半导体
SYNERGY
1K ×4 ECL RAM
SY100474-3/4/5/7
SY101474-3/4/5/7
SY10/100/101474-3
SY10/100/101474-4
SY10/100/101474-5
SY10474-3/4/5/7
SY10/100/101474-7
特点
s
地址访问时间t
AA
： 3/4/ 5 / 7ns的最大值。
s
片选存取时间t
AC
： 2ns的最大值。
s
写入脉冲宽度，T
WW
：为3ns分钟。
s
边沿速率， TR / TF ：为500ps （典型值） 。
s
电源电流，I
EE
： -300mA ， -220mA
为-5 / 7ns的
s
对α粒子高级免疫力提供
几乎没有软错误敏感性
s
建有先进的资产技术
s
与行业标准的10K / 100K完全兼容
ECL I / O电平
s
噪声容限与片上电压提高，
温度补偿
s
发射极开路输出，方便扩展内存
s
2000V的ESD保护
s
采用24引脚扁平封装和28引脚PLCC和
MLCC封装
描述
该协同SY10 /十万一千四百七十四分之百4096位随机
存取存储器（RAM ），旨在以先进的发射器
耦合逻辑（ECL ）电路。该设备被组织
为1024字×4位，并且满足标准10K / 100K
家族的信号电平。该SY100474还提供电压 -
与100K ECL兼容的SY101474工作，而
从10K ECL电源电压（ -5.2V ） 。芯片上的所有功能
为改善噪声电压和温度补偿
利润率。
该SY10 /一十万一千四百七十四分之一百采用了专有的电路设计
技术和协同专有的先进资产
双极技术实现极快的接入，写
脉冲宽度和写入的恢复时间。资产使用
专有技术的概念，实现显著
减小寄生电容，同时提高设备
堆积密度。 Synergy的电路设计技术，加上
与资产，导致不仅在超高速的性能，但
也让几乎没有软错误操作设备
灵敏度和音量出色器件的可靠性
生产。
框图
A
0
A
1
A
2
A
3
Y型解码器/驱动器
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
X-译码器/
司机
存储单元阵列
CS
WE
SA / WA *
SA / WA
SA / WA
SA / WA
DI
0
DO
0
DI
1
DO
1
DI
2
DO
2
DI
3
DO
3
*
SA =检测放大器
WA =写入放大器
1999麦克雷尔，协同
冯：D
修订： / 1
1
发行日期： 1999年12月
半导体
SYNERGY
SY10/100/101474-3
SY10/100/101474-4
SY10/100/101474-5
SY10/100/101474-7
功能说明
该协同SY10 /十万一千四百七十四分之百4096位的RAM
组织为1024字×4位。存储单元的选择
通过使用指定为A的10位地址来实现
0
至A
9
。每个2的
10
可能的输入地址
组合对应于唯一字位置中
内存。有源低片选（CS ）被提供用于
内存扩展。该低电平有效写使能（ WE）
控制所述读出和写入操作。上的数据驻留
D
IN
输入（ DI
0
通过DI
3
）写入到被寻址的
位置只有当我们和CS保持低电平。为了
执行读操作，我们是高举， CS保持低电平
并在被寻址单元的非反相输出数据
转移到D
OUT
（做
0
通过DO
3
）被读出。
提供了最大的灵活性，发射极开路输出
并且通过使输出线或存储器扩展
连接。外部端接50Ω至-2.0V或
等效电路，必须使用以提供指定的
输出电平。
输出被带到一个逻辑低电平时
的RAM正在被写入到（WE =低），或者当该装置
通过低电平有效片选引脚（ CS = HIGH ）被取消。
绝对最大额定值
(1)
符号
V
EE
V
IN
I
OUT
T
C
T
商店
等级
V
EE
销势
到V
CC
针
输入电压
直流输出电流
（输出高）
在偏置温度
储存温度
价值
+0.5至-7.0
0.5到V
EE
–30
-55到+125
-65到+150
单位
V
V
mA
°C
°C
保证正常工作条件
参数
电源电压
(1)
外壳温度
电源电压
(1)
外壳温度
电源电压
(1)
外壳温度
注意：
1.参考V
CC
.
