1SMB5.0AT3G系列，
SZ1SMB5.0AT3G系列
600瓦峰值功率齐纳
瞬态电压
抑制器
单向
在SMB系列是专为保护电压敏感
组件由高电压，高能量瞬变。他们有
出色的钳位能力，高浪涌能力，低齐纳
阻抗和快速响应时间。在SMB系列供应
安森美半导体专有的，高性价比，高可靠性
SURMETIC
封装，非常适合于使用在
通信系统，汽车，数字控制，过程
控制，医疗设备，商用机器，电源和
许多其他工业/消费应用。
特点
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塑料表面贴装
齐纳管
瞬态抑制器
5.0 V
170 V,
600瓦峰值功率
SMB
CASE 403A
塑料
工作峰值反向电压范围
5.0 V至170 V
标准齐纳击穿电压范围
6.7 V至199 V
峰值功率
600瓦@ 1.0毫秒
ESD额定值3类（ > 16千伏）每人体模型
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏< 5.0
mA
上述10 V
UL 497B用于隔离回路电路保护
响应时间通常是< 1.0纳秒
SZ前缀为汽车和独特需要其他应用程序
站点和控制变化的要求; AEC - Q101标准和
PPAP有能力
无铅包可用*
机械特性
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料
表面处理：
所有的外部表面耐腐蚀和导线
阴极
阳极
标记图
AYWW
xx
G
G
A
Y
WW
xx
G
=大会地点
=年
=工作周
=设备代码（参见第3页）
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
随手可焊
最大外壳焊接温度的目的：
订购信息
设备
1SMBxxxAT3G
SZ1SMBxxxAT3G
包
SMB
（无铅）
SMB
（无铅）
航运
2,500 /
磁带&卷轴
2,500 /
磁带&卷轴
260℃ 10秒
信息：
修饰的L形弯曲，提供更多的接触面积，以键合焊盘
极性：
阴极指示的极性带
安装位置：
任何
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第3页列
此数据表。
2012年2月
启示录13
1
出版订单号：
1SMB5.0AT3/D
1SMB5.0AT3G系列， SZ1SMB5.0AT3G系列
最大额定值
等级
峰值功耗（注1 ） @ T
L
= 25 ° C，脉冲宽度= 1毫秒
DC功率耗散@ T
L
= 75C测量零引线长度（注2 ）
减免上述75℃
热阻结到铅
DC功率耗散（注3 ） @ T
A
= 25C
减免上述25℃
热阻结到环境
正向浪涌电流（注4 ） @ T
A
= 25C
工作和存储温度范围
符号
P
PK
P
D
R
qJL
P
D
R
qJA
I
FSM
T
J
, T
英镑
价值
600
3.0
40
25
0.55
4.4
226
100
65
+150
单位
W
W
毫瓦/°C的
° C / W
W
毫瓦/°C的
° C / W
A
C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1. 10 X 1000
女士，
非重复性。
2. 1平方铜线垫， FR -4板。
3， FR- 4电路板，采用安森美半导体的最低建议足迹，如图403A情况下，外形尺寸规格。
4. 1/2正弦波（或同等学历方波） ， PW = 8.3毫秒，占空比= 4个脉冲每分钟最大。
电气特性
(T
A
= 25°C ，除非
另有说明，V
F
= 3.5 V最大。 @我
F
（注5）= 30 A）
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
I
F
V
F
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
正向电流
正向电压@ I
F
V
C
V
BR
V
RWM
I
F
I
I
R
V
F
I
T
V
I
PP
5. 1/2正弦波（或同等学历方波） ， PW = 8.3毫秒，
非重复的占空比。
单向TVS
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2
1SMB5.0AT3G系列， SZ1SMB5.0AT3G系列
电气特性
V
RWM
（注6 ）
V
5.0
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
10
11
12
13
14
15
16
17
18
20
22
24
26
28
30
33
36
40
43
45
48
51
54
58
60
64
70
75
85
90
100
110
120
130
150
160
170
击穿电压
I
R
@ V
RWM
mA
800
800
500
500
100
50
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
55.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
V
BR
（注7 ）
伏
民
6.40
6.67
7.22
7.78
8.33
8.89
9.44
10.0
11.1
12.2
13.3
14.4
15.6
16.7
17.8
18.9
20.0
22.2
24.4
