Si3590DV
新产品
Vishay Siliconix公司
N和P通道30 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
30
r
DS （ ON）
(Ω)
0.077在V
GS
= 4.5 V
0.120在V
GS
= 2.5 V
0.170在V
GS
= - 4.5 V
0.300在V
GS
= - 2.5 V
I
D
(A)
3
2
-2
- 1.2
特点
TrenchFET
功率MOSFET
超低低R
DS （ ON）
N和P沟道
为高效率
优化的高边/低边
减少传导损耗
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
P沟道
- 30
应用
便携设备，包括PDA，蜂窝
电话和寻呼机
TSOP-6
顶视图
G1
1
6
D1
D
1
S
2
3 mm
S2
2
5
S1
G
2
G
1
G2
3
4
D2
2.85 mm
订货信息：
Si3590DV-T1
Si3590DV -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
S
1
N沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
1.05
1.15
0.70
3
2.3
8
0.75
0.83
0.53
- 1.05
1.15
0.70
- 55 150
N沟道
10秒
稳定状态
30
± 12
2.5
2.0
-2
- 1.6
-8
- 0.75
0.83
0.53
W
°C
P沟道
10秒
稳定状态
- 30
± 12
- 1.7
- 1.3
A
单位
V
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免。
文档编号： 72032
S- 60422 -REV 。 B， 20 -MAR -06
www.vishay.com
1
t
≤
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
N沟道
典型值
93
130
75
最大
110
150
90
93
130
75
P沟道
典型值
最大
110
150
90
° C / W
单位
Si3590DV
Vishay Siliconix公司
新产品
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 12 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= - 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
= - 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
≤
- 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 2 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 2 A
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 1.2 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
P沟道
V
DS
= - 15 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 2 A
N沟道
N沟道
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2 A
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
N沟道
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
Ω
I
D
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
Ω
P沟道
V
DD
= - 15 V ，R
L
= 15
Ω
I
D
- 1 ，V
根
= - 10 V ，R
G
= 6
Ω
I
F
= 1.05 ，的di / dt = 100 A / μs的
I
F
= - 1.05 ，的di / dt = 100 A / μs的
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
3
3.8
0.6
0.6
1.0
1.5
5
5
12
15
13
20
7
20
15
18
8
8
23
23
23
30
12
30
25
30
ns
4.5
6
nC
g
fs
V
SD
V
DS
= 5 V，I
D
= 3 A
V
DS
= - 5 V，I
D
= - 2 A
I
S
= 1.05 ，V
GS
= 0 V
I
S
= - 1.05 ，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
5
-5
0.062
0.135
0.095
0.235
10
5
0.80
- 0.83
1.10
- 1.10
0.077
0.170
0.120
0.300
S
V
Ω
0.6
- 0.6
1.5
- 1.5
± 100
± 100
1
-1
5
-5
A
A
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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2
文档编号： 72032
S- 60422 -REV 。 B， 20 -MAR -06
Si3590DV
新产品
N沟道典型特征
8
7
I
D
- 漏电流（ A）
6
5
4
3
2
1
1.5 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
2V
V
GS
= 5通2.5 V
I
D
- 漏电流（ A）
Vishay Siliconix公司
25 ℃，除非另有说明
8
7
6
5
4
3
T
C
= 125 °C
2
1
25 °C
- 55 °C
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.5
450
传输特性
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.4
- 电容（pF ）
360
C
国际空间站
270
0.3
0.2
V
GS
= 2.5 V
0.1
V
GS
= 4.5 V
0.0
0
2
4
6
8
10
180
90
C
RSS
0
6
C
OSS
0
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
6
V
DS
= 15 V
I
D
= 2 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.8
电容
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
5
1.6
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 3 A
4
1.4
3
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
1
2
3
4
5
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
文档编号： 72032
S- 60422 -REV 。 B， 20 -MAR -06
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3
Si3590DV
Vishay Siliconix公司
10
新产品
N沟道典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.25
0.20
R DS（ON ） - 导通电阻（ Ω ）
I
S
- 源电流（ A）
I
D
= 3 A
0.15
T
J
= 150 °C
1
0.10
T
J
= 25 °C
0.05
0.1
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.00
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
0.4
I
D
= 250 A
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
6
8
导通电阻与栅极至源极电压
0.0
功率（W）的
4
- 0.2
2
- 0.4
- 0.6
- 50
0
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
100
I
DM
有限
10
I
D
- 漏电流（ A）
r
DS （ ON）
有限
单脉冲功率，结到环境
100 s
1
I
D（上）
有限
0.1
T
C
= 25 °C
单脉冲
BV
DSS
有限
1
10
1毫秒
10毫秒
100毫秒
10 s, 1 s
dc
