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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第636页 > SY100EP196VTGTR
麦克雷尔INC 。
3.3V / 5V的2.5GHz可编程
延迟微调控制
ECL临
SY100EP196V
ECL临
SY100EP196V
特点
■
引脚对引脚，插件兼容到ON
半导体MC100EP196
■
最高频率为2.5GHz >
■
可编程范围： 2.2ns到12.2ns
■
10马力的增量
■
30PS微调范围
■
PECL模式经营范围： V
CC
= 3.0V至5.5V
随着V
EE
= 0V
■
NECL模式经营范围： V
CC
= 0V
随着V
EE
= -3.0V至-5.5V
■
打开输入默认状态
■
安全钳上的投入
■
逻辑上高/ EN引脚将迫使Q为逻辑低电平
■
D [ 0:10 ]可以接受ECL ， CMOS或TTL逻辑电平
■
V
BB
输出参考电压
■
采用32引脚TQFP封装
ECL临
描述
该SY100EP196V是一个可编程延时线，变
逻辑信号需要从在遍历的时候在Q点
延迟可能从约2.2ns约12.2ns 。输入
可以PECL ， LVPECL ， NECL ，或LVNECL 。
延迟在基于控制的离散步骤而变化
字呈现给SY100EP196V 。这10位宽度
锁定控制寄存器允许延迟增量
约10马力。此外，延迟可以改变
连续地处于大约30PS范围通过将电压
在FTUNE引脚。
第十一控制位允许多的级联
SY100EP196V设备，为更广泛的延迟范围。每
另外SY100EP196V有效地加倍延迟范围
可用。
为了获得最大的灵活性，控制寄存器接口
接受CMOS或TTL电平信号，以及所述输入
在IN水平±引脚。
所有支持文档可在麦克雷尔的网站上找到
网址为： www.micrel.com 。
应用
■
时钟去歪斜
■
定时调整
■
光圈定心
对照表
麦瑞半导体
SY100EP196VTI
SY100EP196VTITR
安森美半导体
MC100EP196FA
MC100EP196FAR2
典型应用电路
典型性能
延迟 - 点击
数据信号
未知阶段
时钟+
顺时针
微调电压
SY100EP196V
IN
Q
/ IN
FTUNE / Q
D[9:0]
12000
D
Q+
倒装佛罗里达州运
DELAY （ PS）
Q–
10000
8000
6000
4000
2000
控制
逻辑
0
0
200 400 600 800 1000 1200
TAP （数字字）
CK
ECL Pro是麦克雷尔公司的注册商标。
M9999-120505
hbwhelp@micrel.com或（408） 955-1690
冯：D
修订： / 0
1
发行日期： 2005年12月
麦克雷尔INC 。
ECL临
SY100EP196V
封装/订购信息
D7
D6
D5
D4
VEE
D3
D2
D1
订购信息
(1)
24
23
22
21
20
19
18
17
VEE
D0
VCC
Q
/Q
VCC
VCC
FTUNE
32 31 30 29 28 27 26 25
D8
D9
D10
IN
/ IN
VBB
VEF
VCF
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15 16
VEE
LEN
SETMIN
SETMAX
VCC
/ CASCADE
级联
/ EN
产品型号
SY100EP196VTI
SY100EP196VTITR
(2)
SY100EP196VTG
(3)
SY100EP196VTGTR
(2, 3)
包
TYPE
T32-1
T32-1
T32-1
T32-1
操作
范围
产业
产业
产业
产业
包
记号
SY100EP196V
SY100EP196V
SY100EP196V与
无铅扎线指标
SY100EP196V与
无铅扎线指标
领导
完
的Sn-Pb
的Sn-Pb
无铅
镍钯金
无铅
镍钯金
注意事项：
1.联系工厂用于芯片的可用性。骰子是保证在T
A
= 25 ° C，仅直流ELECTRICALS 。
2.磁带和卷轴。
3.无铅封装推荐用于新设计。
32引脚TQFP （ T32-1 ）
功能框图
IN
/ IN
/ EN
512
GD
0
1
0
0
0
0
256
GD
1
128
GD
1
64
GD
1
32
GD
1
0
0
0
0
0
16
GD
1
8
GD
1
4
GD
1
2
GD
1
1
GD
1
FTUNE
D[9:0]
LEN
SETMIN
SETMAX
10-bit
LATCH
1
GD
0
1
Q
/Q
D[10]
LATCH
级联
/ CASCADE
V
BB
V
CF
