产品说明
Sirenza的Microdevices的SZA - 2044是一款高效率等级
AB异质结双极晶体管（ HBT ）放大器
容纳在一个低成本表面安装塑料封装。
这HBT放大器的GaAs器件与制作的InGaP
技术与制造用MOCVD的理想combi-
国家低成本和高可靠性。本产品是specif-
ically设计为用于802.11b / g和801.16的最终阶段
装备在2.0-2.7 GHz频段。它可以从一个3V运行
5V电源。优化的片上阻抗匹配电路
提供了一个50Ω的标称RF输入阻抗。外部
输出匹配和偏置可调允许载重线optimi-
矩阵特殊积为其他应用程序或在较窄的频带。它为特色的
Tures的输出功率检测器，开/关功率控制和
高射频超速的鲁棒性。本产品在使用
符合RoHS和绿色封装与雾锡完成，
由“Z”包后缀指定。
SZA - 2044 / SZA - 2044Z
2.0-2.7 GHz的5V 1W功率放大器
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
采用4mm x 4mm QFN封装
产品特点
802.11克54MB / s的AB类的性能
噘嘴= 22.5dBm的@ 3 ％的EVM ， 5V ， 340毫安
POUT = 18dBm的@ 3％的EVM ， 3.3V ， 175毫安
片上输出功率检测器
P1dB为29.5dBm = @ 5V ，的P1dB为25dBm = 3.3V @
坚固耐用 - 躲过RF输入功率= + 15dBm的
上电/掉电控制<为1μs
提供符合RoHS绿色环保包装
支持802.11b / g WLAN ， 2.4GHz的ISM应用
WiMax的802.16 ， MMDS和MDS带
单位
兆赫
DBM
分钟。
2000
29.5
28.0
23.5
23.5
29.5
25.5
25.5
22.5
22.5
6.1
-44
10
9
13
11
0.9 1.7
255
300
1.9
6
28
100
345
-40
27.5
27.5
典型值。
马克斯。
2700
功能框图
VCC
动力
上/下
控制
活跃
BIAS
活跃
BIAS
RFIN
RFOUT
应用
功率检测器Vout的
关键的特定连接的阳离子
符号
f
O
P
1 D B
S
21
噘
NF
IM3
IRL
ORL
VDET范围
I
cq
I
VPC
I
泄漏
R
次，J -升
参数：测试条件，应用电路第4页
Z
0
= 50
,
V
CC
= 5.0V ，智商= 300毫安，T
BP
= 30C
操作的频率
在1dB压缩输出功率 - 2.4 GHz的
在1dB压缩输出功率 - 2.5 GHz的
小信号增益为2.4 GHz的
小信号增益为2.5 GHz的
输出功率在3％ EVM 802.11克54MB /秒 - 2.4GHz的
dB
输出功率在3％ EVM 802.11克54MB /秒 - 2.5GHz的
噪声系数为2.5 GHz的
三阶互调，每口气18dBm的 - 2.5GHz的
最坏情况下的输入回波损耗2.4-2.5GHz
最坏的情况下输出回波损耗2.4-2.5GHz
输出电压范围为噘= 15dBm时为为29dBm
静态电流（V
cc
= 5V)
上电控制电流， VPC = 5V ， （我
VPC1
+ I
VPC2
)
关Vcc的漏电流VPC = 0V
热阻（结 - 铅）
DBM
dB
dBc的
dB
V
mA
mA
uA
摄氏度/ W
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担INA ccuracies或ommisions不承担任何责任。
Sirenza的Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格若有变更，恕不
通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices的产品
在生命支持设备和/或系统。
版权所有2002年Sirenza的Microdevices公司，公司全球版权所有。
303南方科技法庭布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
http://www.sirenza.com
EDS - 103612冯é
SZA - 2044 2.0-2.7GHz 5V电源放大器
引脚输出说明
针＃
1,2,4,5,
7,9,11,
13,
15,17,19
功能
描述
这些未使用的引脚和封装内未连接。它们可以接地或连接到相邻的
销。
VPC1是偏置控制引脚为1级有源偏置电路。外部串联电阻是需要适当的
偏置电平的设定。请参考评估板原理图的电阻值。为了防止潜在的损害，
不施加电压此引脚比电压+ 1V更大的应用引脚20 （ V偏压），除非VPC供应
电流容量小于10毫安。
VPC2是偏置控制引脚为舞台2有源偏置电路。外部串联电阻是需要适当的
偏置电平的设定。请参考评估板原理图的电阻值。为了防止潜在的损害，
