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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1592页 > SZ1SMA10CAT3G
1SMA10CAT3G系列,
SZ1SMA10CAT3G系列
400瓦峰值功率齐纳
瞬态电压
抑制器
双向
该SMA系列是专为保护电压敏感
组件由高电压,高能量瞬变。他们有
出色的钳位能力,高浪涌能力,低齐纳
阻抗和快速响应时间。该SMA系列供应
安森美半导体专有的,高性价比,高可靠性
SURMETIC
封装,非常适合于使用在
通信系统,汽车,数字控制,过程
控制,医疗设备,商用机器,电源和
许多其他工业/消费应用。
特点
http://onsemi.com
塑料表面贴装
齐纳管
瞬态抑制器
1078 V V
R
400瓦峰值功率
工作峰值反向电压范围
10 V至78 V
标准齐纳击穿电压范围
11.7 V至91.3 V
峰值功率
400瓦@ 1毫秒
ESD额定值3类( > 16千伏)每人体模型
响应时间通常< 1纳秒
平板触摸表面的精确定位
包装设计上滑板或底部电路板安装
低廓包
SZ前缀为汽车和独特需要其他应用程序
站点和控制变化的要求; AEC - Q101标准和
PPAP有能力
无铅包可用*
机械特性:
案例:
无空隙,传输模塑料
表面处理:
所有的外部表面耐腐蚀和导线
SMA
CASE 403D
塑料
标记图
XXC
AYWWG
XXC
A
Y
WW
G
=设备代码(参见第3页)
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
随手可焊
最大外壳焊接温度的目的:
订购信息
设备
**
1SMAxxCAT3G
SZ1SMAxxCAT3G
SMA
(无铅)
SMA
(无铅)
航运
5,000 /
磁带&卷轴
5,000 /
磁带&卷轴
260℃ 10秒
极性:
阴极极性缺口不表示极性
安装位置:
任何
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
**的“T3”的后缀是指一个13英寸的卷轴。
器件标识信息
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2012
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第3页列
此数据表。
2012年2月
启示录12
1
出版订单号:
1SMA10CAT3/D
1SMA10CAT3G系列, SZ1SMA10CAT3G系列
最大额定值
等级
峰值功耗(注1 ) @ T
L
= 25 ° C,脉冲宽度= 1毫秒
DC功率耗散@ T
L
= 75C测量零引线长度(注2 )
减免上述75℃
热阻结到铅
DC功率耗散(注3 ) @ T
A
= 25C
减免上述25℃
热阻结到环境
工作和存储温度范围
符号
P
PK
P
D
R
qJL
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
价值
400
1.5
20
50
0.5
4.0
250
65
+150
单位
W
W
毫瓦/°C的
° C / W
W
毫瓦/°C的
° C / W
C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
1. 10 X 1000
女士,
非重复性。
2. 1平方铜线垫, FR -4板。
3, FR- 4电路板,采用安森美半导体的最低建议足迹,如图403B的情况下外形尺寸规格。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
I
PP
I
T
V
C
V
BR
V
RWM
I
R
I
R
V
RWM
V
BR
V
C
I
T
V
I
PP
I
双向TVS
http://onsemi.com
2
1SMA10CAT3G系列, SZ1SMA10CAT3G系列
电气特性
V
RWM
(注4 )
10
11
12
13
14
15
16
18
20
24
26
28
30
33
36
40
48
51
58
60
70
78
击穿电压
I
R
@ V
RWM
mA
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
1.0
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
V
BR
(伏)
(注5 )
11.1
12.2
13.3
14.4
15.6
16.7
17.8
20
22.2
26.7
28.9
31.1
33.3
36.7
40
44.4
53.3
56.7
64.4
66.7
77.8
86.7
11.69
12.84
14.00
15.16
16.42
17.58
18.74
21.06
23.37
28.11
30.42
32.74
35.06
38.63
42.11
46.74
56.11
59.69
67.79
70.21
81.90
91.27
最大
12.27
13.48
14.70
15.92
17.24
18.46
19.67
22.11
24.54
29.51
31.94
34.37
36.81
40.56
44.21
49.07
58.91
62.67
71.18
73.72
85.99
95.83
@ I
T
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
V
C
@ I
PP
(注6 )
V
C
17.0
18.2
19.9
21.5
23.2
24.4
26.0
29.2
32.4
38.9
42.1
45.4
48.4
53.3
58.1
64.5
77.4
82.4
93.6
96.8
113
126
I
PP
安培
23.5
22.0
20.1
18.6
17.2
16.4
15.4
13.7
12.3
10.3
9.5
8.8
8.3
7.5
6.9
6.2
5.2
4.9
4.3
4.1
3.5
3.2
典型。
(注7 )
pF
580
530
490
455
425
400
375
335
305
260
240
225
210
190
175
160
135
130
115
110
95
90
设备*
1SMA10CAT3G
1SMA11CAT3G
1SMA12CAT3G
1SMA13CAT3G
1SMA14CAT3G
1SMA15CAT3G
1SMA16CAT3G
1SMA18CAT3G
1SMA20CAT3G
1SMA24CAT3G
1SMA26CAT3G
1SMA28CAT3G
1SMA30CAT3G
1SMA33CAT3G
1SMA36CAT3G
1SMA40CAT3G
1SMA48CAT3G
1SMA51CAT3G
1SMA58CAT3G
1SMA60CAT3G
1SMA70CAT3G
1SMA78CAT3G
设备
记号
QXC
QZC
REC
研资局
RKC
RMC
RPC
RTC
RVC
RZC
美国证券交易委员会
SGC
SKC
SMC
SPC
SRC
SXC
SZC
TGC
TKC
TPC
TTC
4.瞬态抑制器是根据工作峰值反向电压通常选择(V
RWM
) ,这应该是等于或大于
直流或连续峰值工作电压
5. V
BR
在脉冲测试电流I测量
T
在25 ℃的环境温度
6.浪涌电流波形每图2和图每3减免
7.偏置电压= 0 V , F = 1.0兆赫,T
J
= 25C.