V
EF
M9999-120505
hbwhelp@micrel.com或（408） 955-1690
2
麦克雷尔INC 。
ECL临
SY100EP196V
引脚说明
引脚数
23, 25, 26, 27, 29,
30, 31, 32, 1, 2
引脚名称
D[0:9]
引脚功能
CMOS ， ECL ， TTL或选择输入：这些数字控制信号调节量
从延迟到Q.请参阅“交流电气表” （第3页）和表7 （页面
17），延迟值。图9显示了如何将这些输入到不同的逻辑系列
标准。这些输入默认为逻辑低电平时悬空。位0是最低
显著位和第9位是最显著位。
CMOS ， ECL ， TTL或选择输入：此输入锁存器就像D [ 0 ： 9 ]一样。它驱动
CASCADE ， / CASCADE差分对。只有级联两个或两个以上时使用
SY100EP196V延长所需的延迟的范围内。
ECL输入：这是要被延迟的信号。如果这个输入对被悬空，这是
相当于一个逻辑低输入。
电压输出参考：当为中和/中使用一个单端逻辑源，
差分对未使用的输入端连接到该引脚。该引脚还可以再偏AC-
加上输入和/ IN 。在使用时，解夫妇此引脚到V
CC
通过一个0.01μF
电容。限制电流吸收或采购到0.5毫安以下。
电压输出：此引脚连接到VCF当D输入ECL 。参阅
数字
控制逻辑标准“
的部分
“功能说明”
接口为D投入
CMOS或TTL 。
电压输入：在这个引脚上的电压设置为D输入逻辑转换阈值。
最负电源。供应地为PECL系统。
ECL控制输入：当逻辑低电平时， D输入流过。如有任何更改， D输入
反映在间期， / IN和Q / Q延迟。当逻辑高电平时，逻辑值，在D是
锁存，并且这些锁存位确定的延迟。
ECL控制输入：当逻辑高电平， D寄存器的内容复位。这台
延迟到最小可能的，相当于D [ 0 ：9]被设置为0000000000.当逻辑
低， D寄存器，或SETMAX的逻辑值的值确定从延迟
IN， / IN至Q， / Q 。当离开该输入默认为逻辑低电平无关。
电致化学发光控制输入：当逻辑高和SETMIN是D的逻辑低，其内容
寄存器被设置为高，并且所述延迟被设置为一个步骤大于最大可能
以D [0： 9]设定为1111111111.当逻辑低时，D寄存器的值，或者所述逻辑
SETMIN的值决定延迟从IN， / IN至Q， / Q 。该输入默认为逻辑
低时悬空。
最积极的电源供应地面NECL系统。绕道V
EE
用0.1μF和
0.01μF的低ESR电容。
10万ECL输出：这些输出级联两个或更多SY100EP196V时使用
到级/级联扩展所需的延迟范围。请参考表7 （第17页）延迟
值。
电致化学发光控制输入：当设定为有效低，Q / Q为IN的延迟版本， / IN 。当设置
非活性高，IN / IN被选通，使得Q， / Q成为一个差分逻辑低。该输入
离开时，默认为逻辑低电平无关。
电压控制输入：通过改变电压，该引脚从V
CC
通过V
EE
时，延迟
可通过大约进行微调
±15ps.
100k的ECL输出：该信号对是IN的延迟版本， / IN 。
3
D[10]
4, 5
6
IN， / IN
VBB
7
VEF
8
9, 24, 28
10
VCF
VEE
LEN
11
SETMIN
12
SETMAX
13, 18, 19, 22
14, 15
VCC
CASCADE ，
16
/ EN
17
20, 21
FTUNE
Q, /Q
M9999-120505
hbwhelp@micrel.com或（408） 955-1690
3
麦克雷尔INC 。
ECL临
SY100EP196V
绝对最大额定值
(1)
电源电压（V
CC
)
PECL模式（V
EE
= 0V） ............................. -0.5V至+ 6.0V
电源电压（V
EE
)
NECL模式（V
CC
= 0V ） ............................ + 0.5V至-6.0V
任何输入电压（V
IN
)
PECL模式....................................... -0.5V到V
CC
+0.5V
NECL模式....................................... + 0.5V至V
EE
–0.5V
ECL的输出电流（I
OUT
)
连续................................................. ............ 50毫安
浪涌................................................. ................... 100毫安
I
BB
吸入/源出电流..........................................
