初步
产品说明
Sirenza的Microdevices的SZA - 5044是一款高效率等级
AB异质结双极晶体管（ HBT ）放大器
容纳在一个低成本表面安装塑料封装。
这HBT放大器的GaAs器件与制作的InGaP
技术与制造用MOCVD一个理想的COM
bination低成本和高可靠性的。
此产品是专为一个最终阶段
802.11设备在4.9 - 5.9 GHz频段的5V电源
层。优化的片上阻抗匹配电路亲
志愿组织一个50Ω的标称RF输入阻抗。单一
外部输出匹配电路覆盖整个4.9-
5.9GHz频段同时进行。外部输出匹配
允许负载线优化为其他应用程序或
优化的性能，在较窄的频带。
SZA-5044
4.9 - 5.9 GHz的5V电源功放
采用4mm x 4mm QFN封装
产品特点
802.11 54MB / s的AB类的性能
噘嘴= 21.5dBm @ 3 ％的EVM ， 5V ， 310毫安
高增益= 28分贝
输出回波损耗< -11dB线性调
片上输出功率检测器
的P1dB为29dBm = 5V @
同时4.9- 5.9GHz性能
坚固耐用 - 躲过RF输入功率= + 15dBm的
上电/掉电控制<为1μs ， VPC 2.9V至5V
功能框图
VCC
POW ER
上/陶
控制
ACTIV ê
BIAS
ACTIV ê
BIAS
ACTIV ê
BIAS
RFIN
RFOUT
应用
POW ER探测器
VOUT
关键的特定连接的阳离子
符号
f
O
P
1dB
S
21
噘
NF
IRL
ORL
VDET范围
ICQ
I
VPC
R
次，J -升
参数：测试条件，应用电路第4页
Z
0
= 50, V
CC
= 5.0V ，ICQ = 220毫安，T
BP
= 25C
操作的频率
在1dB压缩输出功率 - 5.15 GHz的
在1dB压缩输出功率 - 5.875 GHz的
增益5.15 GHz的
增益5.875 GHz的
802.11 WLAN ， OFDM
5.8GHz的ISM频段
固定无线， UNII ， 802.16的WiMAX
单位
兆赫
DBM
dB
DBM
dB
dB
V
mA
mA
摄氏度/ W
185
10
7
分钟。
4900
28.0
26.5
27.2
24.4
29.5
28.0
29.2
26.4
22
21
6.3
15
11
0.8 1.9
220
1.7
24
255
31.2
28.4
典型值。
马克斯。
5900
输出功率在3％ EVM的802.11a 54MB /秒 - 5.15GHz
输出功率在3％ EVM的802.11a 54MB /秒 - 5.875GHz
噪声系数为5.875 GHz的
最坏情况下的输入回波损耗5.15-5.875GHz
最坏的情况下输出回波损耗5.15-5.875GHz
输出电压范围为噘= 10dBm的到26dBm的
VCC静态电流
上电控制电流， VPC = 5V （我
VPC1
+ I
VPC2
+ I
VPC3
)
热阻（结 - 铅）
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担错误或ommisions不承担任何责任。
Sirenza的Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格若有变更，恕不
通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices的产品
在生命支持设备和/或系统。
版权所有2002年Sirenza的Microdevices公司，公司全球版权所有。
303南方科技法庭布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
http://www.sirenza.com
EDS - 103585 C版本
初步
SZA - 5044 4.9-5.9 GHz的功率放大器
引脚输出说明
针＃
1,3,5,9,
11,15,17
6
功能
N / C
描述
引脚未使用。可以接地，开路，或连接到相邻的针。
VPC1是偏置控制引脚为第1阶段的有源偏置电路，并且可以从2.9V运行到5V的控制。一个外部
最终串联电阻需要根据控制电压偏置电平进行合适的设置。参阅被求
ATION板原理图的电阻值。为了防止潜在的损害，不施加电压此引脚是
比施加到引脚20（ V偏压）的电压，除非VPC + 1V更大的电流供给能力小于10毫安。
VPC2是偏置控制引脚为阶段2有源偏置电路，并且可以从2.9V运行到5V的控制。一个外部
最终串联电阻需要根据控制电压偏置电平进行合适的设置。参阅被求
ATION板原理图的电阻值。为了防止潜在的损害，不施加电压此引脚是
比施加到引脚20（ V偏压）的电压，除非VPC + 1V更大的电流供给能力小于10毫安。
VPC3是偏置控制端子的第3阶段的有源偏置电路，并且可以从2.9V运行到5V的控制。一个外部
最终串联电阻需要根据控制电压偏置电平进行合适的设置。参阅被求
ATION板原理图的电阻值。为了防止潜在的损害，不施加电压此引脚是
比施加到引脚20（ V偏压）的电压，除非VPC + 1V更大的电流供给能力小于10毫安。
输出继电器功率检测电压。负载10K -100K欧姆到地获得最佳性能。
射频输入引脚。这是直流接地，在IC内部。不要施加电压到该引脚。所有这三个引脚必须
用于正常工作。
RF输出引脚。这也是另一个连接到第三级集电极
第三阶段集电极偏置引脚。适用于5V至该引脚。
第二阶段集电极偏置引脚。适用于5V至该引脚。
第一阶段集电极偏置引脚。适用于5V至该引脚。
有源偏置网络VCC 。适用于5V至该引脚。
