砷化镓场效应管单/ Quad驱动程序
开关和衰减器
V 4.00
SWD-109/119
特点
n
高速CMOS技术
n
单通道（ SWD- 109 ）
n
四通道（ SWD- 119 ）
n
正电压控制
n
低功耗
n
低成本的塑料SOIC封装
SO- 8 （ SWD- 109 ）
描述
社署- 109是用于转换一个通道驱动器
TTL控制输入到栅极的控制电压的GaAs FET
微波开关和衰减器。高速模拟
CMOS技术被用来实现低功耗的
消散在中高转速，涵盖最
微波开关应用。输出高电平
是任选的0至+ 2.0V （相对于GND ） ，以优化
在较低的控制装置的互调产物
频率。
社署-119是性能的四通道驱动器
类似于单个通道版本。
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
EE
V
选择
参数
正DC
电源电压
负DC
电源电压
可选的DC
输出电源
电压
输出
负电源
电压范围
积极为负面
略去供应
电压范围
DC输入
电压
DC输入电流
DC输出
电压
DC输出
当前
存储
温度
民
-0.5
-9.0
-0.5
最大
5.5
0.5
2.0
单位
V
V
V
SO- 16 （ SWD- 119 ）
V
选择
-V
EE
-0.5
9.0
V
V
CC
-V
EE
-0.5
14.5
V
V
I
I
I
V
O
V
O
T
英镑
-0.5
-25
V
EE
–0.5
-25
-65
V
CC
+0.5
25
V
选择
+0.5
25
150
V
mA
V
mA
°C
所有电压都参考GND 。所有输入和输出
合并闩锁保护的结构。
砷化镓FET开关和衰减器单/ Quad驱动程序
保证工作范围
符号
V
CC
V
EE
V
OPT 2
V
选择
-V
EE
V
CC
-V
EE
T
A
I
OH
I
OL
T
上升
, T
秋天
参数
1
正直流电源电压
负直流电源电压
可选直流输出电源电压
负电源电压范围
正到负电源电压范围
工作环境温度
直流输出电流 - 高
直流输出电流 - 低
最大输入信号上升和下降时间
单位
V
V
V
V
V
°C
mA
mA
ns
分钟。
4.5
-8.5
0
4.5
9.0
-40
—
—
—
SWD-109/119
V 4.00
典型值。
5.0
-5.0
1.0
6.5
10.0
+25
—
—
—
马克斯。
5.5
-4.5
2.0
8.5
14.0
+85
-1.0
1.0
500
1.所有电压都是相对于GND 。
2. V
选择
接地对于大多数应用。以改善互调性能和GaAs中的1dB压缩点
在低频率， V控制装置
选择
为1.0 2.0V ，可以提高到35。在GaAs的非线性特性
控制装置将在500 MHz的大致性能。应当指出的是，控制电流是在GaAs MMIC的意志
当阳性对照施加增加。
直流特性在保证工作范围
符号
V
IH
V
IL
V
IH
V
OL
I
IN
I
CC
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
静态电源电流
测试条件
保证高输入电压
保证低输入电压
I
OH
= -1毫安
I
OL
= 1毫安
V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
=最大
V
选择
= min或
最大
V
CC
=最大
V
EE
=最大
V
EE
=最大
V
EE
=分钟
V
EE
=分钟
V
IN
= V
CC
或GND
V
IN
= V
CC
-2.1V
单位
V
V
V
V
A
A
分钟。
2.0
—
V
选择
-0.1
—
-1.0
—
典型值。
—
—
—
—
0
—
马克斯。
—
0.8
—
V
EE
+0.1
1.0
100
I
CC
额外的电源电流，
每TTL输入引脚
mA
—
—
1.0
开关波形
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
n
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
n
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
n
欧洲：
电话： +44 （ 1344 ） 869 595传真：+ 44 （ 1344 ） 300 020
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
2
砷化镓FET开关和衰减器单/ Quad驱动程序
SWD-109/119
V 4.00
功能示意图（ SWD- 109 ）
真值表单驱动器
(SWD-109)
输入
C1
逻辑“0”的
逻辑“1”的
A
V
EE
V
选择
输出
B
V
选择
V
EE
引脚配置
PIN号
1
2
3
4
功能
OUTPUT A
GND
VCC
C1 ，逻辑
PIN号
5
6
7
8
功能
VEE
vopt的
GND
OUTPUT B
AC特性在保证工作范围
3
(SWD-109)
符号
T
PLH
参数
传播延迟
V
选择
- V
EE
4.5
6.5
8.5
4.5
6.5
8.5
4.5
6.5
8.5
4.5
6.5
8.5
4.5
6.5
8.5
—
4
-55 + 25°C
45
44
43
45
43
41
10.0
9.0
8.0
10.0
9.0
8.0
8.0
8.0
7.5
10
10
140