符号最小值。
10K
V
EE
T
C
100K
V
EE
T
C
101K
V
EE
T
C
–5.46
0
–4.8
0
–5.46
0
典型值。
–5.2
—
–4.5
—
–5.2
—
MAX 。 UNIT
–4.94
75
–4.2
85
–4.94
85
V
°C
V
°C
V
°C
注意：
可能发生1.永久设备损坏，如果绝对最大额定值
被超过。这是一个额定值只和功能的操作不
隐含在高于操作部分详述的其他条件
本数据手册。暴露在绝对最大RATlNG条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
上升和下降时间
参数
输出上升
时间
输出下降
时间
CODE
(1)
符号最小值。典型值。
F
S
F
S
tr
tf
—
—
—
—
500
1500
500
1500
MAX 。 UNIT
—
—
—
—
ps
ps
电容
参数
输入引脚
电容
输出引脚
电容
符号
C
IN
C
OUT
分钟。
—
—
典型值。
4
5
马克斯。
—
—
单位
pF
pF
注意：
1， F =快速边沿速率
S =标准边缘速率
3
半导体
SYNERGY
SY10/100/101474-3
SY10/100/101474-4
SY10/100/101474-5
SY10/100/101474-7
10K DC电气特性
V
CC
= 0V ;牛逼
C
= 0 ° C至+ 75°C ; V
EE
= -5.2V ;气流> 2.5米/秒;输出负载= 50Ω至-2.0V
符号
V
OH
参数
输出高电压
T
C
0°C
+25°C
+75°C
0°C
+25°C
+75°C
0°C
+25°C
+75°C
0°C
+25°C
+75°C
0°C
+25°C
+75°C
0°C
+25°C
+75°C
0 ° C至+ 75°C
0 ° C至+ 75°C
0 ° C至+ 75°C
0 ° C至+ 75°C
0 ° C至+ 75°C
0 ° C至+ 75°C
0 ° C至+ 75°C
分钟。
–1000
–960
–900
–1870
–1850
–1830
–1020
–980
–920
—
—
—
–1145
–1105
–1045
–1870
–1850
–1830
0.0
–2
30
40
–2
0.0
–300
–220
马克斯。
–840
–810
–720
–1665
–1650
–1625
—
—
—
–1645
–1630
–1605
–840
–810
–720
–1490
–1475
–1450
20
2
170
220
35
60
—
单位
mV
条件
V
IN
= V
IH
马克斯。或V
IL
分钟。
V
OL
输出低电压
mV
V
IN
= V
IH
马克斯。或V
IL
分钟。
V
OHC
输出高电压
mV
V
IN
= V
IH
分钟。或V
IL
马克斯。
V
OLC
输出低电压
mV
V
IN
= V
IH
分钟。或V
IL
马克斯。
V
IH
输入高电压
mV
保证输入电压高
所有输入
保证输入电压低
所有输入
V
IN
= V
IH
马克斯。
V
IN
= V
IL
分钟。
V
IN
= V
IL
分钟。
V
IN
= V
IH
马克斯。
V
IN
= V
IL
分钟。
V
IN
= V
IH
马克斯。
所有输入和输出打开
V
IL
输入低电压
mV
I
IH
I
IL
I
IL
I
IH
I
IL
I
IH
I
EE
输入高电流
输入低电平电流
CS输入低电平电流
CS输入高电流
WE输入低电平电流
WE输入高电流
电源
当前
-3ns ， -4ns
-5ns ， -7ns
A
A
A
A
A
A
mA
100K / 101K直流电气特性
V
CCA
= 0V
V
CC
= 0V
符号
V
OH
V
OL
V
OHC
V
OLC
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
I
IL
I
IH
I
IL
I
IH
I
EE
V
EE
= -4.5V （ 100K ）
V
EE
= -5.2V （ 101K ）
参数
输出高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
CS输入低电平电流
CS输入高电流
WE输入低电平电流
WE输入高电流
电源为3ns ，为4ns
当前
-5ns ， -7ns
分钟。
–1025
–1810
–1035
—
–1165
–1810
0.0
–2
30