需要在封装的底面露出区域被焊接到电路板上的接地平面
最佳的热和RF性能。多个通孔，应位于所述EPAD下所示的消遣
ommended焊盘布局（第5页） 。
VPC1
7
VPC2
8
10
2,4
12,13,14
16
18
19
20
EPAD
VPC3
VDET
RFIN
RFOUT
VC3
VC2
VC1
VBIAS
GND
简化的设备示意图
针
6
针
20
针
19
针
7
针
18
针
8
针
16
绝对最大额定值
参数
VC3集电极偏置电流（引脚16 ）
VC2集电极偏置电流（ pin18 ）
VC1集电极偏置电流（引脚19 ）
装置的电压（V
D
)
价值
500
225
75
7.0
3.4
-40至+85
15
2
-40到+150
+150
>1000
单位
mA
mA
mA
V
W
C
DBM
DBM
C
C
V
第1阶段
BIAS
第2阶段
BIAS
第三阶段
BIAS
引脚12,13,14
功耗
操作焊接温度（T
L
)
RF输入功率为50欧姆RF输出负载
RF输入功率为10 ： 1 VSWR RF输出
负载
存储温度范围
工作结温（T
J
)
ESD人体模型
引脚2,4
EPAD
EPAD
针
10
EPAD
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
该
J-升
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2
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SZA - 5044 4.9-5.9 GHz的功率放大器
4.9 - 5.9 GHz的评估板数据（V
BIAS
= 5.0V ，我
q
= 220毫安）
S11 - 输入回波损耗
0
-5
-10
S11(dB)
-15
-20
-25
-30
-35
1
2
3
4
频率（千兆赫）
T=-40C
T=25C
T=85C
5
6
7
S21(dB)
35
30
25
20
15
10
5
0
1
2
S21 - 增益
3
4
频率（千兆赫）
5
6
7
T=-40C
T=25C
T=85C
S22 - 输出回波损耗
0
-5
增益（ dB）的
31
30
29
28
27
26
25
24
12
14
16
增益VS噘， T = 25℃
-10
S22(dB)
-15
-20
-25
-30
1
2
3
4
频率（千兆赫）
T=-40C
T=25C
T=85C
5
6
7
18
20
22
24
26
28
30
的Pout （ dBm的）
F=4.9
F=5.15
F=5.35
F=5.725
F=5.875
IDC VS噘，T = 25℃
0.7
0.6
IDC （ A）
IDC （ A）
0.4
0.3
智商（直流偏置点）与V供电（V +和VPC ）
0.5
0.4
0.3
0.2
13
15
17
19
21
23
25
27
29
的Pout （ dBm的）
F=4.9
F=5.15
F=5.35
F=5.725
F=5.875
0.2
0.1
0
2.8 3.0 3.2 3.4 3.6 3.8 4.0 4.2 4.4 4.6 4.8 5.0 5.2 5.4 5.6
V供电（ V）
T=-40C
T=25C
T=85C
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SZA - 5044 4.9-5.9 GHz的功率放大器
4.9 - 5.9 GHz的评估板数据（V
BIAS
= 5.0V ，我
q
= 220毫安）
802.11a的EVM ，OFDM， 54MB /秒， 64QAM
EVM VS噘， T = 25℃
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
8
10
12
14
16
的Pout （ dBm的）
F=4.9
F=5.15
F=5.35
F=5.725
F=5.875
18
20
22
24
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
8
10
EVM VS噘， F =的4.9GHz
EVM （％）
EVM （％）
12
14
16
的Pout （ dBm的）
18
20
22
24
T=-40C
T=25C
T=85C
EVM VS噘， F = 5.15GHz
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
8
10
12
14
16
的Pout （ dBm的）
T=-40C
T=25C
T=85C
18
20
22
24
EVM VS噘， F = 5.35GHz
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
8
10
12
14
16
的Pout （ dBm的）
T=-40C
T=25C
T=85C
18
20
22
24
EVM （％）
EVM VS噘， F = 5.725GHz
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
8
10
12
14
16
的Pout （ dBm的）
T=-40C
T=25C
T=85C
18
20
22
24
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
8
10
EVM （％）
EVM VS噘， F = 5.875GHz
EVM （％）
EVM （％）
12
14
16
的Pout （ dBm的）
18
20
22
24
T=-40C