±0.5mA
焊接温度（焊接， 20秒） ................... + 260℃
存储温度（T
S
） ....................... -65 ° C至+ 150°C
ESD额定值
(3)
.................................................. ......... >1.5kV
工作额定值
(2)
电源电压（V
CC
)
PECL模式（V
EE
= 0V ） ............................. + 3.0V至+ 5.5V
电源电压（V
EE
)
NECL模式（V
CC
= 0V） ............................ -3.0V至-5.5V
环境温度（T
A
） ......................... -40 ° C至+ 85°C
封装热阻
TQFP- 32 （ θ
JA
)
静止空气............................................... .............. 50 ° C / W
500lfpm ................................................. ........... 42 ° C / W
TQFP- 32 （ θ
JC
） ................................................. .... 20 ° C / W
DC电气特性
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
符号
V
CC
V
EE
I
EE
注意事项：
如果可能发生1.永久设备损坏
「绝对最大额定值」
被超过。这是一个额定值只和功能的操作不
隐含在高于此数据表的操作部分详述的其他条件。接触
“绝对最大额定值”
条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
2.数据片的限制，不能保证该设备是否超出操作评分操作。
3.设备是ESD敏感。建议操作注意事项。
采用+ 5V或-5V电源时， 4必填500lfpm气流。
参数
电源电压（ PECL ）
电源电压（ NECL ）
电源电流
(4)
条件
民
3.0
4.5
–3.6
–5.5
典型值
3.3
5.0
–3.3
–5.0
150
最大
3.6
5.5
–3.0
–4.5
175
单位
V
V
V
V
mA
无负载，过电源电压
M9999-120505
hbwhelp@micrel.com或（408） 955-1690
4
麦克雷尔INC 。
ECL临
SY100EP196V
（ 100KEP ） LVPECL直流电气特性
V
CC
= 3.3V, V
EE
= 0V ;牛逼
A
= -40 ° C至+ 85°C
(5, 6)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
PECL
CMOS
TTL
输入低电压
PECL
CMOS
TTL
输出电压参考值
输入电压选择
连接方式
输入高电压通用
模范围
(7)
输入高电流
输入低电平电流
IN
/ IN
0.5
–150
图5
条件
图2，图3，图6
图2，图3，图6
图1,4
2075
1815
2000
图1,4
1355
1675
1485
800
1875
1720
2000
1975
1825
2100
3.3
150
mV
mV
mV
mV
mV
mV
V
A
A
A
2420
mV
mV
mV
民
2155
1355
典型值
2280
1480
最大
2405
1605
单位
mV
mV
V
IL
V
BB
V
CF
V
EF
V
IHCMR
I
IH
I
IL
1775
1610
1900
2.0
注意事项：
5.设备是保证满足DC的规格，在上表所示，热平衡建立后。该装置中进行测试
一个插座，使得横向气流
≥
500lfpm被保持。
6.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+ 0.3V至-2.2V 。
7. V
IHCMR
最大变化为1：1结合V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分输入信号的最积极的一面。
M9999-120505
hbwhelp@micrel.com或（408） 955-1690
5
麦克雷尔INC 。
3.3V / 5V的2.5GHz可编程
延迟微调控制
ECL临
SY100EP196V
