深圳市今星光电池TECH CO 。 ， LTD 。
R
SW640(6V4.0AH)
外形尺寸（mm ）
70
47
102.5
特定网络阳离子
额定电压
额定容量（ 20小时率）
总高
高度
尺寸
长
宽度
重量约
6V
4.0啊
106.5毫米（ 4.19英寸）
终端类型（毫米）
3.4
7.85
70毫米（2.76英寸）
47毫米（1.85英寸）
0.72公斤（1.59磅）
特征
20小时率（ 0.20A ）
10小时率（ 0.37A ）
容量
5小时率（ 0.68A ）
25 (77 )
1小时率（ 2.40A ）
1.5小时放电至5.25 V
内阻完全充电电池在25 （ 77 ）
容量
40 (104 )
受影响
25 (77 )
通过温度
0 (32 )
（ 20小时率）
-15 (5 )
自放电
在图25（ 77 ）
终奌站
收费
（恒
电压）
3个月存储容量后，
6个月存储容量后，
12个月存储容量后，
4.00 AH
3.70 AH
3.40 AH
2.40 AH
1.6 A
30 m
102%
100%
85%
65%
91%
82%
64%
放电曲线25
(77 )
6.90
6.60
6.30
6.00
5.70
5.40
5.10
4.80
4.50
4.20
3.90
0 1
2
0.8
0.20A
0.80A 0.40A
1.6A
4.0A
8.0A
12A
14.4A
4 6 8 10
20
40 60
2
6.35
102.5毫米（ 4.04英寸）
106.5
4 6 8 10 20 40
T1
初始充电电流小于1.6A
周期
电压7.20-7.35V
电压6.75-6.90 V
FL燕麦
恒定电流（安培）和恒功率（瓦）放电表25 （ 77 ）
时间
4.80V
5.10V
5.25V
5.40V
5.55V
A
W
A
W
A
W
A
W
A
W
5min
10min
15min
30min
1h
2h
3h
4h
5h
8h
10h
20h
R
深圳市今星光电池TECH CO 。 ， LTD 。
R
SW640(6V4.0AH)
外形尺寸（mm ）
194.5
25.3
特定网络阳离子
额定电压
额定容量（ 20小时率）
总高
高度
尺寸
长
宽度
重量约
6V
4.0啊
62毫米（2.44英寸）
62毫米（ 2.44英寸）
194.5毫米（ 7.66英寸）
25.3毫米（1.00英寸）
0.75公斤（1.65磅）
终端类型（毫米）
特征
20小时率（ 0.20A ）
10小时率（ 0.37A ）
容量
5小时率（ 0.68A ）
25 (77 )
1小时率（ 2.40A ）
1.5小时放电至5.25 V
内阻完全充电电池在25 （ 77 ）
容量
40 (104 )
受影响
25 (77 )
通过温度
0 (32 )
（ 20小时率）
-15 (5 )
自放电
在图25（ 77 ）
终奌站
收费
（恒
电压）
3个月存储容量后，
6个月存储容量后，
12个月存储容量后，
4.00 AH
3.70 AH
3.40 AH
2.40 AH
1.6 A
22 m
102%
100%
85%
65%
91%
82%
64%
放电曲线25
(77 )
6.90
6.60
6.30
6.00
5.70
5.40
5.10
4.80
4.50
4.20
3.90
0 1
2
1.6A
4.0A
8.0A
12A
14.4A
4 6 8 10
20
40 60
2
TW16
初始充电电流小于1.6A
周期
电压7.20-7.35V
电压6.75-6.90 V
FL燕麦
恒定电流（安培）和恒功率（瓦）放电表25 （ 77 ）
时间
4.80V
5.10V
5.25V
5.40V
5.55V
A
W
A
W
A
W
A
W
A
W
5min
10min
15min
30min
1h
2h
3h
4h
5h
8h
62
0.20A
0.80A 0.40A
4 6 8 10 20 40
10h
20h
R
SAMWIN
电气特性
符号
开关特性
BV
DSS
BV
DSS
/
Tj
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
V
GS
=0V,I
D
=250uA
I
D
= 250uA ，参考25
V
DS
=200V, V
GS
=0V
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
门源漏反向
V
DS
= 160V ，TC = 125
V
GS
=30V,V
DS
=0V
V
GS
=-30V, V
DS
=0V
-
-
-
200
-
(Tc=25
除非另有说明）
SW640
价值
测试条件
民
典型值
最大
单位
参数
-
0.2
-
-
V
V/
-
-
-
1
100
-100
uA
nA
nA
基本特征
V
GS
（ TH ）
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
V
DS
=V
GS
,I
D
=250uA
V
GS
=10V,I
D
=3.25A
2.0
-
-
0.15
4.0
0.18
V
欧姆
动态特性
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GS
