SPICE器件模型Si8435DB
Vishay Siliconix公司
双P通道20 - V（D -S）的MOSFET
特征
P沟道垂直DMOS
宏模型（子电路模型）
3级MOS
同时申请线性和开关应用
在精确的
55
至125°C温度范围
模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复
特征
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
的p沟道垂直DMOS的特性。子电路
模型中提取并优化过
55
至125℃
脉冲0 V至5 V栅极驱动下的温度范围。该
饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合
阈值电压。
一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络是用来模拟
同时避免收敛困难的栅极电荷特性
交换的C
gd
模型。所有的模型参数值进行了优化
以提供最适合于所测量的电数据，并且不
目的是作为该装置的一个具体的物理解释。
子电路模型示意图
本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的
相同数量的保证规范限制的数据表。
文档编号： 74146
S- 52479Rev 。 A， 12日-12月05
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SPICE器件模型Si8435DB
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规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250 A
V
DS
≤ 5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
3.3
A
漏源导通电阻
a
符号
测试条件
模拟
数据
0.80
60
0.063
0.082
0.107
11
0.78
测
数据
单位
V
A
0.060
0.083
0.108
9
0.80
S
V
r
DS （ ON）
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
2.8
A
V
GS
=
1.8
V，I
D
=
0.76
A
正向跨导
二极管的正向电压
a
a
g
fs
V
SD
V
DS
=
10
V，I
D
=
3.3
A
I
S
=
1
A，V
GS
= 0 V
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=
10
V, V
GS
=
4.5
V，I
D
=
4.6
A
5
0.75
1.5
5.5
0.75
1.5
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
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文档编号： 74145
S- 52479Rev 。 A， 12日-12月05
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与实测数据模型的比较（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
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