40
–2
0.0
–300
–220
T
C
= 0 ° C至+ 85°C
马克斯。
–880
–1620
—
–1610
–880
–1475
20
2
170
220
35
60
—
单位
mV
mV
mV
mV
mV
mV
A
A
A
A
A
A
mA
气流> 2.5米/秒
输出负载= 50Ω至-2.0V
条件
V
IN
= V
IH
马克斯。或V
IL
分钟。
V
IN
= V
IH
马克斯。或V
IL
分钟。
V
IN
= V
IH
分钟。或V
IL
马克斯。
V
IN
= V
IH
分钟。或V
IL
马克斯。
保证输入电压Highfor所有输入
保证输入电压Lowfor所有输入
V
IN
= V
IH
马克斯。
V
IN
= V
IL
分钟。
V
IN
= V
IL
分钟。
V
IN
= V
IH
马克斯。
V
IN
= V
IL
分钟。
V
IN
= V
IH
马克斯。
所有输入和输出打开
4
半导体
SYNERGY
SY10/100/101474-3
SY10/100/101474-4
SY10/100/101474-5
SY10/100/101474-7
AC电气特性
AC测试条件
V
CC
= V
CCA
= 0V
V
EE
= –5.2V
±
5%(10K)
V
EE
= –4.5V
±
0.3V(100K)
V
EE
= –5.2V
±
5%(101K)
输出负载= 50Ω至-2.0V
T
C
= 0 ° C至+ 75 ° C（ 10K ）
T
C
= 0 ° C至+ 85°C （ 100K / 101K ）
气流> 2.5米/秒
T
C
10K
0°C
+25°C
+75°C
0 ° C至+ 85°C
V
IH
–0.933V
–0.90V
–0.863V
–0.90V
V
IL
–1.733V
–1.70V
–1.663V
–1.70V
负载条件
GND
100/101K
输入脉冲
V
IH
V
CCA
V
CC
OUT
V
EE
R
L
C
L
80%
20%
V
IL
t
r
t
r
= t
f
= 1.0ns （典型值） 。
t
f
0.01F
V
EE
–2.0V
注意：
输出负载，R
L
= 50
C
L
= 5pF的* （典型值）。
* （建模为50Ω传输线
终止-2V 。 ）
所有定时测量参考50 ％的输入电平。
读周期
SY10474-3
SY100474-3
SY101474-3
符号
t
AA
t
AC
t
RC
tAVQV
tSLQV
TSHQL
参数
地址访问时间
芯片选择访问时间
片选恢复时间
分钟。
—
—
—
马克斯。
3
2
2
SY10474-4
SY100474-4
SY101474-4
分钟。
—
—
—
马克斯。
4
2
2
SY10474-5
SY100474-5
SY101474-5
分钟。
—
—
—
马克斯。
5
3
3
SY10474-7
SY100474-7
SY101474-7
分钟。
—
—
—
马克斯。
7
3
3
单位
ns
ns
ns
读周期时序图
CS
50%
t
AC
t
RC
80%
50%
20%
t
r
t
f
地址
50%
t
AA
D
OUT
50%
D
OUT
5
半导体
SYNERGY
1K ×4 ECL RAM
SY100474-3/4/5/7
SY101474-3/4/5/7
SY10/100/101474-3
SY10/100/101474-4
SY10/100/101474-5
SY10474-3/4/5/7
SY10/100/101474-7
特点
s
地址访问时间t
AA
： 3/4/ 5 / 7ns的最大值。
s
片选存取时间t
AC
： 2ns的最大值。
s
写入脉冲宽度，T
WW
：为3ns分钟。
s
边沿速率， TR / TF ：为500ps （典型值） 。
s
电源电流，I
EE
： -300mA ， -220mA
为-5 / 7ns的
s
对α粒子高级免疫力提供
几乎没有软错误敏感性
s
建有先进的资产技术
s
与行业标准的10K / 100K完全兼容
ECL I / O电平
s
噪声容限与片上电压提高，
温度补偿
s
发射极开路输出，方便扩展内存
s
2000V的ESD保护
s
采用24引脚扁平封装和28引脚PLCC和
MLCC封装
描述
该协同SY10 /十万一千四百七十四分之百4096位随机
存取存储器（RAM ），旨在以先进的发射器
耦合逻辑（ECL ）电路。该设备被组织
为1024字×4位，并且满足标准10K / 100K