=0V,V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
-
-
-
1350
180
45
1750
240
60
pF
动态特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极电荷（米勒电荷）
V
DS
=320V,V
GS
= 10V ，我
D
=6.5A
(Note4,5)
V
DD
=200V,I
D
=6.5A
R
G
=50ohm
(Note4,5)
-
-
-
-
-
-
-
25
80
150
70
40
6
21
50
230
300
200
55
-
-
nc
n
s
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
整体反转
P-N结二极管
在MOSFET
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
195
1.47
马克斯。
18
72
1.5
-
-
单元。
A
I
S
=6.5A,V
GS
=0V
I
S
=6.5A,V
GS
=0V,
dI
F
/dt=100A/us
V
ns
uc
笔记
1. Repeativity评价：脉冲宽度有限的结温
2. L
=
18.6mH,I
AS
=18A,V
DD
= 50V ， RG = 0ohm ，开始TJ = 25
3. I
SD
18A ， di / dt的100A / us的，V
DD
BV
DSS
，开始TJ = 25
4.脉冲测试：脉冲宽度300US ，占空比2 ％
5.基本上是独立的工作温度。
2/6
REV0.2
05.6.9
SAMWIN
1.2
3.0
SW640
2.5
漏源击穿电压
漏源导通电阻
1.1
BV
DSS
[标准化]
2.0
1.0
R
DS （ ON）
（归一化）
注意：
1.5
1.0
0.9
注意：
0.5
1.V
GS
=0V
2.I
D
=250uA
0.8
-100
-50
0
50
100
o
1.V
GS
=10V
2.I
D
=9A
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结。温度[C]
T
J
，结温[C]
图7.击穿电压变化与
结温
20
图8.导通电阻变化对比
结温
10
2
在这一领域
LIMTED由R
DS （ ON）
16
I
D
，漏电流[ A]
10us
10
1
1ms
10ms
I
D,
漏电流[ A]
100us
12
8
10
0
10
-1
注意：
1.Tc=25
°
C
2.Tj=150
°
C
3.单脉冲
0
4
10
10
1
10
2
0
25
50
75
100
o
125
150
V
D
，漏源电压[V]
T
c
，外壳温度[C]
Fig9 。最高安全工作
图10.最大漏极电流
与外壳温度
1
D = 0 .5
（T ） ，热响应
0 .2
0 .1
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
θ
JC
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
N}÷ TE ：
Z
1 .Z
Θ
JC
（ T）= 0 0.9 C / W M A X
o
0 .0 1
2 .D ü将ty F A C到R， D = T1 / T2
3 .T J- T C = P
D M
* Z
Θ
J·C
( t)
1 E -5
1 E -4
1 E -3
0 .0 1
0 .1
1
10
图11.瞬态热响应曲线
t
1
，S单方W AVE P ü LS E D市建局作（秒）
4/6
REV0.2
05.6.9
SAMWIN
电气特性
符号
开关特性
BV
DSS
BV
DSS
/
Tj
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
V
GS
=0V,I
D
=250uA
I
D
= 250uA ，参考25
V
DS
=200V, V
GS
=0V
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
门源漏反向
V
DS
= 160V ，TC = 125
V
GS
=30V,V
DS
=0V
V
GS
=-30V, V
DS
=0V
-
-
-
200
-
(Tc=25
除非另有说明）
SW640
价值
测试条件
民
典型值
最大
单位
参数
-
0.2
-
-
V
V/
-
-
-
1
100
-100
uA
nA
nA
基本特征
V
GS
（ TH ）
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
V
DS
=V
GS
,I
D
=250uA
V
GS
=10V,I
D
=3.25A
2.0
-
-
0.15
4.0
0.18
V
欧姆
动态特性
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GS
=0V,V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
-
-
-