不施加电压此引脚比电压+ 1V更大的应用引脚20 （ V偏压），除非VPC供应
电流容量小于10毫安。
输出功率检测电压。负载> 10K欧姆，以获得最佳性能
射频输入引脚。这是直流接地，在IC内部。不要施加电压到该引脚。
RF输出引脚。这也是另一个连接到所述第二级收集器。
第二阶段集电极偏置引脚。适用于3.0 5.0V到该引脚。
第一阶段集电极偏置引脚。适用于3.0 5.0V到该引脚。
有源偏置网络VCC 。适用于3.0 5.0V到该引脚。
需要在封装的底面露出区域被焊接到电路板上的接地平面
最佳的热和RF性能。多个通孔，应位于所述EPAD下所示的消遣
ommended焊盘布局（第5页） 。
N / C
6
VPC1
8
VPC2
10
3
12,14
16
18
20
EPAD
VDET
RFIN
RFOUT
VC2
VC1
VBIAS
GND
简化的设备示意图
绝对最大额定值
针
20
针
6
针
18
针
8
针
16
参数
VC2集电极偏置电流（I
VC2
)
VC1集电极偏置电流（I
VC1
)
装置的电压（V
D
)
功耗
价值
500
150
7.0
3
-40至+85
15
8
-40到+150
+150
500
单位
mA
mA
V
W
C
DBM
DBM
C
C
V
第1阶段
BIAS
第2阶段
BIAS
操作焊接温度（T
L
)
最大RF输入功率为50欧姆输出
负载
最大射频输入功率为10 ： 1 VSWR RF
OUT LOAD
存储温度范围
3脚
EPAD
针
10
EPAD
引脚12 ， 14
工作结温（T
J
)
ESD人体模型（ 1C类）
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
该
J-升
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
303南方科技法庭布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
http://www.sirenza.com
EDS - 103612冯é
SZA - 2044 2.0-2.7GHz 5V电源放大器
性能： 2.3 - 2.7 GHz的评估板数据（V
c c
= V
pc
= 5.0V ，我
q
= 300毫安）
S11 - 输入回波损耗
0
0
-10
-5
S11(dB)
S12(dB)
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-20
0
1
2
3
频率（千兆赫）
T=25C
4
5
6
-80
0
1
S12 - 隔离
-10
-15
2
3
频率（千兆赫）
T=25C
4
5
6
T=-40C
T=85C
T=-40C
T=85C
S21 - 增益
30
25
-5
0
S22 - 输出回波损耗
S21(dB)
S22(dB)
20
15
10
-10
-15
5
0
0
1
2
3
频率（千兆赫）
T=25C
4
5
6
-20
0
1
2
3
频率（千兆赫）
T=25C
4
5
6
T=-40C
T=85C
T=-40C
T=85C
窄带S11 - 输入回波损耗
-10
-40
窄带S12 - 隔离
-50
S11(dB)
S12(dB)
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4 2.5 2.6
频率（千兆赫）
T=25C
2.7
2.8
2.9
3.0
-15
-60
-70
-20
-80
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4 2.5 2.6
频率（千兆赫）
T=25C
2.7
2.8
2.9
3.0
T=-40C
T=0C
T=70C
T=85C
T=-40C
T=0C
T=70C
T=85C
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
3
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SZA - 2044 2.0-2.7GHz 5V电源放大器
性能： 2.3 - 2.7 GHz的评估板数据（V
c c
= V
pc
= 5.0V ，我
q
= 300毫安）
窄带S21 - 增益
30
-5
窄带S22 - 输出回波损耗
S21(dB)
25
S22(dB)
20
15
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4 2.5 2.6
频率（千兆赫）
T=25C
2.7
2.8
2.9
3.0
-10
-15
-20
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4 2.5 2.6
频率（千兆赫）
T=25C
2.7
2.8
2.9
3.0
T=-40C
T=0C
T=70C
T=85C
T=-40C
T=0C
T=70C