0.01
0.1
100
V
DS -
漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结至外壳
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4
文档编号： 72032
S- 60422 -REV 。 B， 20 -MAR -06
Si3590DV
新产品
N沟道典型特征
25 ℃，除非另有说明
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
Vishay Siliconix公司
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 87 ° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
归瞬态热阻抗，结到脚
文档编号： 72032
S- 60422 -REV 。 B， 20 -MAR -06
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5
Si3590DV
新产品
Vishay Siliconix公司
N和P通道30 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
30
特点
r
DS （ ON）
(W)
I
D
(A)
3
2
-2
-1.2
0.077 @ V
GS
= 4.5 V
0.120 @ V
GS
= 2.5 V
0.170 @ V
GS
= -4.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
超低低R
DS （ ON）
N和P沟道高
效率
D
优化的高边/低边
D
尽量减少传导损耗
P沟道
-30
0.300 @ V
GS
= -2.5 V
应用
D
便携设备，包括PDA，蜂窝
电话和寻呼机
D
1
S
2
TSOP-6
顶视图
G1
1
6
D1
G
2
3 mm
S2
2
5
S1
G
1
G2
3
4
D2
2.85 mm
S
1
N沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
N沟道
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
I
D
I
DM
I
S
1.05
1.15
0.70
P沟道
10秒]
稳定状态
-30
"12
V
-1.7
-1.3
-8
A
-0.75
0.83
0.53
W
_C
符号
V
DS
V
GS
10秒]
稳定状态
30
"12
单位
3
2.3
8
2.5
2.0
-2
-1.6
0.75
0.83
0.53
-55到150
-1.05
1.15
0.70
工作结存储温度范围
热电阻额定值
N沟道
参数
t
v
10秒
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72032
S- 21979 -REV 。 A， 04- NOV- 02
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
P沟道
典型值
93
130
75
符号
典型值
93
130
75
最大
110
150
90
最大
110
150
90
单位
° C / W
C / W
1
Si3590DV
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
＆ QUOT ;
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= -24 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
= -24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
通态漏电流
a
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
I
D（上）
V
DS
p
-5 V, V
GS
= -4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3 A
漏源导通电阻
a
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -2 A
r
DS （ ON）
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 2 A
V
GS
= -2.5 V，I
D
= -1.2 A
正向跨导
a
V
DS
= 5 V，I
D
= 3 A
g
fs
V
DS
= -5 V，I
D
= -2 A
I
S
= 1.05 ，V
GS
= 0 V
V
SD
I
S
= -1.05 A，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
5
-5
0.062
0.135
0.095
0.235
10
5
0.80
-0.83
1.10
-1.10
V
S
0.077
0.170
0.120
0.300
W
A
0.6
-0.6
1.5
V
-1.5
"100
"100
1
-1
5
-5
mA
m
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
门体漏
I
GSS
二极管的正向电压
a
动态
b
N沟道
总栅极电荷
Q
g
N沟道
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2 A
栅极 - 源电荷
Q
gs
P沟道
V
DS
= -15 V, V
GS
= -4.5 V，I
D
= -2 A
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
导通延迟时间
t
D（上）
N沟道
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
P沟道
V
DD
= -15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
-1 A，V
根
= -10 V ，R
G
= 6
W
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
下降时间
源极 - 漏极
反向恢复时间
t
f
I
F
= 1.05 ，的di / dt = 100 A / MS
t
rr
I
F
= -1.05 A， di / dt的= 100 A / MS
P沟道
N沟道
P沟道
3
3.8
0.6
nC
0.6
1.0
1.5
5
5
12
15
13
20
7
20
15
18
8
8
23
23
23
30
12
30
25
30
ns
4.5
6
栅极 - 漏极电荷
Q
gd
上升时间
t
r
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
www.vishay.com
2
文档编号： 72032
S- 21979 -REV 。 A， 04- NOV- 02
Si3590DV
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
8
7
I
D
- 漏电流（ A）
6
5
4
3
2
1
1.5 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2V
V
GS
= 5通2.5 V
I
D
- 漏电流（ A）
8
7
6
5
4
3
T
C
= 125_C
2
1
25_C
-55
_C
Vishay Siliconix公司
N沟道
传输特性
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.5
450
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.4
- 电容（pF ）
360
C
国际空间站
270
0.3
0.2
V
GS
= 2.5 V
0.1
V
GS
= 4.5 V
0.0
0
2
4
6
8
10
180
90
C
RSS
0
6
C
OSS
0
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
6
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 2 A
1.8
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 3 A
4
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
2
3
4
5
5
1.6
1.4
3
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
1
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
文档编号： 72032
S- 21979 -REV 。 A， 04- NOV- 02
www.vishay.com
3
