Si8416DB
Vishay Siliconix公司
N沟道8 V （D -S ）的MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
（ Ω ）最大。
0.023在V
GS
= 4.5 V
0.025在V
GS
= 2.5 V
8
0.030在V
GS
= 1.8 V
0.040在V
GS
= 1.5 V
0.095在V
GS
= 1.2 V
I
D
(A)
d
16
16
16
15
3
17 NC
Q
g
（典型值）。
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
超小1.5毫米×1毫米最大外形
超薄0.59毫米最大高度
符合RoHS指令2002/95 / EC
应用
低导通电阻负载开关，用于便携式设备
- 低功耗，低压降
- 增加电池寿命
- 在PCB上节省空间
D
MICRO FOOT
凹凸面
意见
背面
意见
S
2
G
1
8416
XXX
S
3
S
6
D
4
D
5
G
器件标识：
8416
XXX =日期/批次追踪码
订货信息：
Si8416DB -T2 -E1 （铅（ Pb），并且无卤素）
N沟道
MOSFET
S
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲（ T = 300微秒）
连续源极 - 漏极二极管电流
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
最大功率耗散
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
包装回流条件
c
IR /对流
T
J
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
8
±5
16
e
16
e
9.3
A，B
7.4
A，B
20
11
2.3
A，B
13
8.4
2.77
A，B
1.77
A，B
- 55 150
260
°C
W
A
单位
V
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
B 。 T = 10秒。
。请参考IPC / JEDEC （ J- STD- 020 ） ，无需人工或手工焊接。
。在定义为包装的顶部表面的情况下。
E.吨
C
= 25 ° C套餐限制。
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S11-2526 -REV 。 A， 26日-12月11
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热电阻额定值
参数
最大结点到环境
A，B
最大结至外壳（漏）
c
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
B 。在稳态条件下最大为85 ° C / W 。
。情况下被定义为包的顶表面上。
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
37
7
最大
45
9.5
单位
° C / W
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
DS
ΔV
DS
/T
J
ΔV
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0, I
D
= 250 A
I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 5 V
V
DS
= 8 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 8 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70 °C
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 1.5 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 1 A
漏源导通电阻
a
R
DS （ ON）
V
GS
= 1.8 V，I
D
= 1 A
V
GS
= 1.5 V，I
D
= 0.5 A
V
GS
= 1.2 V，I
D
= 0.5 A
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 4 V ，R
L
= 2.7
Ω
I
D
1.5 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 1
Ω
V
GS
= 0.1 V，F = 1兆赫
V
DS
= 4 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 1.5 A
V
DS
= 4 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
1470
580
450
17
1.8
3.4
2.5
13
15
40
10
25
30
80
20
ns
Ω
26
nC
pF
g
fs
V
DS
= 4 V，I
D
= 1.5 A
5
0.019
0.021
0.023
0.027
0.040
22
0.023
0.025
0.030
0.040
0.095
S
Ω
0.35
8
2.2
- 2.7
0.80
± 100
1
10
V
毫伏/°C的
V
nA
A
A
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
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2
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特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= 1.5 A ， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
I
S
= 1.5 A，V
GS
= 0
0.7
35
18
13
22
T
C
= 25 °C
20
- 20
1.2
70
35
A
V
ns
nC
ns
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
20
V
GS
= 5 V通1.5 V
8
15
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
6
T
C
= 25
°C
4
10
10
5
2
V
GS
= 1 V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
0
0.0
0.2
T
C
= 125
°C
T
C
= - 55
°C
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
1.4
1.6
输出特性
0.10
V
GS
= 1.2 V
0.08
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
- 电容（pF ）
2400
传输特性
2000
C
国际空间站
1600
0.06
1200
C
OSS
C
RSS
0.04
V
GS
= 1.5 V
V
GS
= 1.8 V
800
0.02
V
GS
= 2.5 V
0.00
0
4
8
12
I
D
- 漏电流（ A）
16
20
V
GS
= 4.5 V
400
0
0
2
4
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
8
导通电阻与漏电流和栅极电压
5
R
DS （ ON）
- 导通电阻（标准化）
I
D
= 1.5 A
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
4
V
DS
= 4 V
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
- 50
电容
V
GS
= 4.5 V ， 2.5 V ， 1.8 V ;我
D
= 1.5 A
V
GS
= 1.5 V ;我
D
= 0.5 A
3
V
DS
= 2 V
V
DS
= 6.4 V
V
GS
= 1.2 V ;我
D
= 0.5 A
2
1
0
0
4
8
12
16
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
20
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
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典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
100
0.10
I
D
= 1.5 A
0.08
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150
°C
10
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.06
T
J
= 25
°C
1
0.04
T
J
= 125
°C
0.02
T
J
= 25
°C
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
0.00
0
1
2
3
4
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
5
源极 - 漏极二极管正向电压
0.8
导通电阻与栅极至源极电压
30
0.7
25
0.6
20
功率（W）的
125
150
V
GS （ TH）
(V)
0.5
I
D
= 250 μA
0.4
15
10
0.3
5
0.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
T
J
- 温度（℃ ）
0
0.001
0.01
0.1
1
脉冲（多个）
10
100
1000
阈值电压
100
限于由R
DS （ ON）
*
100 μs
1毫秒
1
10毫秒
100毫秒
1s
10 s
DC
T
A
= 25
°C
单脉冲功率，结到环境
10
I
D
- 漏电流（ A）
0.1
BVDSS有限公司
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
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S11-2526 -REV 。 A， 26日-12月11
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