Si4620DY
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （ D- S）的MOSFET与肖特基二极管
MOSFET产品概要
V
DS
(V)
30
R
DS （ ON）
(Ω)
0.035在V
GS
= 10 V
0.052在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
7.4
6.1
Q
g
（典型值）。
4.2 NC
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
LITTLE FOOT
PLUS
功率MOSFET
符合RoHS指令2002/95 / EC
肖特基产品概要
V
KA
(V)
30
V
F
(V)
二极管的正向电压
0.470在3一
I
F
(A)
a
3
应用
负载开关，用于便携式应用
- 理想的升压电路
硬盘驱动器
SO-8
D
K
A
A
S
G
1
2
3
4
顶部
V
ie
w
8
7
6
5
K
K
D
D
G
S
A
订货信息：
Si4620DY -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si4620DY -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源极电压（ MOSFET ）
反向电压（肖特基）
栅源电压（ MOSFET ）
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
符号
V
DS
V
KA
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
F
I
FM
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
极限
30
30
± 20
7.5
6
6
4.8
40
2.6
1.7
A，B
3
8
3.1
2
2
A，B
1.3
A，B
3
1.9
1.8
1.1
- 55 150
260
单位
V
连续漏电流（T
J
= 150 ℃） （MOSFET）
漏电流脉冲（ MOSFET ）
连续源电流（ MOSFET二极管的导通）
平均正向电流（肖特基）
脉冲正向电流（肖特基）
A
最大功率耗散（ MOSFET ）
P
D
W
最大功率耗散（肖特基）
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
T
J
, T
英镑
°C
文档编号： 73862
S09-1341 -REV 。 D， 13 09年7月
www.vishay.com
1
Si4620DY
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结到环境（ MOSFET ）
A，C
最大结到脚（漏） （ MOSFET ）
最大结到环境（肖特基）
最大结到脚（漏） （肖特基）
注意事项：
一。表面安装在FR4板。
B 。吨
≤
10 s.
。在稳态条件下的MOSFET，最大为110 ° C / W 。
。在稳态条件下的肖特基最大为115 ° C / W 。
符号
R
thJA
R
thJF
R
thJA
R
thJF
典型
53
30
55
32
最大
62.5
40
65
42
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 15 V ，R
L
= 3.1
Ω
I
D
4.8 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 6
Ω
F = 1 MHz的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 6 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
520
115
55
8.6
4.2
1.8
1.5
2.8
16
36
21
17
30
54
40
40
ns
Ω
1040
230
110
13
6.5
nC
pF
V
DS
ΔV
DS / TJ
ΔV
GS （ TH） / TJ
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
≤
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 6 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.9 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 6 A
30
0.028
0.041
12
0.035
0.052
1.2
30
32.5
- 5.3
2.5
± 100
1
10
V
毫伏/°C的
V
nA
A
A
Ω
S
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
www.vishay.com
2
文档编号： 73862
S09-1341 -REV 。 D， 13 09年7月
Si4620DY
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
I
S
= 1.7 A，V
GS
= 0 V
0.8
20
14
14
6
T
C
= 25 °C
2.6
40
1.2
40
30
A
V
ns
nC
ns
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
肖特基规格
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
正向电压降
符号
V
F
测试条件
I
F
= 3 A
I
F
= 3 A，T
J
= 125 °C
V
r
= 5 V
V
r
= 5 V ，T
J
= 85 °C
最大反向漏电流
I
rm
V
r
= 5 V ，T
J
= 106 °C
V
r
= 30 V
V
r
= 30 V ，T
J
= 85 °C
V
r
= 30 V ，T
J
= 125 °C
结电容
C
T
V
r
= 15 V
分钟。
典型值。
0.39
0.35
0.1
3.5
12
0.22
10
40
100
马克斯。
0.470
0.420
0.2
17.5
60
0.5
50
200
pF
mA
单位
V
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
文档编号： 73862
S09-1341 -REV 。 D， 13 09年7月
www.vishay.com
3
Si4620DY
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
40
V
GS
= 10
V
通6
V
35
30
I
D
- 排水
u
rrent （ A）
25
20
4
V
15
10
2
5
0
0
1
2
3
4
5
3
V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
25 °C
- 55 °C
5
V
I
D
- 排水
u
rrent （ A）
8
10
6
4
T
C
= 125 °C
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
0.10
800
700
R
S（上）
- 导通电阻（ Ω ）
0.08
600
- 电容（pF ）
0.06
V
GS
= 4.5
V
0.04
V
GS
= 10
V
0.02
100
C
RSS
0.00
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
0
5
500
400
300
200
传输特性
C
国际空间站
C
OSS
10
15
20
25
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏电流和栅极电压
10
I
D
= 6 A
8
V
DS
= 15
V
6
V
DS
= 24
V
4
R
S（上）
- 导通电阻
(
N
ormalized ）
1.4
1.6
V
GS
= 10
V
I
D
= 6 A
电容
V
的s
- 栅极至所以
u
RCE
V
oltage （
V
)
1.2
1.0
2
0.8
0
0
2
4
6
8
10
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
www.vishay.com
4
导通电阻与结温
文档编号： 73862
S09-1341 -REV 。 D， 13 09年7月
Si4620DY
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
40
0.12
I
D
= 6 A
I
S
- 所以，
u
RCE
u
rrent （ A）
T
J
= 150 °C
10
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ MΩ）
0.10
0.08
0.06
25 °C
0.04
125 °C
T
J
= 25 °C
0.02
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
源极 - 漏极二极管正向电压
2.4
50
导通电阻与栅极至源极电压
2.2
I
D
= 250
A
2.0
Po
w
ER （
W
)
V
GS （ TH）
(
V
)
40
30
1.8
20
1.6
10
1.4
1.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
-3
10
-2
10
-1
1
时间（s）
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
100
有限
by
R
DS （ ON）
*
单脉冲功率
10
P（吨） = 0.0001
I
D
- 漏电流（ A）
P（吨） = 0.001
1
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
0.1
T
A
= 25 °C
单脉冲
0.1
P（吨）= 1
P（吨） = 10
DC
0.01
BVDSS有限公司
1
10
100
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
*
V
GS
>最低
V
GS
at
哪
R
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
文档编号： 73862
S09-1341 -REV 。 D， 13 09年7月
www.vishay.com
5
QQ：2880707522 复制
