Si3900DV
Vishay Siliconix公司
双N通道20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
20
特点
I
D
(A)
2.4
1.8
r
DS （ ON）
(W)
0.125 @ V
GS
= 4.5 V
0.200 @ V
GS
= 2.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
无铅可用
TSOP-6
顶视图
D
1
G1
3 mm
1
6
5
D1
D
2
S2
2
S1
G
1
G
2
G2
3
4
D2
S
1
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
2.85 mm
订购信息： Si3900DV -T1
Si3900DV -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲（ 10
ms
脉冲宽度）
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
20
稳定状态
"12
单位
V
2.4
1.7
8
1.05
1.15
0.59
55
150
2.0
1.4
A
0.75
0.83
0.53
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71178
S- 50329 -REV 。 C， 28 -FEB -05
www.vishay.com
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
93
130
75
最大
110
150
90
单位
° C / W
C / W
1
Si3900DV
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.4 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 1.0 A
V
DS
= 5 V，I
D
= 2.4 A
I
S
= 1.05 ，V
GS
= 0 V
5
0.100
0.160
5
0.79
1.10
0.125
0.200
W
S
V
0.6
1.5
"100
1
10
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 3.0 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.4 A
2.1
0.3
0.4
10
30
14
6
30
17
50
25
12
50
ns
4.0
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 4.5直通3.5 V
8
I
D
漏电流（ A）
3V
I
D
漏电流（ A）
8
25_C
6
2.5 V
4
2V
1.5 V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
6
125_C
10
T
C
=
55_C
传输特性
4
2
2
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71178
S- 50329 -REV 。 C， 28 -FEB -05
2
Si3900DV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
0.5
导通电阻与漏电流
300
250
C
电容（pF）
200
150
100
电容
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.4
C
国际空间站
0.3
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
0.1
0.2
C
OSS
50
C
RSS
0
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
4
8
12
16
20
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
4.5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 2.4 A
栅极电荷
1.8
1.6
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
50
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 2.4 A
3.6
2.7
1.8
0.9
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
总栅极电荷（ NC）
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.40
导通电阻与栅极至源极电压
I
D
= 2.4 A
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.32
I
S
源电流（ A）
I
D
= 1 A
1
T
J
= 150_C
0.24
0.16
T
J
= 25_C
0.08
0.1
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
文档编号： 71178
S- 50329 -REV 。 C， 28 -FEB -05
0.00
0
1
2
3
4
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
3
Si3900DV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
I
D
= 250
mA
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
6
功率（W）的
8
单脉冲功率，结到环境
0.0
4
0.2
2
0.4
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
30
T
J
温度（℃）
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
归瞬态热阻抗，结到环境
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 130 ° C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
2
1
归瞬态热阻抗，结到脚
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
2
10
1
1
10
方波脉冲持续时间（秒）
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技术的可靠性和数据
封装可靠性代表的所有合格的地点的复合物。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?71178 。
www.vishay.com
文档编号： 71178
S- 50329 -REV 。 C， 28 -FEB -05
10
4
10
3
4
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前，Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
本文提供的，在法律允许的最大范围内的信息。产品规格没有扩展或者
以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，包括但不限于本文保修
其中，适用于这些产品。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
www.vishay.com
1
Si3900DV
Vishay Siliconix公司
双N通道20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
20
r
DS （ ON）
(W)
0.125 @ V
GS
= 4.5 V
0.200 @ V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
2.4
1.8
D
1
D
2
TSOP-6
顶视图
G1
1
6
D1
3 mm
S2
2
5
S1
G
1
G
2
G2
3
4
D2
2.85 mm
S
1
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲（ 10
ms
脉冲宽度）
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
5秒
20
稳定状态
"12
单位
V
2.4
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
1.05
1.15
0.59
-55到150
1.7
8
2.0
1.4
A
0.75
0.83
0.53
W
_C
热电阻额定值
参数
t
v
5秒
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71178
S- 03511 -REV 。 B， 16 -APR- 01
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
93
130
75
最大
110
150
90
单位
° C / W
C / W
1
Si3900DV
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.4 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 1.0 A
V
DS
= 5 V，I
D
= 2.4 A
I
S
= 1.05 ，V
GS
= 0 V
5
0.100
0.160
5
0.79
1.10
0.125
0.200
W
S
V
0.6
"100
1
10
V
nA
mA
m
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 3.0 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.4 A
2.1
0.3
0.4
10
30
14
6
30
17
50
25
12
50
ns
4.0
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 4.5直通3.5 V
8
I
D
- 漏极电流（ A）
3V
I
D
- 漏极电流（ A）
8
25_C
6
2.5 V
4
6
125_C
10
T
C
= –55_C
传输特性
4
2