T=85C
EVM VS噘， F = 2.4GHz的
802.11克， OFDM ， 54 Mb / s的， 64QAM
6
5
EVM VS噘， F = 2.5GHz的
802.11克， OFDM ， 54 Mb / s的， 64QAM
6
5
EVM （％）
4
3
2
1
0
EVM （％）
4
3
2
1
0
5
10
15
的Pout （ dBm的）
T=0C
T=25C
20
25
5
10
15
的Pout （ dBm的）
T=0C
T=25C
T=70C
20
25
T=-40C
T=70C
T=85C
T=-40C
T=85C
直流电源电流（ IDC） VS噘， T = 25℃
0.55
0.50
0.45
IDC （ A）
0.40
0.35
0.30
0.25
10.0
15.0
20.0
的Pout （ dBm的）
F=2.5GHz
25.0
30.0
0.1
0.0
ICQ （ A）
0.3
0.2
0.5
0.4
ICQ （直流偏置点）与V供电（V +和VPC ）
3.0 3.2 3.4 3.6 3.8 4.0 4.2 4.4 4.6 4.8 5.0 5.2 5.4 5.6
V供电（ V）
T=-40C
T=25C
T=85C
F=2.4GHz
F=2.7GHz
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4
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SZA - 2044 2.0-2.7GHz 5V电源放大器
性能： 2.3 - 2.7 GHz的评估板数据（V
cc
= V
pc
= 5.0V ，我
q
= 300毫安）
RF功率检测器（ VDET） VS噘
F=2.4GHz
1.8
1.6
VDET （ V）
1.4
1.2
1.0
0.8
14
16
18
20
22
24
的Pout （ dBm的）
T=25C
26
28
30
VDET （ V）
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
14
16
18
20
22
24
的Pout （ dBm的）
T=25C
26
28
30
RF功率检测器（ VDET） VS噘
F=2.5GHz
T=-40C
T=85C
T=-40C
T=85C
RF功率检测器（ VDET） VS噘
F=2.7GHz
2.0
1.8
VDET （ V）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
14
16
18
20
22
24
的Pout （ dBm的）
T=25C
26
28
30
增益VS噘， T = 25℃
28
27
增益（ dB）的
26
25
24
23
22
14
16
18
20
22
24
的Pout （ dBm的）
F=2.5GHz
26
28
30
T=-40C
T=85C
F=2.4GHz
-10
-20
IM3(dBc)
-30
-40
-50
-60
-70
12
14
IM3 VS噘（ 2基调平均） ， T = 25℃
音频间隔= 1MHz的
16
18
20
22
的Pout （ dBm的）
F=2.5GHz
24
26
28
F=2.4GHz
303南方科技法庭布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
5
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EDS - 103612冯é
产品说明
Sirenza的Microdevices的SZA - 2044是一款高效率等级
AB异质结双极晶体管（ HBT ）放大器
容纳在一个低成本表面安装塑料封装。
这HBT放大器的GaAs器件与制作的InGaP
技术与制造用MOCVD的理想combi-
国家低成本和高可靠性。本产品是specif-
ically设计为用于802.11b / g和801.16的最终阶段
装备在2.0-2.7 GHz频段。它可以从一个3V运行
5V电源。优化的片上阻抗匹配电路
提供了一个50Ω的标称RF输入阻抗。外部
输出匹配和偏置可调允许载重线optimi-
矩阵特殊积为其他应用程序或在较窄的频带。它为特色的
Tures的输出功率检测器，开/关功率控制和
高射频超速的鲁棒性。本产品在使用
符合RoHS和绿色封装与雾锡完成，
由“Z”包后缀指定。
SZA - 2044 / SZA - 2044Z
2.0-2.7 GHz的5V 1W功率放大器
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
采用4mm x 4mm QFN封装
产品特点
802.11克54MB / s的AB类的性能
噘嘴= 22.5dBm的@ 3 ％的EVM ， 5V ， 340毫安
POUT = 18dBm的@ 3％的EVM ， 3.3V ， 175毫安
片上输出功率检测器
