Si1330EDL
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道60 -V （D -S ）的MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
2.5 @ V
GS
= 10 V
60
3 @ V
GS
= 4.5 V
8 @ V
GS
= 3 V
I
D
(A)
0.25
0.23
0.05
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
ESD保护： 2000 V
应用
D
P沟道驱动器
笔记本电脑
服务器
SOT-323
SC- 70 （ 3 -信息）
G
1
标识代码
YY
3
D
KD
XX
G
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
顶视图
订购信息： Si1330EDL -T1
D
S
2
S
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续二极管电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
60
稳定状态
单位
V
"20
0.25
0.2
1.0
0.26
0.31
0.20
55
150
0.23
0.28
0.18
0.24
0.19
A
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
355
380
285
最大
400
450
340
单位
° C / W
C / W
文档编号： 72861
S- 40853 -REV 。 A， 03日， 04
www.vishay.com
1
Si1330EDL
Vishay Siliconix公司
新产品
特定网络阳离子
a
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 10
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"10
V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
GS
= 10 V, V
DS
= 7.5 V
通态漏电流
b
I
D（上）
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 10 V
V
GS
= 3 V, V
DS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.25 A
漏源导通电阻
b
前锋
跨
b
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 0.2 A
V
GS
= 3 V，I
D
= 0.025 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 0.25 A
I
S
= 0.23 ，V
GS
= 0 V
二极管的正向电压
0.5
0.4
0.05
1.0
1.4
3.0
350
0.83
1.2
2.5
3
8
mS
V
W
A
60
1
2.0
2.5
"1
1
10
m
mA
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
开启
启动时间
打开-O FF时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 30 V ，R
L
= 150
W
I
D
^
0.2 A V
根
= 10V
0 2 A,
R
g
= 10
W
0.4
V
DS
= 10 V V
GS
= 4.5 V
V,
45
I
D
^
0.25 A
0.11
0.15
173
3.8
4.8
12.8
9.6
10
15
20
15
ns
W
0.6
nC
笔记
一。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
1.0
V
GS
= 10, 7 V
0.8
I D
漏电流（ A）
6V
5V
I D
漏电流（ A）
0.8
1.0
T
J
=
55_C
25_C
传输特性
0.6
0.6
125_C
0.4
0.4
4V
0.2
3V
0.0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
0.2
0
0
1
2
3
4
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72861
S- 40853 -REV 。 A， 03日， 04
2
Si1330EDL
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
4.0
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
3.5
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.0
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
7
6
5
4
3
2
1
0
0.0
V
DS
= 10 V
I
D
= 250毫安
Vishay Siliconix公司
栅极电荷
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
I
D
漏极电流（mA ）
Q
g
总栅极电荷（ NC）
2.0
导通电阻与结温
1000
V
GS
= 10 V @ 250毫安
源极 - 漏极二极管正向电压
V
GS
= 0 V
1.6
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
I
S
源电流（ A）
100
T
J
= 125_C
1.2
V
GS
= 4.5 V
@ 200毫安
0.8
10
T
J
= 25_C
T
J
=
55_C
0.4
0.0
50
1
25
0
25
50
75
100
125
150
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T
J
结温（ ° C）
V
SD
源极到漏极电压（V ）
导通电阻与栅源电压
5
0.4
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
阈值电压变化过温
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
4
I
D
= 250
mA
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
50
3
2
I
D
= 200毫安
1
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72861
S- 40853 -REV 。 A， 03日， 04
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
温度（℃）
www.vishay.com
3
Si1330EDL
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
单脉冲功率
5
10
安全工作区
I
DM
有限
4
I
D
漏电流（ A）
r
DS （ ON）
有限
1
功率（W）的
3
T
A
= 25_C
2
1毫秒
0.1
I
D（上）
有限
0.01
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
10毫秒
100毫秒
1s
DC ， 10秒
1
0
10
2
0.001
10
1
1
时间（秒）
10
100
600
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 380_C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
4
文档编号： 72861
S- 40853 -REV 。 A， 03日， 04
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日前，Vishay
放弃
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产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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