ECL临
SY100EP196V
特点
■
引脚对引脚，插件兼容到ON
半导体MC100EP196
■
最高频率为2.5GHz >
■
可编程范围： 2.2ns到12.2ns
■
10马力的增量
■
30PS微调范围
■
PECL模式经营范围： V
CC
= 3.0V至5.5V
随着V
EE
= 0V
■
NECL模式经营范围： V
CC
= 0V
随着V
EE
= -3.0V至-5.5V
■
打开输入默认状态
■
安全钳上的投入
■
逻辑上高/ EN引脚将迫使Q为逻辑低电平
■
D [ 0:10 ]可以接受ECL ， CMOS或TTL逻辑电平
■
V
BB
输出参考电压
■
采用32引脚TQFP封装
ECL临
描述
该SY100EP196V是一个可编程延时线，变
逻辑信号需要从在遍历的时候在Q点
延迟可能从约2.2ns约12.2ns 。输入
可以PECL ， LVPECL ， NECL ，或LVNECL 。
延迟在基于控制的离散步骤而变化
字呈现给SY100EP196V 。这10位宽度
锁定控制寄存器允许延迟增量
约10马力。此外，延迟可以改变
连续地处于大约30PS范围通过将电压
在FTUNE引脚。
第十一控制位允许多的级联
SY100EP196V设备，为更广泛的延迟范围。每
另外SY100EP196V有效地加倍延迟范围
可用。
为了获得最大的灵活性，控制寄存器接口
接受CMOS或TTL电平信号，以及所述输入
在IN水平±引脚。
所有支持文档可在麦克雷尔的网站上找到
网址为： www.micrel.com 。
应用
■
时钟去歪斜
■
定时调整
■
光圈定心
对照表
麦瑞半导体
SY100EP196VTI
SY100EP196VTITR
安森美半导体
MC100EP196FA
MC100EP196FAR2
典型应用电路
典型性能
延迟 - 点击
数据信号
未知阶段
时钟+
顺时针
微调电压
SY100EP196V
IN
Q
/ IN
FTUNE / Q
D[9:0]
12000
D
Q+
倒装佛罗里达州运
DELAY （ PS）
Q–
10000
8000
6000
4000
2000
控制
逻辑
0
0
200 400 600 800 1000 1200
TAP （数字字）
CK
ECL Pro是麦克雷尔公司的注册商标。
M9999-072706
hbwhelp@micrel.com或（408） 955-1690
REV ：E
修订： / 0
1
发行日期： 2006年7月
麦克雷尔INC 。
ECL临
SY100EP196V
封装/订购信息
D7
D6
D5
D4
VEE
D3
D2
D1
订购信息
(1)
24
23
22
21
20
19
18
17
VEE
D0
VCC
Q
/Q
VCC
VCC
FTUNE
32 31 30 29 28 27 26 25
D8
D9
D10
IN
/ IN
VBB
VEF
VCF
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15 16
VEE
LEN
SETMIN
SETMAX
VCC
/ CASCADE
级联
/ EN
产品型号
SY100EP196VTI
SY100EP196VTITR
(2)
SY100EP196VTG
(3)
SY100EP196VTGTR
(2, 3)
包
TYPE
T32-1
T32-1
T32-1
T32-1
操作
范围
产业
产业
产业
产业
包
记号
SY100EP196V
SY100EP196V
SY100EP196V与
无铅扎线指标
SY100EP196V与
无铅扎线指标
领导
完
的Sn-Pb
的Sn-Pb
无铅
镍钯金
无铅
镍钯金
注意事项：
1.联系工厂用于芯片的可用性。骰子是保证在T
A
= 25 ° C，仅直流ELECTRICALS 。
2.磁带和卷轴。
3.无铅封装推荐用于新设计。
32引脚TQFP （ T32-1 ）
功能框图
IN
/ IN
/ EN
512
GD
0
1
0
0
0
0
256
GD
1
128
GD
1
64
GD
1
32
GD
1
0
0
0
0
0
16
GD
1
8
GD
1
4
GD
1
2
GD
1
1
GD
1
FTUNE
D[9:0]
LEN
SETMIN
SETMAX
10-bit
LATCH
1
GD
0
1
Q
/Q
D[10]
LATCH
级联
/ CASCADE
V
BB
V
CF
V
EF
M9999-072706
hbwhelp@micrel.com或（408） 955-1690
2
麦克雷尔INC 。
ECL临
SY100EP196V
引脚说明
引脚数
