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SAMWIN
SW8N60
N沟道MOSFET
特点
■
高耐用性
■
R
DS （ ON）
（最大1.3
)@V
GS
=10V
■
栅极电荷（典型值38NC ）
■
改进的dv / dt能力
■
100％的雪崩测试
TO-220F
TO-220
BV
DSS
: 600V
I
D
: 7.5A
R
DS （ ON）
： 1.3ohm
1
2
1
3
2
3
2
1.门2.排水3.源
概述
这是功率MOSFET生产与SAMWIN先进的VDMOS技术。
这种技术使功率MOSFET具有更好的特性，如快速
开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和特别优异的雪崩
的特点。这个功率MOSFET通常使用在高效率的直流 - 直流
转换器块和开关模式电源。
1
3
订购代码
项
1
2
销售类型
SW P 8N60
瑞士法郎8N60
记号
SW8N60
SW8N60
包
TO-220
TO-220F
包装
管
管
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
T
英镑
, T
J
T
L
漏源极电压
连续漏电流（ @T
C
=25
o
C)
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（ @T
C
=25
o
C)
降额超过25因素
o
C
工作结温&储藏温度
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8案件从5秒。
（注2 ）
（注1 ）
（注3）
147
1.18
-55 ~ + 150
300
（注1 ）
7.5
30
±
30
230
14.7
4.5
53*
0.43
参数
价值
TO-220
600
7.5*
TO-220F
单位
V
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
o
C
o
C
* 。漏电流是由结温的限制。
热特性
符号
R
thJC
R
乡镇卫生院
R
thJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，案件水槽
热阻，结到环境
价值
TO-220
0.85
0.5
62.5
TO-220F
2.35
单位
o
C / W
o
C / W
o
C / W
六月2011年修订版2.0
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1/7
SAMWIN
电气特性
( T
C
= 25
o
C除非另有说明）
符号
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ ΔT
J
I
DSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
漏极至源极漏电流
门源漏电流，正向
I
GSS
栅极至源极漏电流，反向
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
I
D
= 250uA ，参考25
o
C
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
= 480V ，T
C
=125
o
C
V
GS
=30V, V
DS
=0V
V
GS
=-30V, V
DS
=0V
600
-
-
-
-
-
参数
测试条件
分钟。
SW8N60
典型值。
马克斯。
单位
-
0.68
-
-
-
-
-
-
1
20
100
-100
V
V/
o
C
uA
uA
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
漏极至源极导通电阻
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
= 3.75A
2.0
-
1.0
4.0
1.3
V
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
tr
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
=480V, V
GS
= 10V ，我
D
=7.5A
V
DS
= 300V ，我
D
= 7.5A ，R
G
=25
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
965
105
12
16.5
60.5
81
64.5
28
4.5
12
1255
135
16
45
130
170
140
36
-
-
nC
ns
pF
源极到漏极二极管的额定特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
T
rr
Q
rr
参数
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向压降。
反向恢复时间
击穿电压温度
测试条件
积分反向的P- N结
二极管在MOSFET
I
S
= 7.5A ，V
GS
=0V
I
S
= 7.5A ，V
GS
=0V,
dI
F
/dt=100A/us
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
365
3.4
马克斯。
7.5
30
1.5
-
-
单位
A
A
V
ns
uC
※.
笔记
1.
Repeatitive评价：脉冲宽度有限的结温。
2.
L = 20mH ，我
AS
= 7.0A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25
o
C
3.
I
SD
≤ 7.0A ，的di / dt = 200A / us的，V
DD
= BV
DSS
，盯着牛逼
J
=25
o
C
4.
脉冲测试：脉冲宽度≤ 300US ，占空比≤ 2 ％
5.
基本上是独立的工作温度。
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SAMWIN
图。 1.在通态特性
图。 2.传输特性
SW8N60
图。 3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
图。 4.在目前的状态与
二极管的正向电压
图。 5.电容特性
（不重复）
图。 6.栅极电荷特性
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SAMWIN
图7.击穿电压变化
- 结温
图。 8.导通电阻变化
- 结温
SW8N60
图。 9.最大漏极电流 -
外壳温度。
图。 10.最大安全工作区
图。 11.瞬态热响应曲线
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SAMWIN
图。 12.栅极电荷测试电路波形&
同一类型
作为DUT
V
GS
Q
G
SW8N60
V
DS
Q
GS
Q
GD
DUT
V
GS
1mA
收费
图。 13.开关时间测试电路波形&
R
L
V
DS
90%
R
G
V
DS
V
DD
V
IN
10%
t
D（上）
t
r
t
ON
10%
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
10V
IN
DUT
图。 14.非钳位感应开关测试电路波形&
1
L
I
AS
V
DS
R
G
10V
IN
V
DD
I
D（T）
EAS =
BV
DSS
I
AS
2
BV
DSS
LX
I
AS2
X
BV
DSS
- V
DD
DUT
V
DS （T ）
时间
t
p
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