Si3590DV
Vishay Siliconix公司
新产品
N沟道
导通电阻与栅极至源极电压
0.25
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.20
I
D
= 3 A
0.15
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
1
0.10
T
J
= 25_C
0.05
0.1
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.00
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
I
D
= 250
mA
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
6
8
单脉冲功率，结到环境
-0.0
功率（W）的
4
-0.2
2
-0.4
-0.6
-50
0
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
T
J
- 温度（℃ ）
安全工作区，结至外壳
100
I
DM
有限
10
I
D
- 漏电流（ A）
r
DS （ ON）
有限
100
ms
1
I
D（上）
有限
0.1
T
C
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
1
10
1毫秒
10毫秒
100毫秒
10 s, 1 s
dc
0.01
0.1
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
4
文档编号： 72032
S- 21979 -REV 。 A， 04- NOV- 02
Si3590DV
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
Vishay Siliconix公司
N沟道
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 87 ° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
归瞬态热阻抗，结到脚
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72032
S- 21979 -REV 。 A， 04- NOV- 02
www.vishay.com
5
Si3590DV
新产品
Vishay Siliconix公司
N和P通道30 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
30
特点
r
DS （ ON）
(W)
I
D
(A)
3
2
-2
-1.2
0.077 @ V
GS
= 4.5 V
0.120 @ V
GS
= 2.5 V
0.170 @ V
GS
= -4.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
超低低R
DS （ ON）
N和P沟道高
效率
D
优化的高边/低边
D
尽量减少传导损耗
P沟道
-30
0.300 @ V
GS
= -2.5 V
应用
D
便携设备，包括PDA，蜂窝
电话和寻呼机
D
1
S
2
TSOP-6
顶视图
G1
1
6
D1
G
2
3 mm
S2
2
5
S1
G
1
G2
3
4
D2
2.85 mm
S
1
N沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
N沟道
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
I
D
I
DM
I
S
1.05
1.15
0.70
P沟道
10秒]
稳定状态
-30
"12
V
-1.7
-1.3
-8
A
-0.75
0.83
0.53
W
_C
符号
V
DS
V
GS
10秒]
稳定状态
30
"12
单位
3
2.3
8
2.5
2.0
-2
-1.6
0.75
0.83
0.53
-55到150
-1.05
1.15
0.70
工作结存储温度范围
热电阻额定值
N沟道
参数
t
v
10秒
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72032
S- 21979 -REV 。 A， 04- NOV- 02
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
P沟道
典型值
93
130
75
符号
典型值
93
130
75
最大
110
150
90
最大
110
150
90
单位
° C / W
C / W
1
Si3590DV
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
＆ QUOT ;
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= -24 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
= -24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
通态漏电流
a
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
I
D（上）
V
DS
p
-5 V, V
GS
= -4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3 A
漏源导通电阻
a
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -2 A
r
DS （ ON）
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 2 A
V
GS
= -2.5 V，I
D
= -1.2 A
正向跨导
a
V
DS
= 5 V，I
D
= 3 A
g
fs
V
DS
= -5 V，I
D
= -2 A
I
S
= 1.05 ，V
GS
= 0 V
V
SD
I
S
= -1.05 A，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
5
-5
0.062
0.135
0.095
0.235
10
5
0.80
-0.83
1.10
-1.10
V
S
0.077
0.170
0.120
0.300
W
A
0.6
-0.6
1.5
V
-1.5
"100
"100
1
-1
5
-5
mA
m
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
门体漏
I
GSS
二极管的正向电压
a
动态
b
N沟道
总栅极电荷
Q
g
N沟道
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2 A
栅极 - 源电荷
Q
gs
P沟道
V
DS
= -15 V, V
GS
= -4.5 V，I
D
= -2 A
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
导通延迟时间
t
D（上）
N沟道
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
P沟道
V
DD
= -15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
-1 A，V
根
= -10 V ，R
G
= 6
W
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
下降时间
源极 - 漏极
反向恢复时间
t
f
I
F
= 1.05 ，的di / dt = 100 A / MS
t
rr
I
F
= -1.05 A， di / dt的= 100 A / MS
P沟道
N沟道
P沟道
3
3.8
0.6
nC
0.6
1.0
1.5
5
5
12
15
13
20
7
20
15
18
8
8
23
23
23
30
12
30
25
30
ns
4.5
6
栅极 - 漏极电荷
Q
gd
上升时间
t
r
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
www.vishay.com
2
文档编号： 72032
S- 21979 -REV 。 A， 04- NOV- 02
Si3590DV
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
8
7
I
D
- 漏电流（ A）
6
5
4
3
2
1
1.5 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2V
V
GS
= 5通2.5 V
I
D
- 漏电流（ A）
8
7
6
5
4
3
T
C
= 125_C
2
1
25_C
-55
_C
Vishay Siliconix公司
N沟道
传输特性
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.5