P1dB为29.5dBm = @ 5V ，的P1dB为25dBm = 3.3V @
坚固耐用 - 躲过RF输入功率= + 15dBm的
上电/掉电控制<为1μs
提供符合RoHS绿色环保包装
支持802.11b / g WLAN ， 2.4GHz的ISM应用
WiMax的802.16 ， MMDS和MDS带
单位
兆赫
DBM
分钟。
2000
29.5
28.0
23.5
23.5
29.5
25.5
25.5
22.5
22.5
6.1
-44
10
9
13
11
0.9 1.7
255
300
1.9
6
28
100
345
-40
27.5
27.5
典型值。
马克斯。
2700
功能框图
VCC
动力
上/下
控制
活跃
BIAS
活跃
BIAS
RFIN
RFOUT
应用
功率检测器Vout的
关键的特定连接的阳离子
符号
f
O
P
1dB
S
21
噘
NF
IM3
IRL
ORL
VDET范围
I
cq
I
VPC
I
泄漏
R
次，J -升
参数：测试条件，应用电路第4页
Z
0
= 50, V
CC
= 5.0V ，智商= 300毫安，T
BP
= 30C
操作的频率
在1dB压缩输出功率 - 2.4 GHz的
在1dB压缩输出功率 - 2.5 GHz的
小信号增益为2.4 GHz的
小信号增益为2.5 GHz的
输出功率在3％ EVM 802.11克54MB /秒 - 2.4GHz的
dB
输出功率在3％ EVM 802.11克54MB /秒 - 2.5GHz的
噪声系数为2.5 GHz的
三阶互调，每口气18dBm的 - 2.5GHz的
最坏情况下的输入回波损耗2.4-2.5GHz
最坏的情况下输出回波损耗2.4-2.5GHz
输出电压范围为噘= 15dBm时为为29dBm
静态电流（V
cc
= 5V)
上电控制电流， VPC = 5V ， （我
VPC1
+ I
VPC2
)
关Vcc的漏电流VPC = 0V
热阻（结 - 铅）
DBM
dB
dBc的
dB
V
mA
mA
uA
摄氏度/ W
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担错误或ommisions不承担任何责任。
Sirenza的Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格若有变更，恕不
通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices的产品
在生命支持设备和/或系统。
版权所有2002年Sirenza的Microdevices公司，公司全球版权所有。
303南方科技法庭布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
http://www.sirenza.com
EDS - 103612版D
SZA - 2044 2.0-2.7GHz 5V电源放大器
引脚输出说明
针＃
1,2,4,5,
7,9,11,
13,
15,17,19
6
功能
N / C
描述
这些未使用的引脚和封装内未连接。它们可以接地或连接到相邻的
销。
VPC1是偏置控制引脚为1级有源偏置电路。外部串联电阻是需要适当的
偏置电平的设定。请参考评估板原理图的电阻值。为了防止潜在的损害，
不施加电压此引脚比电压+ 1V更大的应用引脚20 （ V偏压），除非VPC供应
电流容量小于10毫安。
VPC2是偏置控制引脚为舞台2有源偏置电路。外部串联电阻是需要适当的
偏置电平的设定。请参考评估板原理图的电阻值。为了防止潜在的损害，
不施加电压此引脚比电压+ 1V更大的应用引脚20 （ V偏压），除非VPC供应
电流容量小于10毫安。
输出功率检测电压。负载> 10K欧姆，以获得最佳性能
射频输入引脚。这是直流接地，在IC内部。不要施加电压到该引脚。
RF输出引脚。这也是另一个连接到所述第二级收集器。
第二阶段集电极偏置引脚。适用于3.0 5.0V到该引脚。
第一阶段集电极偏置引脚。适用于3.0 5.0V到该引脚。
有源偏置网络VCC 。适用于3.0 5.0V到该引脚。
需要在封装的底面露出区域被焊接到电路板上的接地平面
最佳的热和RF性能。多个通孔，应位于所述EPAD下所示的消遣
ommended焊盘布局（第5页） 。
VPC1
8
10
3
12,14
16
18
20
EPAD
VPC2
VDET
RFIN
RFOUT
VC2
VC1
VBIAS
GND
简化的设备示意图
绝对最大额定值
针
20
针
6
针
18
针
8
针
16
参数
VC2集电极偏置电流（I
VC2
)
VC1集电极偏置电流（I
VC1
)
装置的电压（V
D
)
功耗
价值
500
150
7.0
3
-40至+85
15
8
-40到+150
+150
500
单位
mA
mA
V
W
C
DBM
DBM
C
C
V
第1阶段
BIAS
第2阶段
BIAS
操作焊接温度（T
L
)
最大RF输入功率为50欧姆输出
负载
最大射频输入功率为10 ： 1 VSWR RF
