MMBZxxxALT1G系列， SZMMBZxxxALT1G系列
最大额定值
等级
峰值功耗@ 1.0毫秒（注1 ）
@ T
L
25C
MMBZ5V6ALT1G通MMBZ9V1ALT1G
MMBZ12VALT1G通MMBZ33VALT1G
符号
P
pk
P
D
价值
24
40
225
1.8
556
300
2.4
417
55 150
260
单位
W
总功耗的FR- 5委员会（注2 ）
@ T
A
= 25C
减免上述25℃
热阻结到环境
在氧化铝基板总功率耗散（注3 ）
@ T
A
= 25C
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度范围
无铅焊锡温度
最大（ 10秒持续时间）
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°毫瓦
毫瓦/°C的
° C / W
C
C
R
qJA
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
T
L
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
按照图6 1.非重复性电流脉冲，并减免上述牛逼
A
= 25C按照图7 。
2， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸
3.氧化铝= 0.4 X 0.3 X 0.024中，99.5％的氧化铝。
*其他电压可根据要求提供。
订购信息
设备
MMBZ5V6ALT1G
SZMMBZ5V6ALT1G
MMBZ5V6ALT3G
MMBZ6VxALT1G
SZMMBZ6VxALT1G
MMBZ6VxALT3G
MMBZ9V1ALT1G
MMBZ9V1ALT13G
MMBZxxVALT1G
SZMMBZxxVALT1G
MMBZxxVALT3G
SZMMBZxxVALT3G
包
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
MMBZxxxALT1G系列， SZMMBZxxxALT1G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
单向
（电路连接到引脚1和3或2和3）
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
QV
BR
I
F
V
F
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
V的最大温度系数
BR
正向电流
正向电压@ I
F
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
I
PP
V
C
V
BR
V
RWM
V
I
F
I
I
R
V
F
I
T
单向TVS
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
单向
（电路连接到引脚1和3或引脚2和3 ）
(V
F
= 0.9 V最大@我
F
= 10 mA）的
24 WATTS
击穿电压
V
RWM
伏
3.0
3.0
4.5
6.0
I
R
@
V
RWM
mA
5.0
0.5
0.5
0.3
V
BR
（注4 ）
(V)
民
5.32
5.89
6.46
8.65
喃
5.6
6.2
6.8
9.1
最大
5.88
6.51
7.14
9.56
@ I
T
mA
20
1.0
1.0
1.0
最大齐纳
阻抗
（注5 ）
Z
ZT
@ I
ZT
W
11
Z
ZK
@ I
ZK
W
1600
mA
0.25
V
C
@ I
PP
（注6 ）
V
C
V
8.0
8.7
9.6
14
I
PP
A
3.0
2.76
2.5
1.7
QV
BR
mV/5C
1.26
2.80
3.4
7.5
设备*
MMBZ5V6ALT1G/T3G
MMBZ6V2ALT1G
MMBZ6V8ALT1G
MMBZ9V1ALT1G
设备
记号
5A6
6A2
6A8
9A1
(V
F
= 0.9 V最大@我
F
= 10 mA）的
V
RWM
伏
8.5
12
14.5
17
22
26
I
R
@
V
RWM
nA
200
50
50
50
50
50
40瓦
击穿电压
V
BR
（注4 ）
(V)
民
11.40
14.25
17.10
19.00
25.65
31.35
喃
12
15
18
20
27
33
最大
12.60
15.75
18.90
21.00
28.35
34.65
@ I
T
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
V
C
@ I
PP
（注6 ）
V
C
V
17
21
25
28
40
46
I
PP
A
2.35
1.9
1.6
1.4
1.0
0.87
QV
BR
mV/5C
7.5
12.3
15.3
17.2
24.3
30.4
设备*
MMBZ12VALT1G
MMBZ15VALT1G
MMBZ18VALT1G
MMBZ20VALT1G
MMBZ27VALT1G/T3G
MMBZ33VALT1G
设备
记号
12A
15A
18A
20A
27A
33A
4. V
BR
在脉冲测试电流I测量
T
在25 ℃的环境温度下进行。
5. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。在规定的限度是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
，与AC频率= 1.0千赫。
6.浪涌电流波形每图6和图元减免7
*适用包括SZ-前缀的设备。
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3
MMBZxxxALT1G系列， SZMMBZxxxALT1G系列
典型特征
18
击穿电压（伏）
(V
BR
@ I
T
)
15
12
9
6
3
0
40
0.1
0.01
40
1000
100
10
I
R
（ nA的）
1
0
+ 50
+ 100
温度（℃）
+ 150
+ 85
+ 25
温度（℃）
+ 125
图1.典型击穿电压
与温度的关系
（上面的曲线为每个电压为双向模式，
下面的曲线是单向的模式）
320
280
C，电容（pF ）
240
200
160
120
80
40
0
0
1
BIAS （ V）
2
3
5.6 V
C，电容（pF ）
60
50
40
30
20
10
0
图2.典型漏电流
与温度的关系
27 V
15 V
33 V
0
1
BIAS （ V）
2
3
图3.典型电容与偏置电压
（上面的曲线为每个电压为单向模式，
下面的曲线是双向模式）
300
P
D
，功耗（毫瓦）
250
200
150
100
50
0
图4.典型电容与偏置电压
（上面的曲线为每个电压为单向模式，
下面的曲线是双向模式）
氧化铝基板
FR- 5局
0
25
50
75
100
125
温度（℃）
150
175
图5.稳态功率降额曲线
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4
MMBZxxxALT1G系列， SZMMBZxxxALT1G系列
典型特征
t
r
10
ms
100
值（％）
脉冲宽度（T
P
）是德网络定义
因为这地步
峰值电流衰减到
我50 ％
PP
.
峰值脉冲降容％峰值
功率或电流@ T
A
= 25C
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150 175
T
A
，环境温度（ ° C）
200
峰值
I
PP
半值
50
t
P
0
I
PP
2
0
1
2
3
吨，时间（ ms）的
4
图6.脉冲波形
100
P
pk
，峰值浪涌功率（ W）
矩形
波形，T
A
= 25C
双向
图7.脉冲降额曲线
100
P
pk
，峰值浪涌功率（ W）
矩形
波形，T
A
= 25C
双向
10
单向
10
单向
1
0.1
1
10
100
1000
1
0.1
1
10
100
1000
PW ，脉冲宽度（毫秒）
PW ，脉冲宽度（毫秒）
图8.最大不重复浪涌
动力方面， P
pk
与PW
电源被定义为V
RSM
X我
Z
（峰），其中V
RSM
is
钳位电压在我
Z
（ PK） 。
图9.最大非重复浪涌
动力方面， P
pk
（ NOM ）与PW
电源被定义为V
Z
（ NOM ） ×1
Z
（峰），其中
V
Z
（ NOM）是在测得的额定齐纳电压
用于电压等级低测试电流。
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5
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