23, 25, 26, 27, 29,
30, 31, 32, 1, 2
引脚名称
D[0:9]
引脚功能
CMOS ， ECL ， TTL或选择输入：这些数字控制信号调节量
从延迟到Q.请参阅“交流电气表” （第3页）和表7 （页面
17），延迟值。图9显示了如何将这些输入到不同的逻辑系列
标准。这些输入默认为逻辑低电平时悬空。位0是最低
显著位和第9位是最显著位。
CMOS ， ECL ， TTL或选择输入：此输入锁存器就像D [ 0 ： 9 ]一样。它驱动
CASCADE ， / CASCADE差分对。只有级联两个或两个以上时使用
SY100EP196V延长所需的延迟的范围内。
ECL输入：这是要被延迟的信号。如果这个输入对被悬空，这是
相当于一个逻辑低输入。
电压输出参考：当为中和/中使用一个单端逻辑源，
差分对未使用的输入端连接到该引脚。该引脚还可以再偏AC-
加上输入和/ IN 。在使用时，解夫妇此引脚到V
CC
通过一个0.01μF
电容。限制电流吸收或采购到0.5毫安以下。
电压输出：此引脚连接到VCF当D输入ECL 。参阅
数字
控制逻辑标准“
的部分
“功能说明”
接口为D投入
CMOS或TTL 。
电压输入：在这个引脚上的电压设置为D输入逻辑转换阈值。
最负电源。供应地为PECL系统。
ECL控制输入：当逻辑低电平时， D输入流过。如有任何更改， D输入
反映在间期， / IN和Q / Q延迟。当逻辑高电平时，逻辑值，在D是
锁存，并且这些锁存位确定的延迟。
ECL控制输入：当逻辑高电平， D寄存器的内容复位。这台
延迟到最小可能的，相当于D [ 0 ：9]被设置为0000000000.当逻辑
低， D寄存器，或SETMAX的逻辑值的值确定从延迟
IN， / IN至Q， / Q 。当离开该输入默认为逻辑低电平无关。
电致化学发光控制输入：当逻辑高和SETMIN是D的逻辑低，其内容
寄存器被设置为高，并且所述延迟被设置为一个步骤大于最大可能
以D [0： 9]设定为1111111111.当逻辑低时，D寄存器的值，或者所述逻辑
SETMIN的值决定延迟从IN， / IN至Q， / Q 。该输入默认为逻辑
低时悬空。
最积极的电源供应地面NECL系统。绕道V
EE
用0.1μF和
0.01μF的低ESR电容。
10万ECL输出：这些输出级联两个或更多SY100EP196V时使用
到级/级联扩展所需的延迟范围。请参考表7 （第17页）延迟
值。
电致化学发光控制输入：当设定为有效低，Q / Q为IN的延迟版本， / IN 。当设置
非活性高，IN / IN被选通，使得Q， / Q成为一个差分逻辑低。该输入
离开时，默认为逻辑低电平无关。
电压控制输入：通过改变电压，该引脚从V
CC
通过V
EE
时，延迟
可通过大约进行微调
±15ps.
留针，如果不使用浮动。
100k的ECL输出：该信号对是IN的延迟版本， / IN 。
3
D[10]
4, 5
6
IN， / IN
VBB
7
VEF
8
9, 24, 28
10
VCF
VEE
LEN
11
SETMIN
12
SETMAX
13, 18, 19, 22
14, 15
VCC
CASCADE ，
16
/ EN
17
20, 21
FTUNE
Q, /Q
M9999-072706
hbwhelp@micrel.com或（408） 955-1690
3
麦克雷尔INC 。
ECL临
SY100EP196V
绝对最大额定值
(1)
电源电压（V
CC
)
PECL模式（V
EE
= 0V） ............................. -0.5V至+ 6.0V
电源电压（V
EE
)
NECL模式（V
CC
= 0V ） ............................ + 0.5V至-6.0V
任何输入电压（V
IN
)
PECL模式....................................... -0.5V到V
CC
+0.5V
NECL模式....................................... + 0.5V至V
EE
–0.5V
ECL的输出电流（I
OUT
)
连续................................................. ............ 50毫安
浪涌................................................. ................... 100毫安
I
BB
吸入/源出电流..........................................