1350
180
45
1750
240
60
pF
动态特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极电荷（米勒电荷）
V
DS
=320V,V
GS
= 10V ，我
D
=6.5A
(Note4,5)
V
DD
=200V,I
D
=6.5A
R
G
=50ohm
(Note4,5)
-
-
-
-
-
-
-
25
80
150
70
40
6
21
50
230
300
200
55
-
-
nc
n
s
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
整体反转
P-N结二极管
在MOSFET
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
195
1.47
马克斯。
18
72
1.5
-
-
单元。
A
I
S
=6.5A,V
GS
=0V
I
S
=6.5A,V
GS
=0V,
dI
F
/dt=100A/us
V
ns
uc
笔记
1. Repeativity评价：脉冲宽度有限的结温
2. L
=
18.6mH,I
AS
=18A,V
DD
= 50V ， RG = 0ohm ，开始TJ = 25
3. I
SD
18A ， di / dt的100A / us的，V
DD
BV
DSS
，开始TJ = 25
4.脉冲测试：脉冲宽度300US ，占空比2 ％
5.基本上是独立的工作温度。
2/6
REV0.2
05.6.9
SAMWIN
1.2
3.0
SW640
2.5
漏源击穿电压
漏源导通电阻
1.1
BV
DSS
[标准化]
2.0
1.0
R
DS （ ON）
（归一化）
注意：
1.5
1.0
0.9
注意：
0.5
1.V
GS
=0V
2.I
D
=250uA
0.8
-100
-50
0
50
100
o
1.V
GS
=10V
2.I
D
=9A
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结。温度[C]
T
J
，结温[C]
图7.击穿电压变化与
结温
20
图8.导通电阻变化对比
结温
10
2
在这一领域
LIMTED由R
DS （ ON）
16
I
D
，漏电流[ A]
10us
10
1
1ms
10ms
I
D,
漏电流[ A]
100us
12
8
10
0
10
-1
注意：
1.Tc=25
°
C
2.Tj=150
°
C
3.单脉冲
0
4
10
10
1
10
2
0
25
50
75
100
o
125
150
V
D
，漏源电压[V]
T
c
，外壳温度[C]
Fig9 。最高安全工作
图10.最大漏极电流
与外壳温度
1
D = 0 .5
（T ） ，热响应
0 .2
0 .1
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
θ
JC
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
N}÷ TE ：
Z
1 .Z
Θ
JC
（ T）= 0 0.9 C / W M A X
o
0 .0 1
2 .D ü将ty F A C到R， D = T1 / T2
3 .T J- T C = P
D M
* Z
Θ
J·C
( t)
1 E -5
1 E -4
1 E -3
0 .0 1
0 .1
1
10
图11.瞬态热响应曲线
t
1
，S单方W AVE P ü LS E D市建局作（秒）
4/6
REV0.2
05.6.9
深圳市今星光电池TECH CO 。 ， LTD 。
R
SW640(6V4.0AH)
外形尺寸（mm ）
特定网络阳离子
额定电压
额定容量（ 20小时率）
总高
高度
尺寸
长
宽度
重量约
6V
4.0啊
104毫米（ 4.09英寸）
104毫米（ 4.09英寸）
70毫米（2.76英寸）
47毫米（1.85英寸）
0.72公斤（1.59磅）
终端类型（毫米）
特征
20小时率（ 0.20A ）
10小时率（ 0.37A ）
容量
5小时率（ 0.68A ）
25 (77 )
1小时率（ 2.40A ）
1.5小时放电至5.25 V
内阻完全充电电池在25 （ 77 ）
容量
40 (104 )
受影响
25 (77 )
通过温度
0 (32 )
（ 20小时率）
-15 (5 )
自放电
在图25（ 77 ）
终奌站
收费
（恒
电压）
3个月存储容量后，
6个月存储容量后，
12个月存储容量后，
4.00 AH
3.70 AH
3.40 AH
2.40 AH
1.6 A
25 m
102%
100%
85%
65%
91%
82%
64%
放电曲线25
(77 )
6.90
6.60
6.30
6.00
5.70
5.40
5.10
4.80
4.50
4.20
3.90
0 1
2
0.20A
0.80A 0.40A
1.6A
4.0A
8.0A
12A
14.4A
4 6 8 10
20
40 60
2
4 6 8 10 20 40
T63
初始充电电流小于1.6A
周期
电压7.20-7.35V
电压6.75-6.90 V
FL燕麦
恒定电流（安培）和恒功率（瓦）放电表25 （ 77 ）