<+85°C
55
54
52
55
52
49
10.0
9.0
8.0
10.0
9.0
8.0
8.5
8.5
8.0
10
10
140
<+125°C
61
59
57
61
57
53
11.0
9.0
8.0
11.0
9.0
8.0
10.0
10.0
9.5
10
10
140
单位
ns
T
PHL
传播延迟
ns
T
TLH
输出上升转换时间
ns
T
THL
输出上升转换时间
ns
T
SKEW
延迟偏差，则输出到输出B
ns
C
IN
C
PDC
C
PDE
输入电容
功率耗散电容
功率耗散电容
pF
pF
pF
—
—
4
3. V
CC
= 4.5V, V
EE
= -4.5V, V
选择
= 0V ，C
L
= 25 pF的，素养， TFALL = 6ns的。这些条件表示在最坏的情况为缓慢的延迟。
4.总功率耗散的计算由下列公式计算： PD = V
CC 2
fC
PDC
+ (V
选择
-V
EE
)
2
fC
PDE
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
n
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
n
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
n
欧洲：
电话： +44 （ 1344 ） 869 595传真：+ 44 （ 1344 ） 300 020
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
3
砷化镓FET开关和衰减器单/ Quad驱动程序
SWD-109/119
V 4.00
功能示意图（ SWD- 119 ）
真值表的四驱动器
(SWD-119)
输入
CX
逻辑“0”的
逻辑“1”的
A
V
EE
V
选择
输出
B
V
选择
V
EE
引脚配置
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
功能
VEE
VCC
C4
C3
C2
C1
vopt的
GND
PIN号
9
10
11
12
13
14
15
16
功能
输出A1
输出B1
输出A2
输出B2
输出A3
输出B3
输出A4
输出B4
AC特性在保证工作范围
3
(SWD-119)
符号
T
PLH
参数
传播延迟
V
选择
- V
EE
4.5
6.5
8.5
4.5
6.5
8.5
4.5
6.5
8.5
4.5
6.5
8.5
4.5
6.5
8.5
—
4
-55 + 25°C
45
44
43
45
43
41
10.5
10.0
9.0
10.0
9.0
8.0
8.0
8.0
7.5
10
10
140
<+85°C
55
54
52
55
52
49
11.0
10.0
9.0
10.0
9.0
8.0
8.5
8.5
8.0
10
10
140
<+125°C
61
59
57
61
57
53
12.0
10.0
9.0
11.0
9.0
8.0
10.0
10.0
9.5
10
10
140
单位
ns
T
PHL
传播延迟
ns
T
TLH
输出上升转换时间
ns
T
THL
输出上升转换时间
ns
T
SKEW
延迟偏差，则输出到输出B
ns
C
IN
C
PDC
C
PDE
输入电容
功率耗散电容
功率耗散电容
pF
pF
pF
—
—
4
3. V
CC
= 4.5V, V
EE
= -4.5V, V
选择
= 0V ，C
L
= 25 pF的，素养， TFALL = 6ns的。这些条件表示在最坏的情况为缓慢的延迟。
4.总功率耗散的计算由下列公式计算： PD = V
CC 2
fC
PDC
+ (V
选择
-V
EE
)
2
fC
PDE
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
n
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
n
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
n
欧洲：
电话： +44 （ 1344 ） 869 595传真：+ 44 （ 1344 ） 300 020
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
4
砷化镓FET开关和衰减器单/ Quad驱动程序
SWD-109/119
V 4.00
订购信息
产品型号
SWD- 109 PIN
SWD-109TR
SWD-109RTR
包
SOIC 8引线
正向磁带和卷轴
相反的磁带和卷轴
产品型号
SWD- 119 PIN
SWD-119TR
SWD-119RTR
包
SOIC 16引脚
正向磁带和卷轴
相反的磁带和卷轴
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
n
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
n
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
n
欧洲：
电话： +44 （ 1344 ） 869 595传真：+ 44 （ 1344 ） 300 020
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