450
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.4
- 电容（pF ）
360
C
国际空间站
270
0.3
0.2
V
GS
= 2.5 V
0.1
V
GS
= 4.5 V
0.0
0
2
4
6
8
10
180
90
C
RSS
0
6
C
OSS
0
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
6
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 2 A
1.8
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 3 A
4
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
2
3
4
5
5
1.6
1.4
3
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
1
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
文档编号： 72032
S- 21979 -REV 。 A， 04- NOV- 02
www.vishay.com
3
Si3590DV
Vishay Siliconix公司
新产品
N沟道
导通电阻与栅极至源极电压
0.25
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.20
I
D
= 3 A
0.15
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
1
0.10
T
J
= 25_C
0.05
0.1
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.00
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
I
D
= 250
mA
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
6
8
单脉冲功率，结到环境
-0.0
功率（W）的
4
-0.2
2
-0.4
-0.6
-50
0
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
T
J
- 温度（℃ ）
安全工作区，结至外壳
100
I
DM
有限
10
I
D
- 漏电流（ A）
r
DS （ ON）
有限
100
ms
1
I
D（上）
有限
0.1
T
C
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
1
10
1毫秒
10毫秒
100毫秒
10 s, 1 s
dc
0.01
0.1
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
4
文档编号： 72032
S- 21979 -REV 。 A， 04- NOV- 02
Si3590DV
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
Vishay Siliconix公司
N沟道
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 87 ° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
归瞬态热阻抗，结到脚
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72032
S- 21979 -REV 。 A， 04- NOV- 02
www.vishay.com
5
Si3590DV
Vishay Siliconix公司
N和P通道30 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
30
R
DS （ ON）
(Ω)
0.077在V
GS
= 4.5 V
0.120在V
GS
= 2.5 V
0.170在V
GS
= - 4.5 V
0.300在V
GS
= - 2.5 V
I
D
(A)
3
2
-2
- 1.2
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
超低低R
DS （ ON）
N和P沟道高
效率
优化的高边/低边
减少传导损耗
符合RoHS指令2002/95 / EC
P沟道
- 30
应用
便携设备，包括PDA，蜂窝电话和
寻呼机
TSOP-6
TOP V I EW
G1
1
6
D1
G
2
G
1
G2
3
4
D2
D
1
S
2
3 mm
S2
2
5
S1
2.85 mm
S
1
订货信息：
Si3590DV -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si3590DV -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
N沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
1.05
1.15
0.70
3
2.3
8
0.75
0.83
0.53
- 1.05
1.15
0.70
N沟道
10 s
稳定状态
30
± 12
2.5
2.0
-2
- 1.6
-8
- 0.75
0.83
0.53
W
°C
P沟道
10 s
稳定状态
- 30
± 12
- 1.7
- 1.3
A
单位
V
工作结存储温度范围
- 55 150
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
t
≤
10 s
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
N沟道
典型值。
马克斯。
93
130
75
110
150
90
P沟道
典型值。
马克斯。
93
130
75
110
150
90
° C / W
单位
文档编号： 72032
S09-1927 -REV 。 C， 28 09年9月
www.vishay.com
1
Si3590DV
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25℃ ，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
符号
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 12 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= - 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
= - 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
≤
- 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3 A
漏源导通电阻
a
R
DS （ ON）
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 2 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 2 A
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 1.2 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
P沟道
V
DS
= - 15 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 2 A
N沟道
N沟道
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2 A
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
N沟道
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
Ω
I
D
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
Ω
P沟道
V
DD
= - 15 V ，R
L
= 15
Ω
I
D
- 1 ，V
根
= - 10 V ，R
g
= 6
Ω
I
F
= 1.05 ，的di / dt = 100 A / μs的
I
F
= - 1.05 ，的di / dt = 100 A / μs的
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
3
3.8
0.6
0.6
1.0
1.5
5
5
12
15
13
20
7
20
15
18
8
8
23
23
23
30
12
30
25
30
ns
4.5
6
nC
g
fs
V
SD
V
DS
= 5 V，I
D
= 3 A
V
DS
= - 5 V，I
D