2V
2
1.5 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71178
S- 03511 -REV 。 B， 16 -APR- 01
2
Si3900DV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.5
300
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.4
- 电容（pF ）
250
C
国际空间站
200
0.3
V
GS
= 2.5 V
0.2
V
GS
= 4.5 V
0.1
150
100
C
OSS
50
C
RSS
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
4.5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 2.4 A
1.8
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 2.4 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
1.0
1.5
2.0
2.5
3.6
1.6
1.4
2.7
1.2
1.8
1.0
0.9
0.8
0.0
0.0
0.5
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.40
导通电阻与栅极至源极电压
I
D
= 2.4 A
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.32
I
D
= 1 A
0.24
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
1
0.16
T
J
= 25_C
0.08
0.1
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.00
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
文档编号： 71178
S- 03511 -REV 。 B， 16 -APR- 01
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
3
Si3900DV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
I
D
= 250
mA
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
6
8
单脉冲功率，结到环境
–0.0
功率（W）的
4
–0.2
2
–0.4
–0.6
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
30
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 130 ° C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
归瞬态热阻抗，结到脚
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
4
文档编号： 71178
S- 03511 -REV 。 B， 16 -APR- 01
Si3900DV
Vishay Siliconix公司
双N通道20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
20
R
DS （ ON）
(Ω)
0.125在V
GS
= 4.5 V
0.200在V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
2.4
1.8
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
符合RoHS指令2002/95 / EC
TSOP-6
顶视图
G1
1
6
D1
D
1
3 mm
S2
2
5
S1
D
2
G2
3
4
D2
G
1
G
2
2.85 mm
S
1
订货信息：
Si3900DV -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si3900DV -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲（ 10 μs的脉冲宽度）
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
1.05
1.15
0.59
- 55 150
2.4
1.7
8
0.75
0.83
0.53
W
°C
5s
20
± 12
2.0
1.4
A
稳定状态
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
t
≤
5s
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
93
130
75
最大
110
150
90
° C / W
单位
文档编号： 71178
S09-2275 -REV 。 D， 02 - NOV- 09
www.vishay.com
1
Si3900DV
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 3.0 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
Ω
I
D
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 6
Ω
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.4 A
2.1
0.3
0.4
10
30
14
6
30
17
50
25
12
50
ns
4.0
nC
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 12 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85 °C
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.4 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 1.0 A
V
DS
= 5 V，I
D
= 2.4 A
I
S
= 1.05 ，V
GS
= 0 V
5
0.100
0.160
5
0.79
1.10
0.125
0.200
0.6
1.5
±100
1
10
V
nA
A
A
Ω
S
V
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
25 ℃，除非另有说明
10
V
GS
= 4.5 V通3.5 V
8
I
D
- 漏电流（ A）
3V
I
D
- 漏电流（ A）
8
25 °C
125 °C
6
10
T
C
= - 55 °C
6
2.5 V
4
4
2
2V
1.5 V
2
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
传输特性
www.vishay.com
2
文档编号： 71178
S09-2275 -REV 。 D， 02 - NOV- 09
Si3900DV
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.5
300
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.4
- 电容（pF ）
250
C
国际空间站
200
0.3
V
GS
= 2.5 V
0.2
V
GS
= 4.5 V
0.1
150
100
C
OSS
50
C
RSS
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
4.5
V
DS
= 10 V
I
D
= 2.4 A
3.6
R
DS （ ON）
- 导通电阻
1.8
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 2.4 A
电容
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
1.6
1.4
（归一化）
2.7
1.2
1.8
1.0
0.9
0.8
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
10
0.40
导通电阻与结温
I
D
= 2.4 A
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.32
I
D
= 1 A
0.24
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150 °C
1
T
J
= 25 °C
0.16
0.08
0.1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.00
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
导通电阻与栅极至源极电压
文档编号： 71178
S09-2275 -REV 。 D， 02 - NOV- 09
www.vishay.com
3
Si3900DV
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.4
I
D
= 250 A
0.2
6
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.0
功率（W）的
8
4
- 0.2
2
- 0.4
- 0.6
- 50
0
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
时间（s）
1
10
30
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
单脉冲功率，结到环境
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 130 ° C / W
3. T
JM
-
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间（ S）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
方波脉冲持续时间（ S）
归瞬态热阻抗，结到脚
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
www.vishay.com/ppg?71178.