5
四驱动器，用于砷化镓FET开关和衰减器
特点
高速CMOS技术
四通道
正电压控制
低功耗
低成本的塑料SOIC -16封装
SWD-119
V6
功能原理图
VCC
vopt的
逻辑C1
TTL缓冲器
电平转换器
输出A1
描述
社署- 119是用于一个四通道驱动器
翻译TTL控制输入到门控
电压砷化镓场效应管微波开关和
衰减器。高速模拟CMOS技术
被用来实现低功耗的
中度到高的速度，包括最
微波开关应用。输出高电平
电平是任选0至+ 2.0V （相对于GND）至
优化控制的互调产物
器件在低频率。
逆变器
vopt的
DRIVER 1
VEE
电平转换器
输出B1
VEE
输出A2
逻辑C2
相同
DRIVER 1
输出B2
输出A3
逻辑C3
相同
DRIVER 1
输出B3
订购信息
产品型号
SWD- 119 PIN
SWD-119TR
输出A4
逻辑C4
相同
DRIVER 1
输出B4
包
散装包装
1000件卷轴
引脚配置
PIN号
1
2
3
注：参考应用笔记M513的卷大小
信息。
功能
VEE
VCC
C4
C3
C2
C1
vopt的
地
PIN号
9
10
11
12
13
14
15
16
功能
输出A1
输出B1
输出A2
输出B2
输出A3
输出B3
输出A4
输出B4
真值表
输入
CX
逻辑“0”的
逻辑“1”的
输出
A
V
EE
V
选择
4
B
V
选择
V
EE
5
6
7
8
1
M / A - COM公司及其附属公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。 M / A- COM使
关于是否适合任何保证，声明或保证其
产品用于任何特定目的，也没有M / A - COM承担任何责任
由此产生的任何产品（S）的使用或应用的任何或
信息。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
四驱动器，用于砷化镓FET开关和衰减器
SWD-119
V6
保证工作范围
符号
V
CC
V
EE
V
OPT 2
V
选择
-V
EE
V
CC
-V
EE
T
A
I
OH
I
OL
T
上升
, T
秋天
参数
1
正直流电源电压
负直流电源电压
可选直流输出电源电压
负电源电压范围
正到负电源电压范围
工作环境温度
直流输出电流 - 高
直流输出电流 - 低
最大输入信号上升和下降时间
单位
V
V
V
V
V
°C
mA
mA
nS
分钟。
4.5
-8.5
0
4.5
9.0
-40
—
—
—
典型值。
5.0
-5.0
1.0
6.5
10.0
+25
—
—
—
马克斯。
5.5
-4.5
2.0
8.5
14.0
+85
-1.0
1.0
500
1.所有电压都是相对于GND 。
2. V
选择
接地对于大多数应用。以改善互调性能和GaAs控制的1 dB压缩点
在低频率的设备，V
选择
为1.0 2.0V ，可以提高到35。在GaAs控制装置的非线性特性
将在500MHz近似性能。应当指出的是，控制电流是在GaAs
当阳性对照被施加的MMIC将增加。
直流特性在保证工作范围
符号
V
IH
V
IL
V
IH
V
OL
I
IN
I
CC
I
CC
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
静态电源电流
额外的电源电流，每
TTL输入引脚
测试条件
保证高输入电压
保证低输入电压
I
OH
= -1毫安
I
OL
= 1毫安
V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
=最大
V
选择
=最小值或最大值
V
CC
=最大
V
EE
=最大
V
EE
=最大
V
EE
=分钟
V
EE
=分钟
V
IN
= V
CC
或GND
V
IN
= V
CC
-2.1V
单位
V
V
V
V
A
A
mA
分钟。
2.0
—
V
选择
-0.1
—
-1.0
—
—
典型值。
—
—
—
—
0
250
—
马克斯。
—
0.8
—
V
EE
+0.1
1.0
400
1.0
2
M / A - COM公司及其附属公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。 M / A- COM使
关于是否适合任何保证，声明或保证其
产品用于任何特定目的，也没有M / A - COM承担任何责任
由此产生的任何产品（S）的使用或应用的任何或
信息。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
四驱动器，用于砷化镓FET开关和衰减器
SWD-119
V6
AC特性在保证工作范围
3
符号
T
PLH
T
PHL
T
TLH
T
THL
T
SKEW
C
IN
C
PDC
C
PDE
参数
传播延迟
传播延迟
输出上升转换时间
输出下降转换时间
延迟偏差，则输出到输出B
输入电容
功率耗散电容
4
功率耗散电容
4
-55 + 25°C
22
22
9.0
8.0
4.0
10
10
140
<+85°C
25
25
9.0
8.0
4.0
10
10
140
<+125°C
30
30
9.0
8.0
4.0
10
10
140
单位
nS
nS
nS
nS
nS
pF
pF
pF
3. V
CC
= 4.5V, V
选择
- V
EE