= - 2 A
I
S
= 1.05 ，V
GS
= 0 V
I
S
= - 1.05 ，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
5
-5
0.062
0.135
0.095
0.235
10
5
0.80
- 0.83
1.10
- 1.10
0.077
0.170
0.120
0.300
S
V
Ω
分钟。
0.6
- 0.6
典型值。
马克斯。
1.5
- 1.5
± 100
± 100
1
-1
5
-5
A
A
单位
V
GS （ TH）
I
GSS
V
nA
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
www.vishay.com
2
文档编号： 72032
S09-1927 -REV 。 C， 28 09年9月
Si3590DV
Vishay Siliconix公司
N沟道典型特征
8
7
I
D
- 漏电流（ A）
6
5
4
3
2
1
1.5 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
2V
V
GS
= 5 V通2.5 V
I
D
- 漏电流（ A）
25 ℃，除非另有说明
8
7
6
5
4
3
T
C
= 125 °C
2
1
25 °C
- 55 °C
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.5
450
传输特性
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.4
- 电容（pF ）
360
C
国际空间站
270
0.3
0.2
V
GS
= 2.5 V
0.1
V
GS
= 4.5 V
0.0
0
2
4
6
8
10
180
90
C
RSS
0
6
C
OSS
0
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
6
V
DS
= 15 V
I
D
= 2 A
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.8
电容
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
5
1.6
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 3 A
4
1.4
3
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
1
2
3
4
5
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
文档编号： 72032
S09-1927 -REV 。 C， 28 09年9月
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3
Si3590DV
Vishay Siliconix公司
N沟道典型特征
25 ℃，除非另有说明
10
0.25
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.20
I
D
= 3 A
0.15
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150 °C
1
0.10
T
J
= 25 °C
0.05
0.1
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.00
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
0.4
I
D
= 250 A
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
6
8
导通电阻与栅极至源极电压
0.0
功率（W）的
4
- 0.2
2
- 0.4
- 0.6
- 50
0
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
时间（s）
1
10
30
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
100
I
DM
有限
10
I
D
- 漏电流（ A）
单脉冲功率，结到环境
限于由R
DS （ ON）
*
100
s
1
I
D（上）
有限
0.1
T
C
= 25 °C
单脉冲
BV
DSS
有限
1
10
1毫秒
10毫秒
100毫秒
10 s, 1 s
DC
0.01
0.1
100
V
DS -
漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结至外壳
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4
文档编号： 72032
S09-1927 -REV 。 C， 28 09年9月
Si3590DV
Vishay Siliconix公司
N沟道典型特征
25 ℃，除非另有说明
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 87 ° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间（ S）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（ S）
1
10
归瞬态热阻抗，结到脚
文档编号： 72032
S09-1927 -REV 。 C， 28 09年9月
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5
Si3590DV
新产品
Vishay Siliconix公司
N和P通道30 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
30
r
DS （ ON）
(Ω)
0.077在V
GS
= 4.5 V
0.120在V
GS
= 2.5 V
0.170在V
GS
= - 4.5 V
0.300在V
GS
= - 2.5 V
I
D
(A)
3
2
-2
- 1.2
特点
TrenchFET
功率MOSFET
超低低R
DS （ ON）
N和P沟道
为高效率
优化的高边/低边
减少传导损耗
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
P沟道
- 30
应用
便携设备，包括PDA，蜂窝
电话和寻呼机
TSOP-6
顶视图
G1
1
6
D1
D
1
S
2
3 mm
S2
2
5
S1
G
2
G
1
G2
3
4
D2
2.85 mm
订货信息：
Si3590DV-T1
Si3590DV -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
S
1
N沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
1.05
1.15
0.70
3
2.3
8
0.75
0.83
0.53
- 1.05
1.15
0.70
- 55 150
N沟道
10秒
稳定状态
30
± 12
2.5
2.0
-2
- 1.6
-8
- 0.75
0.83
0.53
W
°C
P沟道
10秒
稳定状态
- 30
± 12
- 1.7
- 1.3
A
单位
V
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免。
文档编号： 72032
S- 60422 -REV 。 B， 20 -MAR -06
www.vishay.com
1
t
≤
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
N沟道
典型值
93
130
75
最大
110
150
90
93
130
75
P沟道
典型值
最大
110
150
90
° C / W
单位
Si3590DV
Vishay Siliconix公司
新产品
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 12 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= - 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
= - 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
≤
- 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 2 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 2 A
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 1.2 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
P沟道
V
DS
= - 15 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 2 A
