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首字符S的型号第1646页
> SXTA42
NPN硅高压晶体管
SXTA 42
SXTA 43
q
高的击穿电压
q
低集电极 - 发射极饱和电压
TYPE
SXTA 42
SXTA 43
记号
1D
1E
订购代码
(磁带和卷轴)
Q68000-A8394
Q68000-A8650
引脚配置
1
2
3
B
C
E
包
1)
SOT-89
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗,
T
S
= 130 C
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
2)
结 - 焊接点
R
日JA
R
日JS
≤
75
≤
20
符号
V
CE0
V
CB0
V
EB0
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
值
SXTA 42
SXTA 43
300
300
200
200
6
500
1
150
– 65 … + 150
单位
V
mA
W
C
K / W
1)
2)
有关详细信息,请参阅本章包装纲要。
安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐
×
40 mm
×
1.5毫米/ 6厘米
2
铜。
半导体集团
1
5.91
SXTA 42
SXTA 43
电气特性
at
T
A
= 25℃,除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安
SXTA 42
SXTA 43
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100
A
SXTA 42
SXTA 43
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 100
A
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 200 V,
I
E
= 0
V
CB
= 160 V,
I
E
= 0
V
CB
= 200 V,
I
E
= 0,
T
A
= 125 C
V
CB
= 160 V,
I
E
= 0,
T
A
= 125 C
发射基截止电流
V
EB
= 6 V,
I
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 1毫安,
V
CE
= 10 V
I
C
= 10毫安,
V
CE
= 10 V
I
C
= 30毫安,
V
CE
= 10 V
SXTA 42
SXTA 43
SXTA 42
SXTA 43
I
EB0
h
FE
25
40
40
40
V
CESAT
–
–
V
BESAT
–
–
–
–
0.5
0.4
0.9
–
–
–
–
–
–
–
–
V
V
(BR)CE0
300
200
V
(BR)CB0
300
200
V
(BR)EB0
I
CB0
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
100
100
10
10
100
nA
nA
A
A
nA
–
6
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
V
值
典型值。
马克斯。
单位
SXTA 42
SXTA 43
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 20毫安,
I
B
= 2毫安
SXTA 42
SXTA 43
基射极饱和电压
1)
I
C
= 20毫安,
I
B
= 2毫安
AC特性
跃迁频率
I
C
= 10毫安,
V
CE
= 20 V,
f
= 100兆赫
输出电容
V
CB
= 20 V,
f
= 1兆赫
SXTA 42
SXTA 43
f
T
C
敖包
50
–
–
兆赫
pF
–
–
–
–
3
4
1)
脉冲测试条件:
t
≤
300
s,
D
≤
2 %.
半导体集团
2
SXTA 42
SXTA 43
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*;
T
S
)
*包装安装在环氧
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 10 V,
f
= 100兆赫
允许的脉冲负载
P
TOT最大
/P
TOT DC
=
f
(t
p
)
工作范围
I
C
=
f
(V
CE0
)
T
A
= 25 C,
D
= 0
半导体集团
3
SXTA 42
SXTA 43
收藏家Cuto FF电流
I
CB0
=
f
(T
A
)
V
CB
= 160 V
集电极电流
I
C
=
f
(V
BE
)
V
CE
= 10 V
直流电流增益
h
FE
=
f
(I
C
)
V
CE
= 10 V
半导体集团
4
SOT89 NPN硅平面
高压晶体管
第3期? 1996年1月
互补式 -
PARTMARKING详细信息 -
7
SXTA92
SID
SXTA42
C
E
C
B
SOT89
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
300
300
6
500
1
-65到+150
单位
V
V
V
mA
W
°C
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
电气特性(在T
AMB
= 25°C).
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
静态正向电流
传输比
过渡
频率
输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
h
FE
f
T
C
敖包
25
40
40
50
6
兆赫
pF
分钟。
300
300
6
0.1
0.1
0.5
0.9
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
A
A
条件。
I
C
=100
A,I
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0*
I
E
=100
A,I
C
=0
V
CB
= 200V ,我
E
=0
V
EB
= 6V ,我
C
=0
I
C
= 20mA时,我
B
=2mA*
I
C
= 20mA时,我
B
=2mA*
I
C
= 1mA时, V
CE
=10V*
I
C
= 10毫安,V
CE
=10V*
I
C
= 30mA时V
CE
=10V*
I
C
= 10毫安,V
CE
=20V
f=20MHz
V
CB
= 20V , F = 1MHz的
V
V
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
对于典型特征图看FMMTA42数据表。
3 - 306
SOT89 NPN硅平面
高压晶体管
第3期? 1996年1月
互补式 -
PARTMARKING详细信息 -
7
SXTA92
SID
SXTA42
C
E
C
B
SOT89
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
300
300
6
500
1
-65到+150
单位
V
V
V
mA
W
°C
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
电气特性(在T
AMB
= 25°C).
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
静态正向电流
传输比
过渡
频率
输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
h
FE
f
T
C
敖包
25
40
40
50
6
兆赫
pF
分钟。
300
300
6
0.1
0.1
0.5
0.9
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
A
A
条件。
I
C
=100
A,I
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0*
I
E
=100
A,I
C
=0
V
CB
= 200V ,我
E
=0
V
EB
= 6V ,我
C
=0
I
C
= 20mA时,我
B
=2mA*
I
C
= 20mA时,我
B
=2mA*
I
C
= 1mA时, V
CE
=10V*
I
C
= 10毫安,V
CE
=10V*
I
C
= 30mA时V
CE
=10V*
I
C
= 10毫安,V
CE
=20V
f=20MHz
V
CB
= 20V , F = 1MHz的
V
V
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
对于典型特征图看FMMTA42数据表。
3 - 306
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SXTA42
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S29GL032A10BFIR21
SQS16B1002AL13
SFH4301
S29GL032M10TBIR13
SKKT42/16E
S75WS256NDGBAWUK0
SN54LS692J
SN74LVT125QPWRG4Q1
SIHF634-E3
SSL-LX507F3ID
SSC-MBT7423
SN74ABT16843
ST95040B3TR
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