±0.5mA
焊接温度（焊接， 20秒） ................... + 260℃
存储温度（T
S
） ....................... -65 ° C至+ 150°C
ESD额定值
(3)
.................................................. ......... >1.5kV
工作额定值
(2)
电源电压（V
CC
)
PECL模式（V
EE
= 0V ） ............................. + 3.0V至+ 5.5V
电源电压（V
EE
)
NECL模式（V
CC
= 0V） ............................ -3.0V至-5.5V
环境温度（T
A
） ......................... -40 ° C至+ 85°C
封装热阻
TQFP- 32 （ θ
JA
)
静止空气............................................... .............. 50 ° C / W
500lfpm ................................................. ........... 42 ° C / W
TQFP- 32 （ θ
JC
） ................................................. .... 20 ° C / W
DC电气特性
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
符号
V
CC
V
EE
I
EE
注意事项：
如果可能发生1.永久设备损坏
「绝对最大额定值」
被超过。这是一个额定值只和功能的操作不
隐含在高于此数据表的操作部分详述的其他条件。接触
“绝对最大额定值”
条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
2.数据片的限制，不能保证该设备是否超出操作评分操作。
3.设备是ESD敏感。建议操作注意事项。
采用+ 5V或-5V电源时， 4必填500lfpm气流。
参数
电源电压（ PECL ）
电源电压（ NECL ）
电源电流
(4)
条件
民
3.0
4.5
–3.6
–5.5
典型值
3.3
5.0
–3.3
–5.0
150
最大
3.6
5.5
–3.0
–4.5
175
单位
V
V
V
V
mA
无负载，过电源电压
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4
麦克雷尔INC 。
ECL临
SY100EP196V
（ 100KEP ） LVPECL直流电气特性
V
CC
= 3.3V, V
EE
= 0V ;牛逼
A
= -40 ° C至+ 85°C
(5, 6)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
PECL
CMOS
TTL
输入低电压
PECL
CMOS
TTL
输出电压参考值
输入电压选择
连接方式
输入高电压通用
模范围
(7)
输入高电流
输入低电平电流
IN
/ IN
0.5
–150
图5
条件
图2，图3，图6
图2，图3，图6
图1,4
2075
1815
2000
图1,4
1355
1675
1485
800
1875
1720
2000
1975
1825
2100
3.3
150
mV
mV
mV
mV
mV
mV
V
A
A
A
2420
mV
mV
mV
民
2155
1355
典型值
2280
1480
最大
2405
1605
单位
mV
mV
V
IL
V
BB
V
CF
V
EF
V
IHCMR
I
IH
I
IL
1775
1610
1900
2.0
注意事项：
5.设备是保证满足DC的规格，在上表所示，热平衡建立后。该装置中进行测试
一个插座，使得横向气流
≥
500lfpm被保持。
6.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+ 0.3V至-2.2V 。
7. V
IHCMR
最大变化为1：1结合V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分输入信号的最积极的一面。
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5
麦克雷尔INC 。
3.3V / 5V的2.5GHz可编程
延迟微调控制
ECL临
SY100EP196V
ECL临
SY100EP196V
特点
■
引脚对引脚，插件兼容到ON
半导体MC100EP196
■
最高频率为2.5GHz >
■
可编程范围： 2.2ns到12.2ns
■
10马力的增量
■
30PS微调范围
■
PECL模式经营范围： V
CC
= 3.0V至5.5V
随着V
EE
= 0V
■
NECL模式经营范围： V
CC
= 0V
随着V
EE
= -3.0V至-5.5V
■
打开输入默认状态
■
安全钳上的投入
■
逻辑上高/ EN引脚将迫使Q为逻辑低电平
■
D [ 0:10 ]可以接受ECL ， CMOS或TTL逻辑电平
■
V
BB
输出参考电压
■
采用32引脚TQFP封装
ECL临
描述
该SY100EP196V是一个可编程延时线，变
逻辑信号需要从在遍历的时候在Q点
延迟可能从约2.2ns约12.2ns 。输入
可以PECL ， LVPECL ， NECL ，或LVNECL 。
延迟在基于控制的离散步骤而变化
字呈现给SY100EP196V 。这10位宽度
锁定控制寄存器允许延迟增量
约10马力。此外，延迟可以改变
连续地处于大约30PS范围通过将电压
在FTUNE引脚。
第十一控制位允许多的级联
SY100EP196V设备，为更广泛的延迟范围。每
另外SY100EP196V有效地加倍延迟范围
可用。
为了获得最大的灵活性，控制寄存器接口