时间
4.80V
5.10V
5.25V
5.40V
5.55V
A
W
A
W
A
W
A
W
A
W
5min
10min
15min
30min
1h
2h
3h
4h
5h
8h
10h
20h
R
SAMWIN
电气特性
符号
开关特性
BV
DSS
BV
DSS
/
Tj
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
V
GS
=0V,I
D
=250uA
I
D
= 250uA ，参考25
V
DS
=200V, V
GS
=0V
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
门源漏反向
V
DS
= 160V ，TC = 125
V
GS
=30V,V
DS
=0V
V
GS
=-30V, V
DS
=0V
-
-
-
200
-
(Tc=25
除非另有说明）
SW640
价值
测试条件
民
典型值
最大
单位
参数
-
0.2
-
-
V
V/
-
-
-
1
100
-100
uA
nA
nA
基本特征
V
GS
（ TH ）
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
V
DS
=V
GS
,I
D
=250uA
V
GS
=10V,I
D
=3.25A
2.0
-
-
0.15
4.0
0.18
V
欧姆
动态特性
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GS
=0V,V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
-
-
-
1350
180
45
1750
240
60
pF
动态特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极电荷（米勒电荷）
V
DS
=320V,V
GS
= 10V ，我
D
=6.5A
(Note4,5)
V
DD
=200V,I
D
=6.5A
R
G
=50ohm
(Note4,5)
-
-
-
-
-
-
-
25
80
150
70
40
6
21
50
230
300
200
55
-
-
nc
n
s
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
整体反转
P-N结二极管
在MOSFET
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
195
1.47
马克斯。
18
72
1.5
-
-
单元。
A
I
S
=6.5A,V
GS
=0V
I
S
=6.5A,V
GS
=0V,
dI
F
/dt=100A/us
V
ns
uc
笔记
1. Repeativity评价：脉冲宽度有限的结温
2. L
=
18.6mH,I
AS
=18A,V
DD
= 50V ， RG = 0ohm ，开始TJ = 25
3. I
SD
18A ， di / dt的100A / us的，V
DD
BV
DSS
，开始TJ = 25
4.脉冲测试：脉冲宽度300US ，占空比2 ％
5.基本上是独立的工作温度。
2/6
REV0.2
05.6.9
SAMWIN
1.2
3.0
SW640
2.5
漏源击穿电压
漏源导通电阻
1.1
BV
DSS
[标准化]
2.0
1.0
R
DS （ ON）
（归一化）
注意：
1.5
1.0
0.9
注意：
0.5
1.V
GS
=0V
2.I
D
=250uA
0.8
-100
-50
0
50
100
o
1.V
GS
=10V
2.I
D
=9A
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结。温度[C]
T
J
，结温[C]
图7.击穿电压变化与
结温
20
图8.导通电阻变化对比
结温
10
2
在这一领域
LIMTED由R
DS （ ON）
16
I
D
，漏电流[ A]
10us
10
1
1ms
10ms
I
D,
漏电流[ A]
100us
12
8
10
0
10
-1
注意：
1.Tc=25
°
C
2.Tj=150
°
C
3.单脉冲
0
4
10
10
1
10
2
0
25
50
75
100
o
125
150
V
D
，漏源电压[V]
T
c
，外壳温度[C]
Fig9 。最高安全工作
图10.最大漏极电流
与外壳温度
1
D = 0 .5
（T ） ，热响应
0 .2
0 .1
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
θ
JC
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
N}÷ TE ：
Z
1 .Z
Θ
JC
（ T）= 0 0.9 C / W M A X
o
0 .0 1
2 .D ü将ty F A C到R， D = T1 / T2
3 .T J- T C = P
D M
* Z
Θ
J·C
( t)
1 E -5
1 E -4
1 E -3
0 .0 1
0 .1
1
10
图11.瞬态热响应曲线
t
1
，S单方W AVE P ü LS E D市建局作（秒）
