Si2333DDS
Vishay Siliconix公司
P沟道12 V （D -S ）的MOSFET
特点
MOSFET产品概要
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
（ Ω ）最大。
0.028在V
GS
= - 4.5 V
0.032在V
GS
= - 3.7 V
- 12
0.040在V
GS
= - 2.5 V
0.063在V
GS
= - 1.8 V
0.150在V
GS
= - 1.5 V
I
D
(A)
a
- 6
e
- 6
e
- 6
e
- 4.5
- 3.6
9 NC
Q
g
（典型值）。
TrenchFET
功率MOSFET
100 % R
g
经过测试
材料分类：
对于合规的定义，请参见
www.vishay.com/doc?99912
应用
智能手机和平板电脑
- 负荷开关
- 电池开关
TO-236
(SOT-23)
G
1
3
D
S
2
顶部
意见
Si2333DDS （ O4 ） *
*标识代码
订货信息：
Si2333DDS -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
极限
- 12
±8
- 6
e
- 5.2
- 5
B，C
- 4
B，C
- 20
- 1.4
- 0.63
B，C
1.7
1.1
1.20
B，C
0.6
B，C
- 55 150
A
单位
V
漏电流脉冲（ T = 300微秒）
连续源极 - 漏极二极管电流
最大功率耗散
P
D
T
J
, T
英镑
W
工作结存储温度范围
°C
热电阻额定值
参数
5
s
最大结点到环境
B，D
稳定状态
最大结到脚（漏极）
注意事项：
一。基于T
C
= 25 °C.
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 T = 5秒。
。在稳态条件下最大为175 ° C / W 。
。包装有限。
文档编号： 63861
S12-0801 -REV 。 A， 16 -APR- 12
符号
R
thJA
R
thJF
典型
100
60
最大
130
75
单位
° C / W
如需技术支持，请联系：
pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
1
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本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
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Si2333DDS
Vishay Siliconix公司
MOSFET规格
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
DS
V
DS
/T
J
V
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= 0 V，I
D
= - 250 A
I
D
= - 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 8 V
V
DS
= - 12 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 12 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
-
5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 5 A
V
GS
= - 3.7 V，I
D
= - 4.6 A
漏源导通电阻
a
R
DS （ ON）
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 4.3 A
V
GS
= - 1.8 V，I
D
= - 1 A
V
GS
= - 1.5 V，I
D
= - 0.5 A
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= - 4 A的di / dt = 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
I
S
= - 4 A
- 0.8
24
8
9
15
T
C
= 25 °C
- 1.4
- 20
- 1.2
48
16
A
V
ns
nC
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= - 6 V ，R
L
= 6
I
D
= - 4 A，V
根
= - 4.5 V ，R
G
= 1
F = 1 MHz的
1.9
V
DS
= - 6 V, V
GS
= - 8 V，I
D
= - 5 A
V
DS
= - 6 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 5 A
V
DS
= - 6 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
1275
255
236
23
14
2.3
3.6
9.5
26
24
45
20
19
40
40
70
35
ns
35
21
nC
pF
g
fs
V
DS
= - 5 V，I
D
= - 5 A
- 20
0.023
0.026
0.033
0.048
0.075
18
0.028
0.032
0.040
0.063
0.150
S
- 0.4
- 12
-8
2.4
-1
± 100
-1
- 10
V
毫伏/°C的
V
nA
A
A
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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2
如需技术支持，请联系：
pmostechsupport@vishay.com
文档编号： 63861
S12-0801 -REV 。 A， 16 -APR- 12
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典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
20
V
GS
= 5 V通2.5 V
I
D
- 漏电流（ A）
15
I
D
- 漏电流（ A）
V
GS
3
T
C
= 25
°C
2
5
4
10
5
V
GS
= 1.5 V
1
T
C
= 125
°C
T
C
= - 55
°C
0
0.5
1
1.5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
2
0
0
0.5
1
1.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
2
0
输出特性
传输特性
0.15
V
GS
= 1.5 V
0.12
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
- 电容（pF ）
V
GS
= 1.8 V
0.09
2000
1500
C
国际空间站
1000
0.06
V
GS
= 2.5 V
0.03
V
GS
= 3.7 V
V
GS
= 4.5 V
0.00
0
5
10
I
D
- 漏电流（ A）
15
20
500
C
OSS
C
RSS
0
0
3
6
9
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
12
导通电阻与漏电流和栅极电压
电容
8
I
D
= 5 A
R
DS （ ON）
- 导通电阻（标准化）
1.5
I
D
= 5 A
1.3
V
GS
= 4.5 V
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
6
V
DS
= 6 V
4
V
DS
= 3 V
1.1
V
DS
= 9.6 V
2
0.9
V
GS
= 2.5 V
0
0
5
10
15
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
20
0.7
- 50
- 25
0
25
50
75
100
T
J
- 结温（ ° C）
125
150
栅极电荷
导通电阻与结温
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典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
10
0.07
I
D
= 5 A
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150
°C
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.055
1
T
J
= 25
°C
0.04
T
J
= 125
°C
0.025
T
J
= 25
°C
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
1.2
0.01
1
2
3
4
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
5
源极 - 漏极二极管正向电压
0.9
导通电阻与栅极至源极电压
30
0.75
20
I
D
= 250 μA
0.6
功率（W）的
10
0
0.001
V
GS （ TH）
(V)
0.45
0.3
- 50
- 25
0
25
50
75
T
J
- 温度（℃ ）
100
125
150
0.01
0.1
时间（s）
1
10
100
阈值电压
100
限于由R
DS （ ON）
*
10
I
D
- 漏电流（ A）
100 μs
1毫秒
1
10毫秒
100毫秒
1s
10 s
DC
T
C
= 25
°C
单脉冲
0.01
0.1
BVDSS有限公司
单脉冲功率
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区
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典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
8
6
I
D
- 漏电流（ A）
4
2
0
0
25
50
75
100
T
C
- 外壳温度（ ° C）
125
150
电流降额*
2
0.9
0.72
1.5
0.54
功率（W）的
1
功率（W）的
0
25
50
75
100
125
150
0.36
0.5
0.18
0
0
0
25
T
C
- 外壳温度（ ° C）
50
75
100
125
T
A
- 环境温度（ ° C）
150
动力方面，结至外壳
动力方面，结到环境
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级下降的包下面
极限。
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