请参阅1SMA5.0AT3到1SMA78AT3为单向器件。
*适用包括SZ-前缀的设备。
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3
1SMA10CAT3G系列, SZ1SMA10CAT3G系列
额定值和典型特征曲线
100
IPPM ,峰值脉冲电流( % )
不重复
脉冲波形
在网络连接gure 2所示。
T
A
= 25C
120
= 10
ms
100
80
60
40
20
0
0.001
0.01
0.1
t
P
,脉冲宽度(毫秒)
1
10
峰值
I
PPM
T
A
= 25C
PW (我
D
)是德网络定义为
点的峰值电流
衰减到我的50 %
pp
.
PPK ,峰值功率(kw )
10
半值 - 我
pp
/2
10/1000
ms
波形
界定的R.E.A.
t
d
0
1
2
吨,时间( ms)的
3
4
5
1
0.1
10
-4
图1.脉冲额定值曲线
图2.脉冲波形
120
峰值脉冲降额的%
峰值功率或电流
100
80
60
40
20
0
10× 1000波形
界定的R.E.A.
C,电容(pF )
1,000
1SMA10CAT3G
1SMA18CAT3G
100
T
J
= 25C
F = 1 MHz的
1SMA48CAT3G
1SMA78CAT3G
10
1
0
40
80
120
160
T
A
,环境温度( ° C)
200
1
10
偏置电压(伏)
100
图3.脉冲降额曲线
图4.典型结电容与
偏压
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4
1SMA10CAT3G系列, SZ1SMA10CAT3G系列
包装尺寸
SMA
CASE 403D -02
本期
H
E
E
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3. 403D -01已过时,新标准是403D -02 。
暗淡
A
A1
b
c
D
E
H
E
L
1.97
0.05
1.27
0.15
2.29
4.06
4.83
0.76
MILLIMETERS
最大
2.10
2.20
0.10
0.15
1.45
1.63
0.28
0.41
2.60
2.92
4.32
4.57
5.21
5.59
1.14
1.52
0.078
0.002
0.050
0.006
0.090
0.160
0.190
0.030
英寸
0.083
0.004
0.057
0.011
0.103
0.170
0.205
0.045
最大
0.087
0.006
0.064
0.016
0.115
0.180
0.220
0.060
b
D
极性检测指示灯
根据系统需要可选
(见样式)
A
A1
L
c
焊接足迹*
4.0
0.157
2.0
0.0787
2.0
0.0787
尺度8:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
SURMETIC是半导体元件工业,LLC的注册商标。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
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为了文学:
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1SMA10CAT3/D
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SZ1SMA10CAT3G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
SZ1SMA10CAT3G
Littelfuse Inc.
24+
89025
SMA
全新原装现货,原厂代理。
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
SZ1SMA10CAT3G
力特
21+22+
62710
SMA
原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1454677900 复制 点击这里给我发消息 QQ:1909637520 复制
电话:0755-23613962/82706142
联系人:雷小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
SZ1SMA10CAT3G
LITTELFUSE/力特
2024+
9675
SMD
优势现货,全新原装进口
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
SZ1SMA10CAT3G
ON/安森美
22+
32570
SMA
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-82778126
联系人:曾先生
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SZ1SMA10CAT3G
ON
21+
46800
SMA
★★一级分销商,正品
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电话:0755-83044308
联系人:卢小姐
地址:福田区福田街道雷圳大厦
SZ1SMA10CAT3G
LITTELFUSE/力特
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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