26.7
28.9
31.1
33.3
36.7
40.0
44.4
47.8
50.0
53.3
56.7
60.0
64.4
66.7
71.1
77.8
83.3
94.4
100
111
122
133
144
167
178
189
喃
6.7
7.02
7.6
8.19
8.77
9.36
9.92
10.55
11.7
12.85
14
15.15
16.4
17.6
18.75
19.9
21.05
23.35
25.65
28.1
30.4
32.75
35.05
38.65
42.1
46.75
50.3
52.65
56.1
59.7
63.15
67.8
70.2
74.85
81.9
87.7
99.2
105.5
117
128.5
140
151.5
176
187.5
199
最大
7.0
7.37
7.98
8.6
9.21
9.83
10.4
11.1
12.3
13.5
14.7
15.9
17.2
18.5
19.7
20.9
22.1
24.5
26.9
29.5
31.9
34.4
36.8
40.6
44.2
49.1
52.8
55.3
58.9
62.7
66.3
71.2
73.7
78.6
86
92.1
104
111
123
135
147
159
185
197
209
@ I
T
mA
10
10
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
V
C
@ I
PP
（注8）
V
C
V
9.2
10.3
11.2
12.0
12.9
13.6
14.4
15.4
17.0
18.2
19.9
21.5
23.2
24.4
26.0
27.6
29.2
32.4
35.5
38.9
42.1
45.4
48.4
53.3
58.1
64.5
69.4
72.7
77.4
82.4
87.1
93.6
96.8
103
113
121
137
146
162
177
193
209
243
259
275
I
PP
A
65.2
58.3
53.6
50.0
46.5
44.1
41.7
39.0
35.3
33.0
30.2
27.9
25.8
24.0
23.1
21.7
20.5
18.5
16.9
15.4
14.2
13.2
12.4
11.3
10.3
9.3
8.6
8.3
7.7
7.3
6.9
6.4
6.2
5.8
5.3
4.9
4.4
4.1
3.7
3.4
3.1
2.9
2.5
2.3
2.2
C
典型值
（注9 ）
pF
2700
2300
2140
2005
1890
1780
1690
1605
1460
1345
1245
1160
1085
1020
965
915
870
790
730
675
630
590
555
510
470
430
400
385
365
345
330
310
300
280
260
245
220
210
190
175
160
150
135
125
120
设备*
1SMB5.0AT3G
1SMB6.0AT3G
1SMB6.5AT3G
1SMB7.0AT3G
1SMB7.5AT3G
1SMB8.0AT3G
1SMB8.5AT3G
1SMB9.0AT3G
1SMB10AT3G
1SMB11AT3G
1SMB12AT3G
1SMB13AT3G
1SMB14AT3G
1SMB15AT3G
1SMB16AT3G
1SMB17AT3G
1SMB18AT3G
1SMB20AT3G
1SMB22AT3G
1SMB24AT3G
1SMB26AT3G
1SMB28AT3G
1SMB30AT3G
1SMB33AT3G
1SMB36AT3G
1SMB40AT3G
1SMB43AT3G
1SMB45AT3G
1SMB48AT3G
1SMB51AT3G
1SMB54AT3G
1SMB58AT3G
1SMB60AT3G
1SMB64AT3G
1SMB70AT3G
1SMB75AT3G
1SMB85AT3G
1SMB90AT3G
1SMB100AT3G
1SMB110AT3G
1SMB120AT3G
1SMB130AT3G
1SMB150AT3G
1SMB160AT3G
1SMB170AT3G
设备
记号
KE
KG
KK
KM
KP
KR
KT
KV
KX
KZ
LE
LG
LK
LM
LP
LR
LT
LV
LX
LZ
ME
MG
MK
MM
MP
MR
MT
MV
MX
MZ
NE
NG
NK
NM
NP
NR
NV
NX
NZ
PE
PG
PK
PM
PP
PR
6.瞬态抑制器是根据工作峰值反向电压通常选择（V
RWM
） ，这应该是等于或大于
直流或连续峰值工作电压电平。
7. V
BR
在脉冲测试电流I测量
T
在25 ℃的环境温度下进行。
8.浪涌电流波形图元和2元的通用数据图4减免
600瓦在这个组的开始。
9.偏置电压= 0 V ， F = 1兆赫，T
J
= 25C
请参阅1SMB10CAT3到1SMB78CAT3为双向设备。
*适用包括SZ-前缀的设备。
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3
1SMB5.0AT3G系列， SZ1SMB5.0AT3G系列
100
P
PK
峰值功率（kw ）
不重复
脉冲波形
如图2中所示
10
t
r
10
ms
100
值（％）
峰值 - 我
PP
I
半值 -
PP
2
脉冲宽度（T
P
）被定义为
这一点在峰值
电流将衰减至50 ％
I
PP
.