N沟道
N沟道
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2 A
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
N沟道
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
Ω
I
D
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
Ω
P沟道
V
DD
= - 15 V ，R
L
= 15
Ω
I
D
- 1 ，V
根
= - 10 V ，R
G
= 6
Ω
I
F
= 1.05 ，的di / dt = 100 A / μs的
I
F
= - 1.05 ，的di / dt = 100 A / μs的
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
3
3.8
0.6
0.6
1.0
1.5
5
5
12
15
13
20
7
20
15
18
8
8
23
23
23
30
12
30
25
30
ns
4.5
6
nC
g
fs
V
SD
V
DS
= 5 V，I
D
= 3 A
V
DS
= - 5 V，I
D
= - 2 A
I
S
= 1.05 ，V
GS
= 0 V
I
S
= - 1.05 ，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
5
-5
0.062
0.135
0.095
0.235
10
5
0.80
- 0.83
1.10
- 1.10
0.077
0.170
0.120
0.300
S
V
Ω
0.6
- 0.6
1.5
- 1.5
± 100
± 100
1
-1
5
-5
A
A
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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2
文档编号： 72032
S- 60422 -REV 。 B， 20 -MAR -06
Si3590DV
新产品
N沟道典型特征
8
7
I
D
- 漏电流（ A）
6
5
4
3
2
1
1.5 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
2V
V
GS
= 5通2.5 V
I
D
- 漏电流（ A）
Vishay Siliconix公司
25 ℃，除非另有说明
8
7
6
5
4
3
T
C
= 125 °C
2
1
25 °C
- 55 °C
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.5
450
传输特性
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.4
- 电容（pF ）
360
C
国际空间站
270
0.3
0.2
V
GS
= 2.5 V
0.1
V
GS
= 4.5 V
0.0
0
2
4
6
8
10
180
90
C
RSS
0
6
C
OSS
0
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
6
V
DS
= 15 V
I
D
= 2 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.8
电容
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
5
1.6
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 3 A
4
1.4
3
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
1
2
3
4
5
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
文档编号： 72032
S- 60422 -REV 。 B， 20 -MAR -06
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3
Si3590DV
Vishay Siliconix公司
10
新产品
N沟道典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.25
0.20
R DS（ON ） - 导通电阻（ Ω ）
I
S
- 源电流（ A）
I
D
= 3 A
0.15
T
J
= 150 °C
1
0.10
T
J
= 25 °C
0.05
0.1
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.00
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
0.4
I
D
= 250 A
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
6
8
导通电阻与栅极至源极电压
0.0
功率（W）的
4
- 0.2
2
- 0.4
- 0.6
- 50
0
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
100
I
DM
有限
10
I
D
- 漏电流（ A）
r
DS （ ON）
有限
单脉冲功率，结到环境
100 s
1
I
D（上）
有限
0.1
T
C
= 25 °C
单脉冲
BV
DSS
有限
1
10
1毫秒
10毫秒
100毫秒
10 s, 1 s
dc
0.01
0.1
100
V
DS -
漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结至外壳
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4
文档编号： 72032
S- 60422 -REV 。 B， 20 -MAR -06
Si3590DV
新产品
N沟道典型特征
25 ℃，除非另有说明
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
Vishay Siliconix公司
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 87 ° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
归瞬态热阻抗，结到脚
文档编号： 72032
S- 60422 -REV 。 B， 20 -MAR -06
www.vishay.com
5
Si3590DV
新产品
Vishay Siliconix公司
N和P通道30 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
30
特点
r
DS （ ON）
(W)
I
D
(A)
3
2
-2
-1.2
0.077 @ V
GS
= 4.5 V
0.120 @ V
GS
= 2.5 V
0.170 @ V
GS
= -4.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
超低低R
DS （ ON）
N和P沟道高
效率
D
优化的高边/低边
D
尽量减少传导损耗
P沟道
-30
0.300 @ V
GS
= -2.5 V
应用
D
便携设备，包括PDA，蜂窝
电话和寻呼机
D
1
S
2
TSOP-6
顶视图
G1
1
6
D1
G
2
3 mm
S2
2
5
S1
G
1
G2
3
4
D2
2.85 mm
S
1
N沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
N沟道
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
I
D
I
DM
I
S
1.05
1.15
0.70
P沟道
10秒]
稳定状态
-30
"12
V
-1.7
-1.3
-8
A
-0.75
0.83
0.53
W
_C
符号
V
DS
V
GS
10秒]
稳定状态
30
"12
单位
3
2.3
8
2.5
2.0
-2
-1.6
0.75
0.83
0.53
-55到150
-1.05
1.15
0.70
工作结存储温度范围
热电阻额定值
N沟道
参数
t
v
10秒
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72032
S- 21979 -REV 。 A， 04- NOV- 02
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
P沟道
典型值
93
130
75
符号
典型值
93
130
75
最大
110
150
90
最大
110
150
90
单位
° C / W
C / W
1
Si3590DV
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
＆ QUOT ;