家族的信号电平。该SY100474还提供电压 -
与100K ECL兼容的SY101474工作，而
从10K ECL电源电压（ -5.2V ） 。芯片上的所有功能
为改善噪声电压和温度补偿
利润率。
该SY10 /一十万一千四百七十四分之一百采用了专有的电路设计
技术和协同专有的先进资产
双极技术实现极快的接入，写
脉冲宽度和写入的恢复时间。资产使用
专有技术的概念，实现显著
减小寄生电容，同时提高设备
堆积密度。 Synergy的电路设计技术，加上
与资产，导致不仅在超高速的性能，但
也让几乎没有软错误操作设备
灵敏度和音量出色器件的可靠性
生产。
框图
A
0
A
1
A
2
A
3
Y型解码器/驱动器
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
X-译码器/
司机
存储单元阵列
CS
WE
SA / WA *
SA / WA
SA / WA
SA / WA
DI
0
DO
0
DI
1
DO
1
DI
2
DO
2
DI
3
DO
3
*
SA =检测放大器
WA =写入放大器
1999麦克雷尔，协同
冯：D
修订： / 1
1
发行日期： 1999年12月
半导体
SYNERGY
SY10/100/101474-3
SY10/100/101474-4
SY10/100/101474-5
SY10/100/101474-7
功能说明
该协同SY10 /十万一千四百七十四分之百4096位的RAM
组织为1024字×4位。存储单元的选择
通过使用指定为A的10位地址来实现
0
至A
9
。每个2的
10
可能的输入地址
组合对应于唯一字位置中
内存。有源低片选（CS ）被提供用于
内存扩展。该低电平有效写使能（ WE）
控制所述读出和写入操作。上的数据驻留
D
IN
输入（ DI
0
通过DI
3
）写入到被寻址的
位置只有当我们和CS保持低电平。为了
执行读操作，我们是高举， CS保持低电平
并在被寻址单元的非反相输出数据
转移到D
OUT
（做
0
通过DO
3
）被读出。
提供了最大的灵活性，发射极开路输出
并且通过使输出线或存储器扩展
连接。外部端接50Ω至-2.0V或
等效电路，必须使用以提供指定的
输出电平。
输出被带到一个逻辑低电平时
的RAM正在被写入到（WE =低），或者当该装置
通过低电平有效片选引脚（ CS = HIGH ）被取消。
绝对最大额定值
(1)
符号
V
EE
V
IN
I
OUT
T
C
T
商店
等级
V
EE
销势
到V
CC
针
输入电压
直流输出电流
（输出高）
在偏置温度
储存温度
价值
+0.5至-7.0
0.5到V
EE
–30
-55到+125
-65到+150
单位
V
V
mA
°C
°C
保证正常工作条件
参数
电源电压
(1)
外壳温度
电源电压
(1)
外壳温度
电源电压
(1)
外壳温度
注意：
1.参考V
CC
.
符号最小值。
10K
V
EE
T
C
100K
V
EE
T
C
101K
V
EE
T
C
–5.46
0
–4.8
0
–5.46
0
典型值。
–5.2
—
–4.5
—
–5.2
—
MAX 。 UNIT
–4.94
75
–4.2
85
–4.94
85
V
°C
V
°C
V
°C
注意：
可能发生1.永久设备损坏，如果绝对最大额定值
被超过。这是一个额定值只和功能的操作不
隐含在高于操作部分详述的其他条件
本数据手册。暴露在绝对最大RATlNG条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
上升和下降时间
参数
输出上升
时间
输出下降
时间
CODE
(1)
符号最小值。典型值。
F
S
F
S
tr
tf
—
—
—
—
500
1500
500
1500
MAX 。 UNIT
—
—
—
—
ps
ps
电容
参数
输入引脚
电容
输出引脚
电容
符号
C
IN
C
OUT
分钟。
—
—
典型值。
4
5
马克斯。
—
—
单位
pF
pF
注意：
1， F =快速边沿速率
S =标准边缘速率
3
半导体
SYNERGY
SY10/100/101474-3
SY10/100/101474-4
SY10/100/101474-5
SY10/100/101474-7
10K DC电气特性
V
CC
= 0V ;牛逼
C
= 0 ° C至+ 75°C ; V
EE
= -5.2V ;气流> 2.5米/秒;输出负载= 50Ω至-2.0V
符号
V
OH
参数
输出高电压
T
C