OUT LOAD
存储温度范围
3脚
EPAD
针
10
EPAD
引脚12 ， 14
工作结温（T
J
)
ESD人体模型（ 1C类）
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
该
J-升
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
303南方科技法庭布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
http://www.sirenza.com
EDS - 103612版D
SZA - 2044 2.0-2.7GHz 5V电源放大器
性能： 2.3 - 2.7 GHz的评估板数据（V
cc
= V
pc
= 5.0V ，我
q
= 300毫安）
S11 - 输入回波损耗
0
S12 - 隔离
0
-10
-5
S11(dB)
-20
S12(dB)
0
1
2
3
频率（千兆赫）
T=25C
4
5
6
-30
-40
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-15
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-80
0
1
2
3
频率（千兆赫）
T=25C
4
5
6
T=-40C
T=85C
T=-40C
T=85C
S21 - 增益
30
25
-5
S21(dB)
S22(dB)
20
15
10
-15
5
0
0
1
2
3
频率（千兆赫）
T=25C
4
5
6
-20
0
1
0
S22 - 输出回波损耗
-10
2
3
频率（千兆赫）
T=25C
4
5
6
T=-40C
T=85C
T=-40C
T=85C
窄带S11 - 输入回波损耗
-10
-40
窄带S12 - 隔离
-50
S11(dB)
S12(dB)
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4 2.5 2.6
频率（千兆赫）
T=25C
2.7
2.8
2.9
3.0
-15
-60
-70
-20
-80
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4 2.5 2.6
频率（千兆赫）
T=25C
2.7
2.8
2.9
3.0
T=-40C
T=0C
T=70C
T=85C
T=-40C
T=0C
T=70C
T=85C
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SZA - 2044 2.0-2.7GHz 5V电源放大器
性能： 2.3 - 2.7 GHz的评估板数据（V
cc
= V
pc
= 5.0V ，我
q
= 300毫安）
窄带S21 - 增益
30
-5
窄带S22 - 输出回波损耗
S21(dB)
25
S22(dB)
20
-10
-15
15
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4 2.5 2.6
频率（千兆赫）
T=25C
2.7
2.8
2.9
3.0
-20
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4 2.5 2.6
频率（千兆赫）
T=25C
2.7
2.8
2.9
3.0
T=-40C
T=0C
T=70C
T=85C
T=-40C
T=0C
T=70C
T=85C
EVM VS噘， F = 2.4GHz的
802.11克， OFDM ， 54 Mb / s的， 64QAM
6
5
EVM （％）
EVM VS噘， F = 2.5GHz的
802.11克， OFDM ， 54 Mb / s的， 64QAM
6
5
EVM （％）
4
3
2
1
0
4
3
2
1
0
5
10
15
的Pout （ dBm的）
T=0C
T=25C
20
25
5
10
15
的Pout （ dBm的）
T=0C
T=25C
20
25
T=-40C
T=70C
T=85C
T=-40C
T=70C
T=85C
直流电源电流（ IDC） VS噘， T = 25℃
0.55
0.50
0.45
IDC （ A）
0.40
0.35
0.30
0.25
10.0
15.0
20.0
的Pout （ dBm的）
F=2.5GHz
25.0
30.0
0.1
0.0
ICQ （ A）
0.3
0.2
0.5
0.4
ICQ （直流偏置点）与V供电（V +和VPC ）
3.0 3.2 3.4 3.6 3.8 4.0 4.2 4.4 4.6 4.8 5.0 5.2 5.4 5.6
V供电（ V）
T=-40C
T=25C
T=85C
F=2.4GHz
F=2.7GHz
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SZA - 2044 2.0-2.7GHz 5V电源放大器