=最小或最大值，V
选择
= 0V ，C
L
= 25 pF的，素养， TFALL = 6ns的。这些条件表示在最坏的情况下进行慢
延误。
4.总功率耗散的计算由下列公式计算： PD = V
CC 2
fC
PDC
+ (V
选择
-V
EE
)
2
fC
PDE
开关波形
绝对最大额定值
5
符号
V
CC
V
EE
V
选择
参数
正DC
电源电压
负DC
电源电压
可选的DC
输出电源
电压
输出
负电源
电压范围
积极为负面
略去供应
电压范围
DC输入
电压
DC输入电流
DC输出
电压
动力
耗散
静止的空气中
存储
温度
民
-0.5
-9.0
-0.5
最大
7.0
0.5
VCC +0.5
单位
V
V
V
V
选择
-V
EE
-0.5
9.0
V
V
CC
-V
EE
-0.5
14.5
V
V
I
I
I
V
O
P
D6
-0.5
-25
V
EE
–0.5
—
V
CC
+0.5
25
V
选择
+0.5
500
V
mA
V
mW
T
英镑
5.
-65
150
°C
所有电压都参考GND 。所有输入和输出
合并闩锁保护的结构。
6.减免-7毫瓦/°C， 65 ° C至85°C 。
3
M / A - COM公司及其附属公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。 M / A- COM使
关于是否适合任何保证，声明或保证其
产品用于任何特定目的，也没有M / A - COM承担任何责任
由此产生的任何产品（S）的使用或应用的任何或
信息。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
四驱动器，用于砷化镓FET开关和衰减器
SWD-119
V6
SO-16
4
M / A - COM公司及其附属公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。 M / A- COM使
关于是否适合任何保证，声明或保证其
产品用于任何特定目的，也没有M / A - COM承担任何责任
由此产生的任何产品（S）的使用或应用的任何或
信息。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
SWD-119-PIN
四驱动器，用于砷化镓FET开关和衰减器
V7版本
特点
高速CMOS技术
四通道
正电压控制
低功耗
低成本的塑料SOIC -16封装
功能原理图
VCC
vopt的
逻辑C1
TTL缓冲器
电平转换器
输出A1
描述
DRIVER 1
vopt的
VEE
社署-119 -PIN是用于一个四通道驱动器
翻译TTL控制输入到门控
电压砷化镓场效应管微波开关和
衰减器。高速模拟CMOS技术
被用来实现低功耗的
中度到高的速度，包括最
微波开关应用。输出高电平
电平是任选0至+ 2.0V （相对于GND）至
优化控制的互调产物
器件在低频率。
逆变器
电平转换器
输出B1
VEE
输出A2
逻辑C2
相同
DRIVER 1
输出B2
输出A3
逻辑C3
相同
DRIVER 1
输出B3
输出A4
逻辑C4
相同
DRIVER 1
输出B4
引脚配置
PIN号
1
功能
VEE
VCC
C4
C3
C2
C1
vopt的
地
PIN号
9
10
11
12
13
14
15
16
功能
输出A1
输出B1
输出A2
输出B2
输出A3
输出B3
输出A4
输出B4
订购信息
产品型号
SWD-119-PIN
SWD-119TR
2
包
散装包装
1000件卷轴
3
4
5
6
7
8
注：参考应用笔记M513的卷大小
信息。
1
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.4155721
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
SWD-119-PIN
四驱动器，用于砷化镓FET开关和衰减器
V7版本
保证工作范围
符号
V
CC
V
EE
V
OPT 2
V
选择
-V
EE
V
CC
-V
EE
T
A
I
OH
I
OL
T
上升
, T
秋天
参数
1
正直流电源电压
负直流电源电压
可选直流输出电源电压
负电源电压范围
正到负电源电压范围
工作环境温度
直流输出电流 - 高
直流输出电流 - 低
最大输入信号上升和下降时间
单位
V
V
V
V
V
°C
mA
mA
nS
分钟。
4.5
-8.5
0
4.5
9.0
-40
—
—
—
典型值。
5.0
-5.0
1.0
6.5
10.0
+25
—
—
—
马克斯。
5.5
-4.5
2.0
8.5
14.0
+85
-1.0
1.0
500
1.所有电压都是相对于GND 。
2. V
选择
接地对于大多数应用。以改善互调性能和GaAs控制的1 dB压缩点
在低频率的设备，V
选择
为1.0 2.0V ，可以提高到35。在GaAs控制装置的非线性特性
将在500MHz近似性能。应当指出的是，控制电流是在GaAs
当阳性对照被施加的MMIC将增加。
直流特性在保证工作范围
符号
V
IH
V
IL
V
IH
V
OL
I
IN
I
CC
Δ
I
CC
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
静态电源电流
额外的电源电流，每
TTL输入引脚
测试条件
保证高输入电压
保证低输入电压
I
OH
