选项（ 1 ， 10 ， 100 Mbps）的可实现
小于10纳秒的典型传播延迟。
框图
Si8440
Si8441
Si8442
A1
A2
A3
A4
NC
B1
B2
B3
B4
EN2
A1
A2
A3
A4
EN1
B1
B2
B3
B4
EN2
A1
A2
A3
A4
EN1
B1
B2
B3
B4
EN2
修订版0.3 4/06
版权所有 2006年由Silicon Laboratories公司
Si8440/1/2
Si8440/1/2
T
A B L E
部分
OF
C
0：N T E TS
页面
1.电气规格。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.4
2.典型性能特征。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
3.应用程序信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
3.1 。操作理论。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
3.2 。眼图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
4.布局建议。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
4.1 。电源旁路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
4.2 。输入和输出特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
4.3 。使能输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.16
4.4 。 RF抗扰性和共模瞬态抑制能力。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
4.5 。射频辐射干扰。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
5.引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
6.订购指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
7.包装外形：宽体SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.21
文档更改列表。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.22
联系信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.24
修订版0.3
3
Si8440/1/2
1.电气连接特定的阳离子
表1.电气特性
(V
DD1
= 5 V, V
DD2
= 5 V ，T
A
= -40至125 C° ）
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入漏电流
使能输入大电流
使能输入低电流
Si8440 -A ， -B，-C ，V
DD1
Si8440 -A ， -B，-C ，V
DD2
Si8440 -A ， -B，-C ，V
DD1
Si8440 -A ， -B，-C ，V
DD2
Si8441 -A ， -B，-C ，V
DD1
Si8441 -A ， -B，-C ，V
DD2
Si8441 -A ， -B，-C ，V
DD1
Si8441 -A ， -B，-C ，V
DD2
Si8442 -A ， -B，-C ，V
DD1
Si8442 -A ， -B，-C ，V
DD2
Si8442 -A ， -B，-C ，V
DD1
Si8442 -A ， -B，-C ，V
DD2
Si8440 -B ，-C ，V
DD1
Si8440 -B ，-C ，V
DD2
Si8441 -B ，-C ，V
DD1
Si8441 -B ，-C ，V
DD2
Si8442 -B ，-C ，V
DD1
Si8442 -B ，-C ，V
DD2
Si8440 -C ，V
DD1
Si8440 -C ，V
DD2
Si8441 -C ，V
DD1
Si8441 -C ，V
DD2
Si8442 -C ，V
DD1
Si8442 -C ，V
DD2
4
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
L
I
ENH
I
ENL
测试条件
民
2.0
—
典型值
—
—
4.8
0.2
—
4
20
7.5
7
15
6.5
8.7
11
14
12.5
10
10
13
13
11
9
12
13.5
12.5
12.5
12
27
16
27
21
21
最大
—
0.8
—
0.4
±10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
V
V
A
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
陆= -4毫安
笑= 4毫安
V
ENX
= V
IH
V
ENX
= V
IL
所有输入DC 0
所有输入DC 0
所有输入1 DC
所有输入1 DC
所有输入DC 0
所有输入DC 0
所有输入1 DC
所有输入1 DC
所有输入DC 0
所有输入DC 0
所有输入1 DC
所有输入1 DC
V
DD1
,V
DD2
– 0.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
直流电源电流
（所有输入0 V或电源）
10 Mbps的电源电流
（所有输入= 5 MHz的方波， CI = 15 pF的所有输出）
100 Mbps的电源电流
（所有输入= 50 MHz的方波， CI = 15 pF的所有输出）
修订版0.3
Si8440/1/2
表1.电气特性（续）
(V
DD1
= 5 V, V
DD2
= 5 V ，T
A
= -40至125 C° ）
参数
最大数据速率
最小脉冲宽度
传播延迟
1
脉冲宽度失真
|t
PLH
- t
PHL
|
1
符号
测试条件
时序特性
民
0
—
典型值
—
5
7.5
1
6
0.5
2
2
30
30
5
5
3
最大
100
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
Mbps的
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
KV / μs的
KV / μs的
ns
ns
s
t
PHL
, t
PLH
PWD
t
PSK
t
PSKCD / OD
C1 = 15 pF的
C1 = 15 pF的
CM
L
CM
H
t
en1
t
en2
t
SU
—
—
—
—
—
—
25
25
—
—
—
传播延迟偏斜
2
通道间的偏移
3
输出上升时间
输出下降时间
共模瞬变
免疫力逻辑低输出
4
共模瞬变
免疫力的逻辑高电平输出
4
启用到数据有效
启用以数据三态
启动时间
5
注意事项：
1.
t
PHL
传播延迟是从50％的水平在V的下降沿的测量
Ix
信号到50 ％的水平下落的
在V边缘
Ox
信号。吨
PLH
传播延迟是从50％的水平在V的上升沿测量的
Ix
信号输出到
50％的水平在V的上升沿的
Ox
信号。
2.
t
PSK
是在T最坏情况下的差的量值
PHL
或T
PLH
即在相同的操作测量单元之间
温度，电源电压和输出负载范围内推荐的工作条件。
3.
同向通道与通道之间的匹配是差的，在任何之间的传播延迟的绝对值
两个通道上的隔离层的同一侧的输入。相对的方向的通道至通道匹配是
在任意两个通道的输入之间的传播延迟之差的上相对的两侧的绝对值
隔离屏障。
4.
CM
H
是，可以持续维持V中的最大共模电压的变化率
O
> 0.8 V
DD2
。厘米
L
is
能够持续维持V中的最大共模电压的变化率
O
< 0.8 V的共模
压摆率适用于上升和下降的共模电压的边缘。瞬时幅度的范围内
在其上共模压摆。
5.
启动时间是从功率的应用，以有效的数据在输出端上的时间周期。
启用
输入
(V
IX
)
t
PLH
t
PHL
50%
输出
产量
(V
OX
)
t
en1
t
en2
50%
图1.启用时序图
图2.传输延迟时间
修订版0.3
5
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