性能： 2.3 - 2.7 GHz的评估板数据（V
cc
= V
pc
= 5.0V ，我
q
= 300毫安）
RF功率检测器（ VDET） VS噘
F=2.4GHz
1.8
1.6
VDET （ V）
1.4
1.2
1.0
0.8
14
16
18
20
22
24
的Pout （ dBm的）
T=25C
26
28
30
VDET （ V）
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
14
16
18
20
22
24
的Pout （ dBm的）
T=25C
26
28
30
RF功率检测器（ VDET） VS噘
F=2.5GHz
T=-40C
T=85C
T=-40C
T=85C
RF功率检测器（ VDET） VS噘
F=2.7GHz
2.0
1.8
VDET （ V）
增益VS噘， T = 25℃
28
27
增益（ dB）的
26
25
24
23
22
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
14
16
18
20
22
24
的Pout （ dBm的）
T=25C
26
28
30
14
16
18
20
22
24
的Pout （ dBm的）
F=2.5GHz
26
28
30
T=-40C
T=85C
F=2.4GHz
-10
-20
IM3(dBc)
-30
-40
-50
-60
-70
12
14
IM3 VS噘（ 2基调平均） ， T = 25℃
音频间隔= 1MHz的
16
18
20
22
的Pout （ dBm的）
F=2.5GHz
24
26
28
F=2.4GHz
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产品说明
Sirenza的Microdevices的SZA - 2044是一款高效率等级
AB异质结双极晶体管（ HBT ）放大器
容纳在一个低成本表面安装塑料封装。
这HBT放大器的GaAs器件与制作的InGaP
技术与制造用MOCVD的理想combi-
国家低成本和高可靠性。本产品是specif-
ically设计为用于802.11b / g和801.16的最终阶段
装备在2.0-2.7 GHz频段。它可以从一个3V运行
5V电源。优化的片上阻抗匹配电路
提供了一个50Ω的标称RF输入阻抗。外部
输出匹配和偏置可调允许载重线optimi-
矩阵特殊积为其他应用程序或在较窄的频带。它为特色的
Tures的输出功率检测器，开/关功率控制和
高射频超速的鲁棒性。本产品在使用
符合RoHS和绿色封装与雾锡完成，
由“Z”包后缀指定。
SZA - 2044 / SZA - 2044Z
2.0-2.7 GHz的5V 1W功率放大器
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
采用4mm x 4mm QFN封装
产品特点
802.11克54MB / s的AB类的性能
噘嘴= 22.5dBm的@ 3 ％的EVM ， 5V ， 340毫安
POUT = 18dBm的@ 3％的EVM ， 3.3V ， 175毫安
片上输出功率检测器
P1dB为29.5dBm = @ 5V ，的P1dB为25dBm = 3.3V @
坚固耐用 - 躲过RF输入功率= + 15dBm的
上电/掉电控制<为1μs
提供符合RoHS绿色环保包装
支持802.11b / g WLAN ， 2.4GHz的ISM应用
WiMax的802.16 ， MMDS和MDS带
单位
兆赫
DBM
分钟。
2000
29.5
28.0
23.5
23.5
29.5
25.5
25.5
22.5
22.5
6.1
-44
10
9
13
11
0.9 1.7
255
300
1.9
6
28
100
345
-40
27.5
27.5
典型值。
马克斯。
2700
功能框图
VCC
动力
上/下
控制
活跃
BIAS
活跃
BIAS
RFIN
RFOUT
应用
功率检测器Vout的
关键的特定连接的阳离子
符号
f
O
P
1dB
S
21
噘
NF
IM3
IRL
ORL
VDET范围
I
cq
I
VPC
I
泄漏
R
次，J -升
参数：测试条件，应用电路第4页
Z
0
= 50, V
CC
= 5.0V ，智商= 300毫安，T
BP
= 30C
操作的频率
在1dB压缩输出功率 - 2.4 GHz的
在1dB压缩输出功率 - 2.5 GHz的
小信号增益为2.4 GHz的
小信号增益为2.5 GHz的
输出功率在3％ EVM 802.11克54MB /秒 - 2.4GHz的
dB
输出功率在3％ EVM 802.11克54MB /秒 - 2.5GHz的
噪声系数为2.5 GHz的
三阶互调，每口气18dBm的 - 2.5GHz的
最坏情况下的输入回波损耗2.4-2.5GHz
最坏的情况下输出回波损耗2.4-2.5GHz
输出电压范围为噘= 15dBm时为为29dBm