0°C
+25°C
+75°C
0°C
+25°C
+75°C
0°C
+25°C
+75°C
0°C
+25°C
+75°C
0°C
+25°C
+75°C
0°C
+25°C
+75°C
0 ° C至+ 75°C
0 ° C至+ 75°C
0 ° C至+ 75°C
0 ° C至+ 75°C
0 ° C至+ 75°C
0 ° C至+ 75°C
0 ° C至+ 75°C
分钟。
–1000
–960
–900
–1870
–1850
–1830
–1020
–980
–920
—
—
—
–1145
–1105
–1045
–1870
–1850
–1830
0.0
–2
30
40
–2
0.0
–300
–220
马克斯。
–840
–810
–720
–1665
–1650
–1625
—
—
—
–1645
–1630
–1605
–840
–810
–720
–1490
–1475
–1450
20
2
170
220
35
60
—
单位
mV
条件
V
IN
= V
IH
马克斯。或V
IL
分钟。
V
OL
输出低电压
mV
V
IN
= V
IH
马克斯。或V
IL
分钟。
V
OHC
输出高电压
mV
V
IN
= V
IH
分钟。或V
IL
马克斯。
V
OLC
输出低电压
mV
V
IN
= V
IH
分钟。或V
IL
马克斯。
V
IH
输入高电压
mV
保证输入电压高
所有输入
保证输入电压低
所有输入
V
IN
= V
IH
马克斯。
V
IN
= V
IL
分钟。
V
IN
= V
IL
分钟。
V
IN
= V
IH
马克斯。
V
IN
= V
IL
分钟。
V
IN
= V
IH
马克斯。
所有输入和输出打开
V
IL
输入低电压
mV
I
IH
I
IL
I
IL
I
IH
I
IL
I
IH
I
EE
输入高电流
输入低电平电流
CS输入低电平电流
CS输入高电流
WE输入低电平电流
WE输入高电流
电源
当前
-3ns ， -4ns
-5ns ， -7ns
A
A
A
A
A
A
mA
100K / 101K直流电气特性
V
CCA
= 0V
V
CC
= 0V
符号
V
OH
V
OL
V
OHC
V
OLC
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
I
IL
I
IH
I
IL
I
IH
I
EE
V
EE
= -4.5V （ 100K ）
V
EE
= -5.2V （ 101K ）
参数
输出高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
CS输入低电平电流
CS输入高电流
WE输入低电平电流
WE输入高电流
电源为3ns ，为4ns
当前
-5ns ， -7ns
分钟。
–1025
–1810
–1035
—
–1165
–1810
0.0
–2
30
40
–2
0.0
–300
–220
T
C
= 0 ° C至+ 85°C
马克斯。
–880
–1620
—
–1610
–880
–1475
20
2
170
220
35
60
—
单位
mV
mV
mV
mV
mV
mV
A
A
A
A
A
A
mA
气流> 2.5米/秒
输出负载= 50Ω至-2.0V
条件
V
IN
= V
IH
马克斯。或V
IL
分钟。
V
IN
= V
IH
马克斯。或V
IL
分钟。
V
IN
= V
IH
分钟。或V
IL
马克斯。
V
IN
= V
IH
分钟。或V
IL
马克斯。
保证输入电压Highfor所有输入
保证输入电压Lowfor所有输入
V
IN
= V
IH
马克斯。
V
IN
= V
IL
分钟。
V
IN
= V
IL
分钟。
V
IN
= V
IH
马克斯。
V
IN
= V
IL
分钟。
V
IN
= V
IH
马克斯。
所有输入和输出打开
4
半导体
SYNERGY
SY10/100/101474-3
SY10/100/101474-4
SY10/100/101474-5
SY10/100/101474-7
AC电气特性
AC测试条件
V
CC
= V
CCA
= 0V
V
EE
= –5.2V
±
5%(10K)
V
EE
= –4.5V
±
0.3V(100K)
V
EE
= –5.2V
±
5%(101K)
输出负载= 50Ω至-2.0V
T
C
= 0 ° C至+ 75 ° C（ 10K ）
T
C
= 0 ° C至+ 85°C （ 100K / 101K ）
气流> 2.5米/秒