4/6
REV0.2
05.6.9
SAMWIN
SW640
N沟道MOSFET
特点
■
高耐用性
■
R
DS （ ON）
（最大0.18
)@V
GS
=10V
■
栅极电荷（典型值20nC ）
■
改进的dv / dt能力
■
100％的雪崩测试
TO-220
BV
DSS
: 200V
I
D
: 18A
R
DS （ ON）
： 0.18ohm
1
2
3
2
1.门2.排水3.源
概述
这是功率MOSFET生产与SAMWIN先进的VDMOS技术。
这项技术使功率MOSFET具有更好的特性，
如快速切换时间，低导通电阻，低栅极电荷和特别
优异的雪崩特性。这种功率MOSFET通常用
以高效率的DC -DC转换器块和开关电源。
它的典型应用是电视和显示器。
1
3
订购代码
项
1
销售类型
SW P 640
记号
SW640
包
TO-220
包装
管
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
T
英镑
, T
J
T
L
漏源极电压
连续漏电流（ @T
C
=25
o
C)
连续漏电流（ @T
C
=100
o
C)
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（ @T
C
=25
o
C)
降额超过25因素
o
C
工作结温&储藏温度
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8案件从5秒。
（注2 ）
（注1 ）
（注3）
（注1 ）
参数
价值
200
18
11.4
72
±
30
250
13.9
5.5
139
1.1
-55 ~ + 150
300
单位
V
A
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
o
C
o
C
* 。漏电流是由结温的限制。
热特性
符号
R
thJC
R
乡镇卫生院
R
thJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，案件水槽
热阻，结到环境
价值
TO-220
0.9
0.5
62.5
单位
o
C / W
o
C / W
o
C / W
三月2011年修订版2.0
版权所有@ SEMIPOWER电子科技有限公司保留所有权利。
1/7
SAMWIN
电气特性
( T
C
= 25
o
C除非另有说明）
符号
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ ΔT
J
I
DSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
漏极至源极漏电流
门源漏电流，正向
I
GSS
栅极至源极漏电流，反向
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
I
D
= 250uA ，参考25
o
C
V
DS
=200V, V
GS
=0V
V
DS
= 160V ，T
C
=125
o
C
V
GS
=30V, V
DS
=0V
V
GS
=-30V, V
DS
=0V
200
-
-
-
-
-
-
0.2
-
-
-
-
参数
测试条件
分钟。
典型值。
SW640
马克斯。
单位
-
-
1
20
100
-100
V
V/
o
C
uA
uA
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
漏极至源极导通电阻
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
= 5A
2.0
-
0.15
4.0
0.18
V
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
tr
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
=160V, V
GS
= 10V ，我
D
=10A
V
DS
= 100V ，我
D
= 5.0A ，R
G
=25
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
1350
180
45
25
80
150
70
40
6
21
1750
240
60
50
230
300
200
55
nC
ns
pF
源极到漏极二极管的额定特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
T
rr
Q
rr
参数
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向压降。
反向恢复时间
击穿电压温度
测试条件
积分反向的P- N结
二极管在MOSFET
I
S
= 10A ，V
GS
=0V
I
S
= 10A ，V
GS
=0V,
dI
F
/dt=100A/us
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
195
1.47
马克斯。
18
72
1.5
-
-
单位
A
A
V
ns
uC
※.