静态电流（V
cc
= 5V)
上电控制电流， VPC = 5V ， （我
VPC1
+ I
VPC2
)
关Vcc的漏电流VPC = 0V
热阻（结 - 铅）
DBM
dB
dBc的
dB
V
mA
mA
uA
摄氏度/ W
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担错误或ommisions不承担任何责任。
Sirenza的Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格若有变更，恕不
通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices的产品
在生命支持设备和/或系统。
版权所有2002年Sirenza的Microdevices公司，公司全球版权所有。
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1
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EDS - 103612版D
SZA - 2044 2.0-2.7GHz 5V电源放大器
引脚输出说明
针＃
1,2,4,5,
7,9,11,
13,
15,17,19
6
功能
N / C
描述
这些未使用的引脚和封装内未连接。它们可以接地或连接到相邻的
销。
VPC1是偏置控制引脚为1级有源偏置电路。外部串联电阻是需要适当的
偏置电平的设定。请参考评估板原理图的电阻值。为了防止潜在的损害，
不施加电压此引脚比电压+ 1V更大的应用引脚20 （ V偏压），除非VPC供应
电流容量小于10毫安。
VPC2是偏置控制引脚为舞台2有源偏置电路。外部串联电阻是需要适当的
偏置电平的设定。请参考评估板原理图的电阻值。为了防止潜在的损害，
不施加电压此引脚比电压+ 1V更大的应用引脚20 （ V偏压），除非VPC供应
电流容量小于10毫安。
输出功率检测电压。负载> 10K欧姆，以获得最佳性能
射频输入引脚。这是直流接地，在IC内部。不要施加电压到该引脚。
RF输出引脚。这也是另一个连接到所述第二级收集器。
第二阶段集电极偏置引脚。适用于3.0 5.0V到该引脚。
第一阶段集电极偏置引脚。适用于3.0 5.0V到该引脚。
有源偏置网络VCC 。适用于3.0 5.0V到该引脚。
需要在封装的底面露出区域被焊接到电路板上的接地平面
最佳的热和RF性能。多个通孔，应位于所述EPAD下所示的消遣
ommended焊盘布局（第5页） 。
VPC1
8
10
3
12,14
16
18
20
EPAD
VPC2
VDET
RFIN
RFOUT
VC2
VC1
VBIAS
GND
简化的设备示意图
绝对最大额定值
针
20
针
6
针
18
针
8
针
16
参数
VC2集电极偏置电流（I
VC2
)
VC1集电极偏置电流（I
VC1
)
装置的电压（V
D
)
功耗
价值
500
150
7.0
3
-40至+85
15
8
-40到+150
+150
500
单位
mA
mA
V
W
C
DBM
DBM
C
C
V
第1阶段
BIAS
第2阶段
BIAS
操作焊接温度（T
L
)
最大RF输入功率为50欧姆输出
负载
最大射频输入功率为10 ： 1 VSWR RF
OUT LOAD
存储温度范围
3脚
EPAD
针
10
EPAD
引脚12 ， 14
工作结温（T
J
)
ESD人体模型（ 1C类）
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
该
J-升
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
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SZA - 2044 2.0-2.7GHz 5V电源放大器
性能： 2.3 - 2.7 GHz的评估板数据（V
cc
= V
pc
= 5.0V ，我
q
= 300毫安）
S11 - 输入回波损耗
0
S12 - 隔离
0
-10
-5
S11(dB)
-20
S12(dB)
0
1
2
3
频率（千兆赫）
T=25C
4
5
6
-30
-40
-50
-60
-70
-10
-15
-20
-80
0
1
2
3
频率（千兆赫）
T=25C
4
5
6
T=-40C
T=85C
T=-40C
T=85C
S21 - 增益
30
25
-5
S21(dB)
S22(dB)
20
15
10
-15
5
0
0
1
2
3
频率（千兆赫）
T=25C
4
5
6
-20
0
1
0
S22 - 输出回波损耗
-10
2
3
频率（千兆赫）
T=25C
4
5
6
T=-40C
T=85C
T=-40C
T=85C
窄带S11 - 输入回波损耗
-10
-40
窄带S12 - 隔离
-50
S11(dB)
S12(dB)