接受CMOS或TTL电平信号，以及所述输入
在IN水平±引脚。
所有支持文档可在麦克雷尔的网站上找到
网址为： www.micrel.com 。
应用
■
时钟去歪斜
■
定时调整
■
光圈定心
对照表
麦瑞半导体
SY100EP196VTI
SY100EP196VTITR
安森美半导体
MC100EP196FA
MC100EP196FAR2
典型应用电路
典型性能
延迟 - 点击
数据信号
未知阶段
时钟+
顺时针
微调电压
SY100EP196V
IN
Q
/ IN
FTUNE / Q
D[9:0]
12000
D
Q+
倒装佛罗里达州运
DELAY （ PS）
Q–
10000
8000
6000
4000
2000
控制
逻辑
0
0
200 400 600 800 1000 1200
TAP （数字字）
CK
ECL Pro是麦克雷尔公司的注册商标。
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冯：D
修订： / 0
1
发行日期： 2005年12月
麦克雷尔INC 。
ECL临
SY100EP196V
封装/订购信息
D7
D6
D5
D4
VEE
D3
D2
D1
订购信息
(1)
24
23
22
21
20
19
18
17
VEE
D0
VCC
Q
/Q
VCC
VCC
FTUNE
32 31 30 29 28 27 26 25
D8
D9
D10
IN
/ IN
VBB
VEF
VCF
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15 16
VEE
LEN
SETMIN
SETMAX
VCC
/ CASCADE
级联
/ EN
产品型号
SY100EP196VTI
SY100EP196VTITR
(2)
SY100EP196VTG
(3)
SY100EP196VTGTR
(2, 3)
包
TYPE
T32-1
T32-1
T32-1
T32-1
操作
范围
产业
产业
产业
产业
包
记号
SY100EP196V
SY100EP196V
SY100EP196V与
无铅扎线指标
SY100EP196V与
无铅扎线指标
领导
完
的Sn-Pb
的Sn-Pb
无铅
镍钯金
无铅
镍钯金
注意事项：
1.联系工厂用于芯片的可用性。骰子是保证在T
A
= 25 ° C，仅直流ELECTRICALS 。
2.磁带和卷轴。
3.无铅封装推荐用于新设计。
32引脚TQFP （ T32-1 ）
功能框图
IN
/ IN
/ EN
512
GD
0
1
0
0
0
0
256
GD
1
128
GD
1
64
GD
1
32
GD
1
0
0
0
0
0
16
GD
1
8
GD
1
4
GD
1
2
GD
1
1
GD
1
FTUNE
D[9:0]
LEN
SETMIN
SETMAX
10-bit
LATCH
1
GD
0
1
Q
/Q
D[10]
LATCH
级联
/ CASCADE
V
BB
V
CF
V
EF
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2
麦克雷尔INC 。
ECL临
SY100EP196V
引脚说明
引脚数
23, 25, 26, 27, 29,
30, 31, 32, 1, 2
引脚名称
D[0:9]
引脚功能
CMOS ， ECL ， TTL或选择输入：这些数字控制信号调节量
从延迟到Q.请参阅“交流电气表” （第3页）和表7 （页面
17），延迟值。图9显示了如何将这些输入到不同的逻辑系列
标准。这些输入默认为逻辑低电平时悬空。位0是最低
显著位和第9位是最显著位。
CMOS ， ECL ， TTL或选择输入：此输入锁存器就像D [ 0 ： 9 ]一样。它驱动
CASCADE ， / CASCADE差分对。只有级联两个或两个以上时使用
SY100EP196V延长所需的延迟的范围内。
ECL输入：这是要被延迟的信号。如果这个输入对被悬空，这是
相当于一个逻辑低输入。
电压输出参考：当为中和/中使用一个单端逻辑源，
差分对未使用的输入端连接到该引脚。该引脚还可以再偏AC-
加上输入和/ IN 。在使用时，解夫妇此引脚到V
CC
通过一个0.01μF
电容。限制电流吸收或采购到0.5毫安以下。
电压输出：此引脚连接到VCF当D输入ECL 。参阅
数字
控制逻辑标准“
的部分
“功能说明”
接口为D投入
CMOS或TTL 。
电压输入：在这个引脚上的电压设置为D输入逻辑转换阈值。
最负电源。供应地为PECL系统。
ECL控制输入：当逻辑低电平时， D输入流过。如有任何更改， D输入
反映在间期， / IN和Q / Q延迟。当逻辑高电平时，逻辑值，在D是
锁存，并且这些锁存位确定的延迟。
ECL控制输入：当逻辑高电平， D寄存器的内容复位。这台
延迟到最小可能的，相当于D [ 0 ：9]被设置为0000000000.当逻辑
低， D寄存器，或SETMAX的逻辑值的值确定从延迟
IN， / IN至Q， / Q 。当离开该输入默认为逻辑低电平无关。
电致化学发光控制输入：当逻辑高和SETMIN是D的逻辑低，其内容
寄存器被设置为高，并且所述延迟被设置为一个步骤大于最大可能
以D [0： 9]设定为1111111111.当逻辑低时，D寄存器的值，或者所述逻辑
SETMIN的值决定延迟从IN， / IN至Q， / Q 。该输入默认为逻辑
低时悬空。
最积极的电源供应地面NECL系统。绕道V
EE
用0.1μF和
0.01μF的低ESR电容。
10万ECL输出：这些输出级联两个或更多SY100EP196V时使用
到级/级联扩展所需的延迟范围。请参考表7 （第17页）延迟
值。
电致化学发光控制输入：当设定为有效低，Q / Q为IN的延迟版本， / IN 。当设置
非活性高，IN / IN被选通，使得Q， / Q成为一个差分逻辑低。该输入
离开时，默认为逻辑低电平无关。
电压控制输入：通过改变电压，该引脚从V
CC
通过V
EE
时，延迟
可通过大约进行微调
±15ps.