T=25C
T=85C
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4
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SZA - 5044 4.9-5.9 GHz的功率放大器
4.9 - 5.9 GHz的评估板数据（V
BIAS
= 5.0V ，我
q
= 220毫安）
IM3 VS噘（ 2音AVG） ， T = 25℃
音频间隔= 1MHz的
-30
-32
-34
-36
-38
-40
-42
-44
-46
-48
-50
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
的Pout （ dBm的）
2.6
2.4
2.2
2.0
VDET （ V）
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
12
射频检测器输出（ VDET） VS噘
F=4.9GHz
IM3(dBc)
14
16
18
20
22
24
26
28
30
的Pout （ dBm的）
F=4.9
F=5.15
F=5.35
F=5.725
F=5.875
T=-40C
T=25C
T=85C
射频检测器输出（ VDET） VS噘
F=5.15GHz
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
的Pout （ dBm的）
T=-40C
T=25C
T=85C
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
12
射频检测器输出（ VDET） VS噘
F=5.35GHz
VDET （ V）
VDET （ V）
14
16
18
20
22
24
26
28
30
的Pout （ dBm的）
T=-40C
T=25C
T=85C
射频检测器输出（ VDET） VS噘
F=5.725GHz
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
的Pout （ dBm的）
T=-40C
T=25C
T=85C
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
12
射频检测器输出（ VDET） VS噘
F=5.875GHz
VDET （ V）
VDET （ V）
14
16
18
20
22
24
26
28
30
的Pout （ dBm的）
T=-40C
T=25C
T=85C
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5
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产品说明
Sirenza的Microdevices的SZA - 5044是一款高效率等级
AB异质结双极晶体管（ HBT ）放大器
容纳在一个低成本表面安装塑料封装。
这HBT放大器的GaAs器件与制作的InGaP
技术与制造用MOCVD一个理想的COM
bination低成本和高可靠性的。
此产品是专为一个最终阶段
802.11设备在4.9 - 5.9 GHz频段的5V电源
层。优化的片上阻抗匹配电路亲
志愿组织一个50Ω的标称RF输入阻抗。单一
外部输出匹配电路覆盖整个4.9-
5.9GHz频段同时进行。外部输出匹配
允许负载线优化为其他应用程序或
优化的性能，在较窄的频带。
SZA-5044
4.9 - 5.9 GHz的5V电源功放
采用4mm x 4mm QFN封装
产品特点
802.11 54MB / s的AB类的性能
噘嘴= 21.5dBm @ 3 ％的EVM ， 5V ， 310毫安
高增益= 28分贝
输出回波损耗< -11dB线性调
片上输出功率检测器
的P1dB为29dBm = 5V @
同时4.9- 5.9GHz性能
坚固耐用 - 躲过RF输入功率= + 15dBm的
上电/掉电控制<为1μs ， VPC 2.9V至5V
功能框图
VCC
POW ER
上/陶
控制
ACTIV ê
BIAS
ACTIV ê
BIAS
ACTIV ê
BIAS
RFIN
RFOUT
应用
POW ER探测器
VOUT
关键的特定连接的阳离子
符号
f
O
P
1dB
S
21
噘
NF
IRL
ORL
VDET范围
ICQ
I
VPC
R
次，J -升
参数：测试条件，应用电路第4页
Z
0
= 50, V
CC
= 5.0V ，ICQ = 220毫安，T
BP
= 25C
操作的频率
在1dB压缩输出功率 - 5.15 GHz的
在1dB压缩输出功率 - 5.875 GHz的
增益5.15 GHz的
增益5.875 GHz的
802.11 WLAN ， OFDM
5.8GHz的ISM频段
固定无线， UNII ， 802.16的WiMAX
单位
兆赫
DBM
dB
DBM
dB
dB
V
mA
mA
摄氏度/ W
185
10
7
分钟。
4900
28.0
26.5
27.2
24.4
29.5
28.0
29.2
26.4
22
21
6.3
15
11
0.8 1.9
220
1.7
24
255
31.2
28.4
典型值。
马克斯。
5900
输出功率在3％ EVM的802.11a 54MB /秒 - 5.15GHz
输出功率在3％ EVM的802.11a 54MB /秒 - 5.875GHz
噪声系数为5.875 GHz的
最坏情况下的输入回波损耗5.15-5.875GHz
最坏的情况下输出回波损耗5.15-5.875GHz
