NUP2301MW6T1G,
SZNUP2301MW6T1G
低电容二极管
阵列的ESD保护
两条数据线
NUP2301MW6T1G是一种微型集成器件设计成
从可能产生的有害敏感元件提供保护
电气瞬态;例如， ESD（静电放电） 。
特点
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低电容（ 2.0 PF之间，我最大/ O线）
单封装集成设计
提供ESD保护JEDEC JESD22标准
SC88
CASE 419B
23风格
机型号= C类
人体模型= 3B类
保护IEC61000-4-2 （ 4级）
8.0千伏（联系）
15千伏（空气）
确保数据的线速度和完整性
更少的元件和电路板空间更少
直接瞬态无论是正面还是侧面向地面
SZ前缀为汽车和独特需要其他应用程序
站点和控制变化的要求; AEC - Q101标准和
PPAP有能力
这是一个Pb - Free设备*
T1 / E1二级保护IC
T3 / E3二级保护IC
HDSL ， IDSL二级保护IC
视频线路保护
微控制器输入保护
基站
I
2
C总线保护
引脚配置
和原理图
V
N
I / O
1
2
6
5
N / C
I / O
V
P
3
4
N / C
标记图
6
68 M
1
68 =具体设备守则
M =日期代码
应用
订购信息
设备
NUP2301MW6T1G
SZNUP2301MW6T1G
包
SC88
（无铅）
SC88
（无铅）
航运
3,000 /
磁带&卷轴
3,000 /
磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年2月
启5
1
出版订单号：
NUP2301MW6T1/D
NUP2301MW6T1G ， SZNUP2301MW6T1G
最大额定值
（每个二极管） （T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
反向电压
正向电流
峰值正向浪涌电流
反向重复峰值电压
平均正向电流整流（注1 ） （平均超过任何20 ms周期）
重复峰值正向电流
非重复性峰值正向电流
t = 1.0
ms
T = 1.0毫秒
T = 1.0秒
符号
V
R
I
F
I
FM （浪涌）
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FRM
I
FSM
价值
70
200
500
70
715
450
2.0
1.0
0.5
单位
VDC
MADC
MADC
V
mA
mA
A
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1， FR - 5 = 1.0
0.75
0.062英寸
热特性
特征
热阻结到环境
无铅焊锡温度
最大10秒的持续时间
结温
储存温度
符号
R
qJA
T
L
T
J
T
英镑
最大
625
260
55
+150
55
+150
单位
° C / W
C
C
C
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明） （每个二极管）
特征
开关特性
反向击穿电压
(I
（ BR ）
= 100
毫安）
反向电压漏电流
(V
R
= 70 V直流）
(V
R
= 25伏直流，T
J
= 150C)
(V
R
= 70伏直流，T
J
= 150C)
电容（ I / O引脚之间）
(V
R
= 0 V ， F = 1.0兆赫）
电容（之间的I / O引脚和接地）
(V
R
= 0 V ， F = 1.0兆赫）
正向电压
(I
F
= 1.0 MADC ）
(I
F
= 10 MADC ）
(I
F
= 50 MADC ）
(I
F
= 150 MADC ）
2， FR - 5 = 1.0
0.75
0.062英寸
3.氧化铝= 0.4
0.3
0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
4.包括SZ-前缀的设备适用。
V
（ BR ）
I
R
70
1.0
1.6
2.5
30
50
2.0
3
715
855
1000
1250
VDC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
C
D
C
D
V
F
pF
pF
mV
dc
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2
NUP2301MW6T1G ， SZNUP2301MW6T1G
100
I
F
，正向电流（mA ）
T
A
= 85C
10
T
A
= - 40C
1.0
T
A
= 25C
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
F
，正向电压（ V）
1.2
图1.正向电压
10
T
A
= 150C
I
R
，反向电流（毫安）
1.0
T
A
= 125C
T
A
= 85C
0.1
T
A
= 55C
0.01
T
A
= 25C
0.001
0
10
20
30
40
V
R
，反向电压（V）的
50
图2.漏电流
1.75
C
D
，二极管电容（PF ）
1.5
1.25
1.0
0.75
0
2
4
6
8
V
R
，反向电压（V）的
图3.电容
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3
NUP2301MW6T1G ， SZNUP2301MW6T1G
包装尺寸
SC88/SC706/SOT363
CASE 419B -02
ISSUE W
e
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 419B -01已过时，新标准419B -02 。
D
6
5
4
H
E
1
2
3
E
b
6 PL
0.2 (0.008)
M
E
M
A3
C
A
暗淡
A
A1
A3
b
C
D
E
e
L
H
E
MILLIMETERS
民
喃最大
0.80
0.95
1.10
0.00
0.05
0.10
0.20 REF
0.10
0.21
0.30
0.10
0.14
0.25
1.80
2.00
2.20
1.15
1.25
1.35
0.65 BSC
0.10
0.20
0.30
2.00
2.10
2.20
英寸
喃最大
0.037 0.043
0.002 0.004
0.008 REF
0.004 0.008 0.012
0.004 0.005 0.010
0.070 0.078 0.086
0.045 0.049 0.053
0.026 BSC
0.004 0.008 0.012
0.078 0.082 0.086
民
0.031
0.000
A1
L
风格23 ：
PIN 1 Vn的
2. CH1
3.副总裁
4， N / C
5. CH2
6， N / C
焊接足迹*
0.50
0.0197
0.65
0.025
0.65
0.025
0.40
0.0157
1.9
0.0748
尺度20:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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和
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