www.vishay.com
4
文档编号： 71178
S09-2275 -REV 。 D， 02 - NOV- 09
包装信息
Vishay Siliconix公司
TSOP ： 5/6 - LEAD
JEDEC编号： MO- 193C
e1
e1
5
4
6
5
4
E
1
1
E
1
E
1
E
2
3
-B-
2
3
-B-
e
b
0.15 M C B A
e
b
0.15 M C B A
5引脚TSOP
-A-
6引脚TSOP
4x 1
R
A
2
A
R
0.17参考
c
L
2
D
压力表飞机
座位
飞机
0.08
C
座位
飞机
L
4x 1
(L
1
)
-C-
A
1
MILLIMETERS
暗淡
A
A
1
A
2
b
c
D
E
E
1
e
e
1
L
L
1
L
2
R
民
0.91
0.01
0.90
0.30
0.10
2.95
2.70
1.55
英寸
民
0.036
0.0004
0.035
0.012
0.004
0.116
0.106
0.061
喃
-
-
-
0.32
0.15
3.05
2.85
1.65
0.95 BSC
最大
1.10
0.10
1.00
0.45
0.20
3.10
2.98
1.70
喃
-
-
0.038
0.013
0.006
0.120
0.112
0.065
0.0374 BSC
最大
0.043
0.004
0.039
0.018
0.008
0.122
0.117
0.067
1.80
0.32
1.90
-
0.60 REF
0.25 BSC
2.00
0.50
0.071
0.012
0.075
-
0.024参考
0.010 BSC
0.079
0.020
0.10
0
-
4
-
8
0.004
0
-
4
7喃
-
8
7喃
1
ECN ： C- 06593 -REV 。我， 18日-12月06
DWG ： 5540
文档编号： 71200
18-Dec-06
www.vishay.com
1
Si3900DV
Vishay Siliconix公司
双N通道20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
20
r
DS （ ON）
(W)
0.125 @ V
GS
= 4.5 V
0.200 @ V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
2.4
1.8
D
1
D
2
TSOP-6
顶视图
G1
1
6
D1
3 mm
S2
2
5
S1
G
1
G
2
G2
3
4
D2
2.85 mm
S
1
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲（ 10
ms
脉冲宽度）
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
5秒
20
稳定状态
"12
单位
V
2.4
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
1.05
1.15
0.59
-55到150
1.7
8
2.0
1.4
A
0.75
0.83
0.53
W
_C
热电阻额定值
参数
t
v
5秒
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71178
S- 03511 -REV 。 B， 16 -APR- 01
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
93
130
75
最大
110
150
90
单位
° C / W
C / W
1
Si3900DV
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.4 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 1.0 A
V
DS
= 5 V，I
D
= 2.4 A
I
S
= 1.05 ，V
GS
= 0 V
5
0.100
0.160
5
0.79
1.10
0.125
0.200
W
S
V
0.6
"100
1
10
V
nA
mA
m
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 3.0 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.4 A
2.1
0.3
0.4
10
30
14
6
30
17
50
25
12
50
ns
4.0
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 4.5直通3.5 V
8
I
D
- 漏极电流（ A）
3V
I
D
- 漏极电流（ A）
8
25_C
6
2.5 V
4
6
125_C
10
T
C
= –55_C
传输特性
4
2
2V
2
1.5 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71178
S- 03511 -REV 。 B， 16 -APR- 01
2
Si3900DV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.5
300
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.4
- 电容（pF ）
250
C
国际空间站
200
0.3
V
GS
= 2.5 V
0.2
V
GS
= 4.5 V
0.1
150
100
C
OSS
50
C
RSS
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
4.5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 2.4 A
1.8
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 2.4 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
1.0
1.5
2.0
2.5
3.6
1.6
1.4
2.7
1.2
1.8
1.0
0.9
0.8
0.0
0.0
0.5
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.40
导通电阻与栅极至源极电压
I
D
= 2.4 A
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.32
I
D
= 1 A
0.24
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
1
0.16
T
J
= 25_C
0.08
0.1
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.00
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
文档编号： 71178
S- 03511 -REV 。 B， 16 -APR- 01
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
3
Si3900DV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
I
D
= 250
mA
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
6
8