输出电压范围为噘= 10dBm的到26dBm的
VCC静态电流
上电控制电流， VPC = 5V （我
VPC1
+ I
VPC2
+ I
VPC3
)
热阻（结 - 铅）
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担错误或ommisions不承担任何责任。
Sirenza的Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格若有变更，恕不
通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices的产品
在生命支持设备和/或系统。
版权所有2002年Sirenza的Microdevices公司，公司全球版权所有。
303南方科技法庭布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
http://www.sirenza.com
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初步
SZA - 5044 4.9-5.9 GHz的功率放大器
引脚输出说明
针＃
1,3,5,9,
11,15,17
6
功能
N / C
描述
引脚未使用。可以接地，开路，或连接到相邻的针。
VPC1是偏置控制引脚为第1阶段的有源偏置电路，并且可以从2.9V运行到5V的控制。一个外部
最终串联电阻需要根据控制电压偏置电平进行合适的设置。参阅被求
ATION板原理图的电阻值。为了防止潜在的损害，不施加电压此引脚是
比施加到引脚20（ V偏压）的电压，除非VPC + 1V更大的电流供给能力小于10毫安。
VPC2是偏置控制引脚为阶段2有源偏置电路，并且可以从2.9V运行到5V的控制。一个外部
最终串联电阻需要根据控制电压偏置电平进行合适的设置。参阅被求
ATION板原理图的电阻值。为了防止潜在的损害，不施加电压此引脚是
比施加到引脚20（ V偏压）的电压，除非VPC + 1V更大的电流供给能力小于10毫安。
VPC3是偏置控制端子的第3阶段的有源偏置电路，并且可以从2.9V运行到5V的控制。一个外部
最终串联电阻需要根据控制电压偏置电平进行合适的设置。参阅被求
ATION板原理图的电阻值。为了防止潜在的损害，不施加电压此引脚是
比施加到引脚20（ V偏压）的电压，除非VPC + 1V更大的电流供给能力小于10毫安。
输出继电器功率检测电压。负载10K -100K欧姆到地获得最佳性能。
射频输入引脚。这是直流接地，在IC内部。不要施加电压到该引脚。所有这三个引脚必须
用于正常工作。
RF输出引脚。这也是另一个连接到第三级集电极
第三阶段集电极偏置引脚。适用于5V至该引脚。
第二阶段集电极偏置引脚。适用于5V至该引脚。
第一阶段集电极偏置引脚。适用于5V至该引脚。
有源偏置网络VCC 。适用于5V至该引脚。
需要在封装的底面露出区域被焊接到电路板上的接地平面
最佳的热和RF性能。多个通孔，应位于所述EPAD下所示的消遣
ommended焊盘布局（第5页） 。
VPC1
7
VPC2
8
10
2,4
12,13,14
16
18
19
20
EPAD
VPC3
VDET
RFIN
RFOUT
VC3
VC2
VC1
VBIAS
GND
简化的设备示意图
针
6
针
20
针
19
针
7
针
18
针
8
针
16
绝对最大额定值
参数
VC3集电极偏置电流（引脚16 ）
VC2集电极偏置电流（ pin18 ）
VC1集电极偏置电流（引脚19 ）
装置的电压（V
D
)
价值
500
225
75
7.0
3.4
-40至+85
15
2
-40到+150
+150
>1000
单位
mA
mA
mA
V
W
C
DBM
DBM
C
C
V
第1阶段
BIAS
第2阶段
BIAS
第三阶段
BIAS
引脚12,13,14
功耗
操作焊接温度（T
L
)
RF输入功率为50欧姆RF输出负载
RF输入功率为10 ： 1 VSWR RF输出
负载
存储温度范围
工作结温（T
J
)
ESD人体模型
引脚2,4
EPAD
EPAD
针
10
EPAD
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
该
J-升
303南方科技法庭布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
http://www.sirenza.com
EDS - 103585 C版本
初步
SZA - 5044 4.9-5.9 GHz的功率放大器
4.9 - 5.9 GHz的评估板数据（V
BIAS
= 5.0V ，我
q
= 220毫安）
S11 - 输入回波损耗
0
-5
-10
S11(dB)
-15
-20
-25
-30
-35
1
2
3
4
频率（千兆赫）
T=-40C
T=25C
T=85C
5
6
7
S21(dB)
35
30
25
20
15
10
5
0
1
2
S21 - 增益
3
4
频率（千兆赫）
5
6
7
T=-40C
T=25C
T=85C
S22 - 输出回波损耗
0
-5
增益（ dB）的
31
30
29
28
27
26
25
24
12
14
16
增益VS噘， T = 25℃
-10
S22(dB)
-15
-20
-25
-30
1
2
3
4
频率（千兆赫）
T=-40C
T=25C
T=85C
5
6
7
18
20
22
24
26
28
30
的Pout （ dBm的）
F=4.9
F=5.15
F=5.35
F=5.725
F=5.875
IDC VS噘，T = 25℃