T
C
10K
0°C
+25°C
+75°C
0 ° C至+ 85°C
V
IH
–0.933V
–0.90V
–0.863V
–0.90V
V
IL
–1.733V
–1.70V
–1.663V
–1.70V
负载条件
GND
100/101K
输入脉冲
V
IH
V
CCA
V
CC
OUT
V
EE
R
L
C
L
80%
20%
V
IL
t
r
t
r
= t
f
= 1.0ns （典型值） 。
t
f
0.01F
V
EE
–2.0V
注意：
输出负载，R
L
= 50
C
L
= 5pF的* （典型值）。
* （建模为50Ω传输线
终止-2V 。 ）
所有定时测量参考50 ％的输入电平。
读周期
SY10474-3
SY100474-3
SY101474-3
符号
t
AA
t
AC
t
RC
tAVQV
tSLQV
TSHQL
参数
地址访问时间
芯片选择访问时间
片选恢复时间
分钟。
—
—
—
马克斯。
3
2
2
SY10474-4
SY100474-4
SY101474-4
分钟。
—
—
—
马克斯。
4
2
2
SY10474-5
SY100474-5
SY101474-5
分钟。
—
—
—
马克斯。
5
3
3
SY10474-7
SY100474-7
SY101474-7
分钟。
—
—
—
马克斯。
7
3
3
单位
ns
ns
ns
读周期时序图
CS
50%
t
AC
t
RC
80%
50%
20%
t
r
t
f
地址
50%
t
AA
D
OUT
50%
D
OUT
5
半导体
SYNERGY
1K ×4 ECL RAM
SY100474-3/4/5/7
SY101474-3/4/5/7
SY10/100/101474-3
SY10/100/101474-4
SY10/100/101474-5
SY10474-3/4/5/7
SY10/100/101474-7
特点
s
地址访问时间t
AA
： 3/4/ 5 / 7ns的最大值。
s
片选存取时间t
AC
： 2ns的最大值。
s
写入脉冲宽度，T
WW
：为3ns分钟。
s
边沿速率， TR / TF ：为500ps （典型值） 。
s
电源电流，I
EE
： -300mA ， -220mA
为-5 / 7ns的
s
对α粒子高级免疫力提供
几乎没有软错误敏感性
s
建有先进的资产技术
s
与行业标准的10K / 100K完全兼容
ECL I / O电平
s
噪声容限与片上电压提高，
温度补偿
s
发射极开路输出，方便扩展内存
s
2000V的ESD保护
s
采用24引脚扁平封装和28引脚PLCC和
MLCC封装
描述
该协同SY10 /十万一千四百七十四分之百4096位随机
存取存储器（RAM ），旨在以先进的发射器
耦合逻辑（ECL ）电路。该设备被组织
为1024字×4位，并且满足标准10K / 100K
家族的信号电平。该SY100474还提供电压 -
与100K ECL兼容的SY101474工作，而
从10K ECL电源电压（ -5.2V ） 。芯片上的所有功能
为改善噪声电压和温度补偿
利润率。
该SY10 /一十万一千四百七十四分之一百采用了专有的电路设计
技术和协同专有的先进资产
双极技术实现极快的接入，写
脉冲宽度和写入的恢复时间。资产使用
专有技术的概念，实现显著
减小寄生电容，同时提高设备
堆积密度。 Synergy的电路设计技术，加上
与资产，导致不仅在超高速的性能，但
也让几乎没有软错误操作设备
灵敏度和音量出色器件的可靠性
生产。
框图
A
0
A
1
A
2
A
3
Y型解码器/驱动器
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
X-译码器/
司机
存储单元阵列
CS
WE
SA / WA *
SA / WA
SA / WA
SA / WA
DI
0
DO
0
DI
1
DO
1
DI
2
DO
2
DI
3
DO
3
*
SA =检测放大器
WA =写入放大器
1999麦克雷尔，协同
冯：D
修订： / 1
1
发行日期： 1999年12月
半导体
SYNERGY
SY10/100/101474-3
SY10/100/101474-4
SY10/100/101474-5
SY10/100/101474-7
功能说明
该协同SY10 /十万一千四百七十四分之百4096位的RAM
组织为1024字×4位。存储单元的选择
通过使用指定为A的10位地址来实现
0
至A
9
。每个2的
10