= -1毫安
I
OL
= 1毫安
V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
=最大
V
选择
=最小值或最大值
V
CC
=最大
V
EE
=最大
V
EE
=最大
V
EE
=分钟
V
EE
=分钟
V
IN
= V
CC
或GND
V
IN
= V
CC
-2.1V
单位
V
V
V
V
A
A
mA
分钟。
2.0
—
V
选择
-0.1
—
-1.0
—
—
典型值。
—
—
—
—
0
250
—
马克斯。
—
0.8
—
V
EE
+0.1
1.0
400
1.0
办理程序
请遵循以下注意事项，以避免
伤害：
真值表
输入
CX
逻辑“0”的
逻辑“1”的
静电灵敏度
硅集成电路是对敏感
静电放电（ESD ）而可能被损坏
通过静电。适当的ESD控制技术
处理这些设备时，应使用。
2
输出
A
V
EE
V
选择
B
V
选择
V
EE
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.4155721
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
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解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
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致力于生产数量难以保证。
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SWD-119-PIN
四驱动器，用于砷化镓FET开关和衰减器
V7版本
AC特性在保证工作范围
3
符号
T
PLH
T
PHL
T
TLH
T
THL
T
SKEW
C
IN
C
PDC
C
PDE
参数
传播延迟
传播延迟
输出上升转换时间
输出下降转换时间
延迟偏差，则输出到输出B
输入电容
功率耗散电容
4
功率耗散电容
4
-55 + 25°C
22
22
9.0
8.0
4.0
10
10
140
<+85°C
25
25
9.0
8.0
4.0
10
10
140
<+125°C
30
30
9.0
8.0
4.0
10
10
140
单位
nS
nS
nS
nS
nS
pF
pF
pF
3. V
CC
= 4.5V, V
选择
- V
EE
=最小或最大值，V
选择
= 0V ，C
L
= 25 pF的，素养， TFALL = 6ns的。这些条件表示在最坏的情况下进行慢
延误。
4.总功率耗散的计算由下列公式计算： PD = V
CC 2
fC
PDC
+ (V
选择
-V
EE
)
2
fC
PDE
绝对最大额定值
5
符号
V
CC
参数
正DC
电源电压
负DC
电源电压
可选的DC
输出电源
电压
输出
负电源
电压范围
积极为负面
略去供应
电压范围
DC输入
电压
DC输入电流
DC输出
电压
动力
耗散
静止的空气中
存储
温度
民
-0.5
-9.0
-0.5
最大
7.0
0.5
VCC +0.5
单位
V
V
V
开关波形
V
EE
V
选择
V
选择
-V
EE
-0.5
9.0
V
V
CC
-V
EE
-0.5
14.5
V
V
I
I
I
V
O
P
D6
-0.5
-25
V
EE
–0.5
—
V
CC
+0.5
25
V
选择
+0.5
500
V
mA
V
mW
T
英镑
-65
150
°C
5.
所有电压都参考GND 。所有输入和输出
合并闩锁保护的结构。
6.减免-7毫瓦/°C， 65 ° C至85°C 。
3
高级：
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北美
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和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
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数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
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SWD-119-PIN
四驱动器，用于砷化镓FET开关和衰减器
V7版本
SOIC-16
参考应用笔记M538无铅回流焊
建议。
4
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.4155721
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
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初步：
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解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
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