0.7
0.6
IDC （ A）
IDC （ A）
0.4
0.3
智商（直流偏置点）与V供电（V +和VPC ）
0.5
0.4
0.3
0.2
13
15
17
19
21
23
25
27
29
的Pout （ dBm的）
F=4.9
F=5.15
F=5.35
F=5.725
F=5.875
0.2
0.1
0
2.8 3.0 3.2 3.4 3.6 3.8 4.0 4.2 4.4 4.6 4.8 5.0 5.2 5.4 5.6
V供电（ V）
T=-40C
T=25C
T=85C
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初步
SZA - 5044 4.9-5.9 GHz的功率放大器
4.9 - 5.9 GHz的评估板数据（V
BIAS
= 5.0V ，我
q
= 220毫安）
802.11a的EVM ，OFDM， 54MB /秒， 64QAM
EVM VS噘， T = 25℃
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
8
10
12
14
16
的Pout （ dBm的）
F=4.9
F=5.15
F=5.35
F=5.725
F=5.875
18
20
22
24
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
8
10
EVM VS噘， F =的4.9GHz
EVM （％）
EVM （％）
12
14
16
的Pout （ dBm的）
18
20
22
24
T=-40C
T=25C
T=85C
EVM VS噘， F = 5.15GHz
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
8
10
12
14
16
的Pout （ dBm的）
T=-40C
T=25C
T=85C
18
20
22
24
EVM VS噘， F = 5.35GHz
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
8
10
12
14
16
的Pout （ dBm的）
T=-40C
T=25C
T=85C
18
20
22
24
EVM （％）
EVM VS噘， F = 5.725GHz
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
8
10
12
14
16
的Pout （ dBm的）
T=-40C
T=25C
T=85C
18
20
22
24
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
8
10
EVM （％）
EVM VS噘， F = 5.875GHz
EVM （％）
EVM （％）
12
14
16
的Pout （ dBm的）
18
20
22
24
T=-40C
T=25C
T=85C
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SZA - 5044 4.9-5.9 GHz的功率放大器
4.9 - 5.9 GHz的评估板数据（V
BIAS
= 5.0V ，我
q
= 220毫安）
IM3 VS噘（ 2音AVG） ， T = 25℃
音频间隔= 1MHz的
-30
-32
-34
-36
-38
-40
-42
-44
-46
-48
-50
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
的Pout （ dBm的）
2.6
2.4
2.2
2.0
VDET （ V）
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
12
射频检测器输出（ VDET） VS噘
F=4.9GHz
IM3(dBc)
14
16
18
20
22
24
26
28
30
的Pout （ dBm的）
F=4.9
F=5.15
F=5.35
F=5.725
F=5.875
T=-40C
T=25C
T=85C
射频检测器输出（ VDET） VS噘
F=5.15GHz
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
的Pout （ dBm的）
T=-40C
T=25C
T=85C
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
12
射频检测器输出（ VDET） VS噘
F=5.35GHz
VDET （ V）
VDET （ V）
14
16
18
20
22
24
26
28
30
的Pout （ dBm的）
T=-40C
T=25C
T=85C
射频检测器输出（ VDET） VS噘
F=5.725GHz
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
的Pout （ dBm的）
T=-40C
T=25C
T=85C
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
12
射频检测器输出（ VDET） VS噘
F=5.875GHz
VDET （ V）
VDET （ V）
14
16
18
20
22
24
26
28
30
的Pout （ dBm的）
T=-40C
T=25C
T=85C
303南方科技法庭布鲁姆菲尔德，CO 80021
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