可能的输入地址
组合对应于唯一字位置中
内存。有源低片选（CS ）被提供用于
内存扩展。该低电平有效写使能（ WE）
控制所述读出和写入操作。上的数据驻留
D
IN
输入（ DI
0
通过DI
3
）写入到被寻址的
位置只有当我们和CS保持低电平。为了
执行读操作，我们是高举， CS保持低电平
并在被寻址单元的非反相输出数据
转移到D
OUT
（做
0
通过DO
3
）被读出。
提供了最大的灵活性，发射极开路输出
并且通过使输出线或存储器扩展
连接。外部端接50Ω至-2.0V或
等效电路，必须使用以提供指定的
输出电平。
输出被带到一个逻辑低电平时
的RAM正在被写入到（WE =低），或者当该装置
通过低电平有效片选引脚（ CS = HIGH ）被取消。
绝对最大额定值
(1)
符号
V
EE
V
IN
I
OUT
T
C
T
商店
等级
V
EE
销势
到V
CC
针
输入电压
直流输出电流
（输出高）
在偏置温度
储存温度
价值
+0.5至-7.0
0.5到V
EE
–30
-55到+125
-65到+150
单位
V
V
mA
°C
°C
保证正常工作条件
参数
电源电压
(1)
外壳温度
电源电压
(1)
外壳温度
电源电压
(1)
外壳温度
注意：
1.参考V
CC
.
符号最小值。
10K
V
EE
T
C
100K
V
EE
T
C
101K
V
EE
T
C
–5.46
0
–4.8
0
–5.46
0
典型值。
–5.2
—
–4.5
—
–5.2
—
MAX 。 UNIT
–4.94
75
–4.2
85
–4.94
85
V
°C
V
°C
V
°C
注意：
可能发生1.永久设备损坏，如果绝对最大额定值
被超过。这是一个额定值只和功能的操作不
隐含在高于操作部分详述的其他条件
本数据手册。暴露在绝对最大RATlNG条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
上升和下降时间
参数
输出上升
时间
输出下降
时间
CODE
(1)
符号最小值。典型值。
F
S
F
S
tr
tf
—
—
—
—
500
1500
500
1500
MAX 。 UNIT
—
—
—
—
ps
ps
电容
参数
输入引脚
电容
输出引脚
电容
符号
C
IN
C
OUT
分钟。
—
—
典型值。
4
5
马克斯。
—
—
单位
pF
pF
注意：
1， F =快速边沿速率
S =标准边缘速率
3
半导体
SYNERGY
SY10/100/101474-3
SY10/100/101474-4
SY10/100/101474-5
SY10/100/101474-7
10K DC电气特性
V
CC
= 0V ;牛逼
C
= 0 ° C至+ 75°C ; V
EE
= -5.2V ;气流> 2.5米/秒;输出负载= 50Ω至-2.0V
符号
V
OH
参数
输出高电压
T
C
0°C
+25°C
+75°C
0°C
+25°C
+75°C
0°C
+25°C
+75°C
0°C
+25°C
+75°C
0°C
+25°C
+75°C
0°C
+25°C
+75°C
0 ° C至+ 75°C
0 ° C至+ 75°C
0 ° C至+ 75°C
0 ° C至+ 75°C
0 ° C至+ 75°C
0 ° C至+ 75°C
0 ° C至+ 75°C
分钟。
–1000
–960
–900
–1870
–1850
–1830
–1020
–980
–920
—
—
—
–1145
–1105
–1045
–1870
–1850
–1830
0.0
–2
30
40
–2
0.0
–300
–220
马克斯。
–840
–810
–720
–1665
–1650
–1625
—
—
—
–1645
–1630
–1605
–840
–810
–720
–1490
–1475
–1450
20
2
170
220
35
60
—
单位
mV
条件
V
IN
= V
IH
马克斯。或V
IL
分钟。
V
OL
输出低电压
mV
V
IN
= V
IH
马克斯。或V
IL
分钟。
V
OHC
输出高电压
mV
V
IN
= V
IH
分钟。或V
IL
马克斯。
V
OLC
输出低电压
mV
V
IN
= V
IH
分钟。或V
IL
马克斯。
V
IH
输入高电压
mV
保证输入电压高
所有输入
保证输入电压低
所有输入
V
IN
= V
IH
马克斯。
V
IN
= V
IL
分钟。
V
IN
= V
IL
分钟。
V
IN
= V
IH