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= -24 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
= -24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
通态漏电流
a
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
I
D（上）
V
DS
p
-5 V, V
GS
= -4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3 A
漏源导通电阻
a
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -2 A
r
DS （ ON）
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 2 A
V
GS
= -2.5 V，I
D
= -1.2 A
正向跨导
a
V
DS
= 5 V，I
D
= 3 A
g
fs
V
DS
= -5 V，I
D
= -2 A
I
S
= 1.05 ，V
GS
= 0 V
V
SD
I
S
= -1.05 A，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
5
-5
0.062
0.135
0.095
0.235
10
5
0.80
-0.83
1.10
-1.10
V
S
0.077
0.170
0.120
0.300
W
A
0.6
-0.6
1.5
V
-1.5
"100
"100
1
-1
5
-5
mA
m
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
门体漏
I
GSS
二极管的正向电压
a
动态
b
N沟道
总栅极电荷
Q
g
N沟道
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2 A
栅极 - 源电荷
Q
gs
P沟道
V
DS
= -15 V, V
GS
= -4.5 V，I
D
= -2 A
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
导通延迟时间
t
D（上）
N沟道
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
P沟道
V
DD
= -15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
-1 A，V
根
= -10 V ，R
G
= 6
W
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
下降时间
源极 - 漏极
反向恢复时间
t
f
I
F
= 1.05 ，的di / dt = 100 A / MS
t
rr
I
F
= -1.05 A， di / dt的= 100 A / MS
P沟道
N沟道
P沟道
3
3.8
0.6
nC
0.6
1.0
1.5
5
5
12
15
13
20
7
20
15
18
8
8
23
23
23
30
12
30
25
30
ns
4.5
6
栅极 - 漏极电荷
Q
gd
上升时间
t
r
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
www.vishay.com
2
文档编号： 72032
S- 21979 -REV 。 A， 04- NOV- 02
Si3590DV
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
8
7
I
D
- 漏电流（ A）
6
5
4
3
2
1
1.5 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2V
V
GS
= 5通2.5 V
I
D
- 漏电流（ A）
8
7
6
5
4
3
T
C
= 125_C
2
1
25_C
-55
_C
Vishay Siliconix公司
N沟道
传输特性
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.5
450
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.4
- 电容（pF ）
360
C
国际空间站
270
0.3
0.2
V
GS
= 2.5 V
0.1
V
GS
= 4.5 V
0.0
0
2
4
6
8
10
180
90
C
RSS
0
6
C
OSS
0
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
6
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 2 A
1.8
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 3 A
4
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
2
3
4
5
5
1.6
1.4
3
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
1
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
文档编号： 72032
S- 21979 -REV 。 A， 04- NOV- 02
www.vishay.com
3
Si3590DV
Vishay Siliconix公司
新产品
N沟道
导通电阻与栅极至源极电压
0.25
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.20
I
D
= 3 A
0.15
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
1
0.10
T
J
= 25_C
0.05
0.1
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.00
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
I
D
= 250
mA
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
6
8
单脉冲功率，结到环境
-0.0
功率（W）的
4
-0.2
2
-0.4
-0.6
-50
0
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
T
J
- 温度（℃ ）
安全工作区，结至外壳
100
I
DM
有限
10
I
D
- 漏电流（ A）
r
DS （ ON）
有限
100
ms
1
I
D（上）
有限
0.1
T
C
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
1
10
1毫秒
10毫秒
100毫秒
10 s, 1 s
dc
0.01
0.1
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
4
文档编号： 72032
S- 21979 -REV 。 A， 04- NOV- 02
Si3590DV
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
Vishay Siliconix公司
N沟道
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 87 ° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
归瞬态热阻抗，结到脚
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72032
S- 21979 -REV 。 A， 04- NOV- 02
www.vishay.com
5
Si3590DV
新产品
Vishay Siliconix公司
N和P通道30 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
30
r
DS （ ON）
(Ω)
0.077在V
GS
= 4.5 V
0.120在V
GS
= 2.5 V
0.170在V
GS
= - 4.5 V
0.300在V
GS
= - 2.5 V
I
D
(A)
3
2
-2
- 1.2
特点
TrenchFET
功率MOSFET
超低低R
DS （ ON）
N和P沟道
为高效率
优化的高边/低边
减少传导损耗
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
P沟道
- 30
应用
便携设备，包括PDA，蜂窝
电话和寻呼机
TSOP-6
顶视图
G1
1
6
D1
D
1
S
2
3 mm
S2
2
5
S1
G
2
G
1
G2
3
4
D2
2.85 mm
订货信息：
Si3590DV-T1