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4 2.5 2.6
频率（千兆赫）
T=25C
2.7
2.8
2.9
3.0
-15
-60
-70
-20
-80
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4 2.5 2.6
频率（千兆赫）
T=25C
2.7
2.8
2.9
3.0
T=-40C
T=0C
T=70C
T=85C
T=-40C
T=0C
T=70C
T=85C
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SZA - 2044 2.0-2.7GHz 5V电源放大器
性能： 2.3 - 2.7 GHz的评估板数据（V
cc
= V
pc
= 5.0V ，我
q
= 300毫安）
窄带S21 - 增益
30
-5
窄带S22 - 输出回波损耗
S21(dB)
25
S22(dB)
20
-10
-15
15
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4 2.5 2.6
频率（千兆赫）
T=25C
2.7
2.8
2.9
3.0
-20
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4 2.5 2.6
频率（千兆赫）
T=25C
2.7
2.8
2.9
3.0
T=-40C
T=0C
T=70C
T=85C
T=-40C
T=0C
T=70C
T=85C
EVM VS噘， F = 2.4GHz的
802.11克， OFDM ， 54 Mb / s的， 64QAM
6
5
EVM （％）
EVM VS噘， F = 2.5GHz的
802.11克， OFDM ， 54 Mb / s的， 64QAM
6
5
EVM （％）
4
3
2
1
0
4
3
2
1
0
5
10
15
的Pout （ dBm的）
T=0C
T=25C
20
25
5
10
15
的Pout （ dBm的）
T=0C
T=25C
20
25
T=-40C
T=70C
T=85C
T=-40C
T=70C
T=85C
直流电源电流（ IDC） VS噘， T = 25℃
0.55
0.50
0.45
IDC （ A）
0.40
0.35
0.30
0.25
10.0
15.0
20.0
的Pout （ dBm的）
F=2.5GHz
25.0
30.0
0.1
0.0
ICQ （ A）
0.3
0.2
0.5
0.4
ICQ （直流偏置点）与V供电（V +和VPC ）
3.0 3.2 3.4 3.6 3.8 4.0 4.2 4.4 4.6 4.8 5.0 5.2 5.4 5.6
V供电（ V）
T=-40C
T=25C
T=85C
F=2.4GHz
F=2.7GHz
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SZA - 2044 2.0-2.7GHz 5V电源放大器
性能： 2.3 - 2.7 GHz的评估板数据（V
cc
= V
pc
= 5.0V ，我
q
= 300毫安）
RF功率检测器（ VDET） VS噘
F=2.4GHz
1.8
1.6
VDET （ V）
1.4
1.2
1.0
0.8
14
16
18
20
22
24
的Pout （ dBm的）
T=25C
26
28
30
VDET （ V）
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
14
16
18
20
22
24
的Pout （ dBm的）
T=25C
26
28
30
RF功率检测器（ VDET） VS噘
F=2.5GHz
T=-40C
T=85C
T=-40C
T=85C
RF功率检测器（ VDET） VS噘
F=2.7GHz
2.0
1.8
VDET （ V）
增益VS噘， T = 25℃
28
27
增益（ dB）的
26
25
24
23
22
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
14
16
18
20
22
24
的Pout （ dBm的）
T=25C
26
28
30
14
16
18
20
22
24
的Pout （ dBm的）
F=2.5GHz
26
28
30
T=-40C
T=85C
F=2.4GHz
-10
-20
IM3(dBc)
-30
-40
-50
-60
-70
12
14
IM3 VS噘（ 2基调平均） ， T = 25℃
音频间隔= 1MHz的
16
18
20
22
的Pout （ dBm的）
F=2.5GHz
24
26
28
F=2.4GHz
303南方科技法庭布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
5
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