马克斯。
V
IN
= V
IL
分钟。
V
IN
= V
IH
马克斯。
所有输入和输出打开
V
IL
输入低电压
mV
I
IH
I
IL
I
IL
I
IH
I
IL
I
IH
I
EE
输入高电流
输入低电平电流
CS输入低电平电流
CS输入高电流
WE输入低电平电流
WE输入高电流
电源
当前
-3ns ， -4ns
-5ns ， -7ns
A
A
A
A
A
A
mA
100K / 101K直流电气特性
V
CCA
= 0V
V
CC
= 0V
符号
V
OH
V
OL
V
OHC
V
OLC
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
I
IL
I
IH
I
IL
I
IH
I
EE
V
EE
= -4.5V （ 100K ）
V
EE
= -5.2V （ 101K ）
参数
输出高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
CS输入低电平电流
CS输入高电流
WE输入低电平电流
WE输入高电流
电源为3ns ，为4ns
当前
-5ns ， -7ns
分钟。
–1025
–1810
–1035
—
–1165
–1810
0.0
–2
30
40
–2
0.0
–300
–220
T
C
= 0 ° C至+ 85°C
马克斯。
–880
–1620
—
–1610
–880
–1475
20
2
170
220
35
60
—
单位
mV
mV
mV
mV
mV
mV
A
A
A
A
A
A
mA
气流> 2.5米/秒
输出负载= 50Ω至-2.0V
条件
V
IN
= V
IH
马克斯。或V
IL
分钟。
V
IN
= V
IH
马克斯。或V
IL
分钟。
V
IN
= V
IH
分钟。或V
IL
马克斯。
V
IN
= V
IH
分钟。或V
IL
马克斯。
保证输入电压Highfor所有输入
保证输入电压Lowfor所有输入
V
IN
= V
IH
马克斯。
V
IN
= V
IL
分钟。
V
IN
= V
IL
分钟。
V
IN
= V
IH
马克斯。
V
IN
= V
IL
分钟。
V
IN
= V
IH
马克斯。
所有输入和输出打开
4
半导体
SYNERGY
SY10/100/101474-3
SY10/100/101474-4
SY10/100/101474-5
SY10/100/101474-7
AC电气特性
AC测试条件
V
CC
= V
CCA
= 0V
V
EE
= –5.2V
±
5%(10K)
V
EE
= –4.5V
±
0.3V(100K)
V
EE
= –5.2V
±
5%(101K)
输出负载= 50Ω至-2.0V
T
C
= 0 ° C至+ 75 ° C（ 10K ）
T
C
= 0 ° C至+ 85°C （ 100K / 101K ）
气流> 2.5米/秒
T
C
10K
0°C
+25°C
+75°C
0 ° C至+ 85°C
V
IH
–0.933V
–0.90V
–0.863V
–0.90V
V
IL
–1.733V
–1.70V
–1.663V
–1.70V
负载条件
GND
100/101K
输入脉冲
V
IH
V
CCA
V
CC
OUT
V
EE
R
L
C
L
80%
20%
V
IL
t
r
t
r
= t
f
= 1.0ns （典型值） 。
t
f
0.01F
V
EE
–2.0V
注意：
输出负载，R
L
= 50
C
L
= 5pF的* （典型值）。
* （建模为50Ω传输线
终止-2V 。 ）
所有定时测量参考50 ％的输入电平。
读周期
SY10474-3
SY100474-3
SY101474-3
符号
t
AA
t
AC
t
RC
tAVQV
tSLQV
TSHQL
参数
地址访问时间
芯片选择访问时间
片选恢复时间
分钟。
—
—
—
马克斯。
3
2
2
SY10474-4
SY100474-4
SY101474-4
分钟。
—
—
—
马克斯。
4
2
2
SY10474-5
SY100474-5
SY101474-5
分钟。
—
—
—
马克斯。
5
3
3
SY10474-7
SY100474-7
SY101474-7
分钟。
—
—
—
马克斯。
7
3
3
单位
ns
ns
ns
读周期时序图
CS
50%
t
AC
t
RC
80%
50%
20%
t
r
t
f
地址
50%
t
AA
D
OUT
50%
D
OUT
5
QQ：2880707522 复制