单脉冲功率，结到环境
–0.0
功率（W）的
4
–0.2
2
–0.4
–0.6
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
30
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 130 ° C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
归瞬态热阻抗，结到脚
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
4
文档编号： 71178
S- 03511 -REV 。 B， 16 -APR- 01
Si3900DV
Vishay Siliconix公司
双N通道20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
20
r
DS （ ON）
(W)
0.125 @ V
GS
= 4.5 V
0.200 @ V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
2.4
1.8
D
1
D
2
TSOP-6
顶视图
G1
1
6
D1
3 mm
S2
2
5
S1
G
1
G
2
G2
3
4
D2
2.85 mm
S
1
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲（ 10
ms
脉冲宽度）
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
5秒
20
稳定状态
"12
单位
V
2.4
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
1.05
1.15
0.59
-55到150
1.7
8
2.0
1.4
A
0.75
0.83
0.53
W
_C
热电阻额定值
参数
t
v
5秒
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71178
S- 03511 -REV 。 B， 16 -APR- 01
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
93
130
75
最大
110
150
90
单位
° C / W
C / W
1
Si3900DV
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.4 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 1.0 A
V
DS
= 5 V，I
D
= 2.4 A
I
S
= 1.05 ，V
GS
= 0 V
5
0.100
0.160
5
0.79
1.10
0.125
0.200
W
S
V
0.6
"100
1
10
V
nA
mA
m
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 3.0 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.4 A
2.1
0.3
0.4
10
30
14
6
30
17
50
25
12
50
ns
4.0
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 4.5直通3.5 V
8
I
D
- 漏极电流（ A）
3V
I
D
- 漏极电流（ A）
8
25_C
6
2.5 V
4
6
125_C
10
T
C
= –55_C
传输特性
4
2
2V
2
1.5 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
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V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71178
S- 03511 -REV 。 B， 16 -APR- 01
2
Si3900DV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.5
300
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.4
- 电容（pF ）
250
C
国际空间站
200
0.3
V
GS
= 2.5 V
0.2
V
GS
= 4.5 V
0.1
150
100
C
OSS
50
C
RSS
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
4.5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 2.4 A
1.8
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 2.4 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
1.0
1.5
2.0
2.5
3.6
1.6
1.4
2.7
1.2
1.8
1.0
0.9
0.8
0.0
0.0
0.5
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.40
导通电阻与栅极至源极电压
I
D
= 2.4 A
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.32
I
D
= 1 A
0.24
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
1
0.16
T
J
= 25_C
0.08
0.1
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.00
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
文档编号： 71178
S- 03511 -REV 。 B， 16 -APR- 01
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
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3
Si3900DV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
I
D
= 250
mA
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
6
8
单脉冲功率，结到环境
–0.0
功率（W）的
4
–0.2
2
–0.4
–0.6
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
30
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 130 ° C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
归瞬态热阻抗，结到脚
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
4
文档编号： 71178
S- 03511 -REV 。 B， 16 -APR- 01
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