1
50
t
P
0.1
0.1
ms
1
ms
10
ms
100
ms
1毫秒
10毫秒
0
0
1
2
3
吨，时间（ ms）的
4
5
t
P
，脉宽
图1.脉冲额定值曲线
图2.脉冲波形
160
峰值脉冲降额的％
峰值功率或电流@ T = 25
C
A
140
120
10,000
1SMB5.0AT3G
1SMB10AT3G
100
1SMB48AT3G
1SMB170AT3G
T
J
= 25C
F = 1 MHz的
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
T
A
，环境温度（ ° C）
C，电容（pF ）
1000
10
1
1
10
100
1000
偏置电压（伏）
图3.脉冲降额曲线
图4.典型结电容与
偏压
Z
in
V
in
负载
V
L
图5.典型的保护电路
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4
1SMB5.0AT3G系列， SZ1SMB5.0AT3G系列
应用笔记
响应时间
在大多数应用中，瞬变抑制器装置是
平行放置，所述设备或组件是
受保护的。在这种情况下，存在相关联的时间延迟
与器件的电容和过冲
与该装置的电感条件相关联，并且
连接方法的电感。电容
作用是不重要的，在并联保护
方案，因为它只产生的时间延迟，在
从操作电压钳位电压作为过渡
在图6中示出。
在器件中的电感效应是由于实际
开启时间（所需要的设备，从零到时间
到全电流）和引线电感电流。这种感性
效应产生的过冲在整个电压
设备或组件的保护，如图
图7.尽量减少这种过冲是在非常重要
应用中，由于主要目的，用于将瞬时
抑制器是为钳位电压峰值。在SMB系列有
一个很好的响应时间，通常为< 1.0 ns到可以忽略不计
电感。但是，外部感应效应可能
产生不可接受的过冲。正确的电路布局，
最小导线长度，并把抑制装置
关闭尽可能的设备或部件是
保护将这种过冲最小化。
由Z表示的一些输入阻抗
in
是必不可少的
防止所述保护装置的过应力。这种阻抗
应尽可能地高，而不限制电路
操作。
占空比降额
图1的数据适用于不重复的条件
并在25 ℃的铅温度。如果占空比增大，
由曲线所指示的峰值功率必须减少
图8.平均功耗必须降低为主角或
环境温度上升到高于25 ℃。平均功率
降额曲线上的数据表，通常给出可能
归一化，并用于此目的。
乍一看，图8中的降额曲线似乎是
错误为10毫秒的脉冲具有比更高的降额系数
10
ms
脉搏。然而，当一降额因子
图8中的给定的脉冲乘以峰值功率
图1为相同的脉冲的值，结果按照
预期的趋势。
过冲DUE TO
电感效应
V
in
（瞬态）
V
L
V
V
in
（瞬态）
V
L
V
V
in
t
d
t
D
= TIME DELAY由于电容的影响
t
t
图6 。
1
0.7
0.5
降额因子
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
10
ms
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
D，占空比（ ％ ）
20
图7 。
脉冲宽度
10毫秒
1毫秒
100
ms
50 100
图8.典型的降额因子的占空比
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5
QQ：2880707522 复制