100k的ECL输出：该信号对是IN的延迟版本， / IN 。
3
D[10]
4, 5
6
IN， / IN
VBB
7
VEF
8
9, 24, 28
10
VCF
VEE
LEN
11
SETMIN
12
SETMAX
13, 18, 19, 22
14, 15
VCC
CASCADE ，
16
/ EN
17
20, 21
FTUNE
Q, /Q
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3
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ECL临
SY100EP196V
绝对最大额定值
(1)
电源电压（V
CC
)
PECL模式（V
EE
= 0V） ............................. -0.5V至+ 6.0V
电源电压（V
EE
)
NECL模式（V
CC
= 0V ） ............................ + 0.5V至-6.0V
任何输入电压（V
IN
)
PECL模式....................................... -0.5V到V
CC
+0.5V
NECL模式....................................... + 0.5V至V
EE
–0.5V
ECL的输出电流（I
OUT
)
连续................................................. ............ 50毫安
浪涌................................................. ................... 100毫安
I
BB
吸入/源出电流..........................................
±0.5mA
焊接温度（焊接， 20秒） ................... + 260℃
存储温度（T
S
） ....................... -65 ° C至+ 150°C
ESD额定值
(3)
.................................................. ......... >1.5kV
工作额定值
(2)
电源电压（V
CC
)
PECL模式（V
EE
= 0V ） ............................. + 3.0V至+ 5.5V
电源电压（V
EE
)
NECL模式（V
CC
= 0V） ............................ -3.0V至-5.5V
环境温度（T
A
） ......................... -40 ° C至+ 85°C
封装热阻
TQFP- 32 （ θ
JA
)
静止空气............................................... .............. 50 ° C / W
500lfpm ................................................. ........... 42 ° C / W
TQFP- 32 （ θ
JC
） ................................................. .... 20 ° C / W
DC电气特性
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
符号
V
CC
V
EE
I
EE
注意事项：
如果可能发生1.永久设备损坏
「绝对最大额定值」
被超过。这是一个额定值只和功能的操作不
隐含在高于此数据表的操作部分详述的其他条件。接触
“绝对最大额定值”
条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
2.数据片的限制，不能保证该设备是否超出操作评分操作。
3.设备是ESD敏感。建议操作注意事项。
采用+ 5V或-5V电源时， 4必填500lfpm气流。
参数
电源电压（ PECL ）
电源电压（ NECL ）
电源电流
(4)
条件
民
3.0
4.5
–3.6
–5.5
典型值
3.3
5.0
–3.3
–5.0
150
最大
3.6
5.5
–3.0
–4.5
175
单位
V
V
V
V
mA
无负载，过电源电压
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SY100EP196V
（ 100KEP ） LVPECL直流电气特性
V
CC
= 3.3V, V
EE
= 0V ;牛逼
A
= -40 ° C至+ 85°C
(5, 6)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
PECL
CMOS
TTL
输入低电压
PECL
CMOS
TTL
输出电压参考值
输入电压选择
连接方式
输入高电压通用
模范围
(7)
输入高电流
输入低电平电流
IN
/ IN
0.5
–150
图5
条件
图2，图3，图6
图2，图3，图6
图1,4
2075
1815
2000
图1,4
1355
1675
1485
800
1875
1720
2000
1975
1825
2100
3.3
150
mV
mV
mV
mV
mV
mV
V
A
A
A
2420
mV
mV
mV
民
2155
1355
典型值
2280
1480
最大
2405
1605
单位
mV
mV
V
IL
V
BB
V
CF
V
EF
V
IHCMR
I
IH
I
IL
1775
1610
1900
2.0
注意事项：
5.设备是保证满足DC的规格，在上表所示，热平衡建立后。该装置中进行测试
一个插座，使得横向气流
≥
500lfpm被保持。
6.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+ 0.3V至-2.2V 。
7. V
IHCMR
最大变化为1：1结合V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分输入信号的最积极的一面。
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SSL40-7614J
S07K35
SC3BA6
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