Si3590DV -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
S
1
N沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
1.05
1.15
0.70
3
2.3
8
0.75
0.83
0.53
- 1.05
1.15
0.70
- 55 150
N沟道
10秒
稳定状态
30
± 12
2.5
2.0
-2
- 1.6
-8
- 0.75
0.83
0.53
W
°C
P沟道
10秒
稳定状态
- 30
± 12
- 1.7
- 1.3
A
单位
V
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免。
文档编号： 72032
S- 60422 -REV 。 B， 20 -MAR -06
www.vishay.com
1
t
≤
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
N沟道
典型值
93
130
75
最大
110
150
90
93
130
75
P沟道
典型值
最大
110
150
90
° C / W
单位
Si3590DV
Vishay Siliconix公司
新产品
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 12 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= - 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
= - 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
≤
- 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 2 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 2 A
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 1.2 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
P沟道
V
DS
= - 15 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 2 A
N沟道
N沟道
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2 A
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
N沟道
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
Ω
I
D
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
Ω
P沟道
V
DD
= - 15 V ，R
L
= 15
Ω
I
D
- 1 ，V
根
= - 10 V ，R
G
= 6
Ω
I
F
= 1.05 ，的di / dt = 100 A / μs的
I
F
= - 1.05 ，的di / dt = 100 A / μs的
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
3
3.8
0.6
0.6
1.0
1.5
5
5
12
15
13
20
7
20
15
18
8
8
23
23
23
30
12
30
25
30
ns
4.5
6
nC
g
fs
V
SD
V
DS
= 5 V，I
D
= 3 A
V
DS
= - 5 V，I
D
= - 2 A
I
S
= 1.05 ，V
GS
= 0 V
I
S
= - 1.05 ，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
5
-5
0.062
0.135
0.095
0.235
10
5
0.80
- 0.83
1.10
- 1.10
0.077
0.170
0.120
0.300
S
V
Ω
0.6
- 0.6
1.5
- 1.5
± 100
± 100
1
-1
5
-5
A
A
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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2
文档编号： 72032
S- 60422 -REV 。 B， 20 -MAR -06
Si3590DV
新产品
N沟道典型特征
8
7
I
D
- 漏电流（ A）
6
5
4
3
2
1
1.5 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
2V
V
GS
= 5通2.5 V
I
D
- 漏电流（ A）
Vishay Siliconix公司
25 ℃，除非另有说明
8
7
6
5
4
3
T
C
= 125 °C
2
1
25 °C
- 55 °C
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.5
450
传输特性
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.4
- 电容（pF ）
360
C
国际空间站
270
0.3
0.2
V
GS
= 2.5 V
0.1
V
GS
= 4.5 V
0.0
0
2
4
6
8
10
180
90
C
RSS
0
6
C
OSS
0
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
6
V
DS
= 15 V
I
D
= 2 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.8
电容
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
5
1.6
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 3 A
4
1.4
3
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
1
2
3
4
5
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
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Si3590DV
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新产品
N沟道典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.25
0.20
R DS（ON ） - 导通电阻（ Ω ）
I
S
- 源电流（ A）
I
D
= 3 A
0.15
T
J
= 150 °C
1
0.10
T
J
= 25 °C
0.05
0.1
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.00
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
0.4
I
D
= 250 A
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
6
8
导通电阻与栅极至源极电压
0.0
功率（W）的
4
- 0.2
2
- 0.4
- 0.6
- 50
0
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
100
I
DM
有限
10
I
D
- 漏电流（ A）
r
DS （ ON）
有限
单脉冲功率，结到环境
100 s
1
I
D（上）
有限
0.1
T
C
= 25 °C
单脉冲
BV
DSS
有限
1
10
1毫秒
10毫秒
100毫秒
10 s, 1 s
dc
0.01
0.1
100
V
DS -
漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结至外壳
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S- 60422 -REV 。 B， 20 -MAR -06
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新产品
N沟道典型特征
25 ℃，除非另有说明
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
Vishay Siliconix公司
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 87 ° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
归瞬态热阻抗，结到脚
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