笔记
1.
Repeatitive评价：脉冲宽度有限的结温。
2.
L = 6.3mH ，我
AS
= 10A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 50Ω ，起始物为
J
= 25
o
C
3.
I
SD
≤ 10A ，的di / dt = 300A / us的，V
DD
= BV
DSS
，盯着牛逼
J
=25
o
C
4.
脉冲测试：脉冲宽度≤ 300US ，占空比≤ 2 ％
5.
基本上是独立的工作温度。
版权所有@ SEMIPOWER电子科技有限公司保留所有权利。
2/7
SAMWIN
图。 1.在通态特性
图。 2.传输特性
SW640
V
GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
底部： 5.0 V
上图：
10
1
10
1
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
150 C
25 C
o
o
o
10
0
10
0
-55 C
注意事项：
1. V
DS
= 30V
2. 250日元是脉冲测试
-1
注意事项：
1. 250元是脉冲测试
2. T
C
= 25
10
-1
10
10
0
10
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图。 3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
2.0
图。 4.在目前的状态与
二极管的正向电压
漏源导通电阻[ ]
I
DR
，反向漏电流[ A]
1.5
10
1
R
DS （ ON）
,
1.0
V
GS
= 10V
10
0
150
25
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250日元是脉冲测试
0.5
V
GS
= 20V
注：t
J
= 25
0.0
0
6
12
18
24
10
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图。 5.电容特性
（不重复）
1250
C
国际空间站
=C
gs
+C
gd
(C
ds
=短路）
图。 6.栅极电荷特性
12
V
GS
，栅源电压[V]
C
OSS
=C
ds
+C
gd
C
RSS
=C
gd
V
DS
= 200V
10
1000
电容[ pF的]
C
OSS
750
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2， F = 1MHz的
V
DS
= 125V
V
DS
= 50V
8
C
国际空间站
500
6
4
250
2
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
注：我
D
= 10A
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
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3/7
SAMWIN
图7.击穿电压变化
- 结温
1.2
SW640
图。 8.导通电阻变化
- 结温
3.0
漏源击穿电压
漏源导通电阻
2.5
BV
DSS
（归一化）
R
DS （ ON）
（归一化）
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250 A
0.5
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 4.5 A
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图。 9.最大漏极电流 -
外壳温度。
10
图。 10.最大安全工作区
2
10
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
8
100
s
I
D
，漏电流[ A]
I
D'
漏电流[ A]
10
1
1毫秒
10毫秒
DC
6
4
10
0
2
注意事项：
o
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
o
0
25
50
75
100
o
125
150
10
-1
3.单脉冲
0
10
10
1
10
2
10
3
T
C'
外壳温度[C]
V
DS
，漏源电压[V]
图。 11.瞬态热响应曲线
10
1
Z
???? JC
（T ） ，热响应
D=0.5
10
0
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
注意事项：
1. Z
???? JC
（吨） = 1.60 ， / W的最大值。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
???? JC
(t)
10
-1
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，方波脉冲持续时间（秒）
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4/7
SAMWIN
图。 12.栅极电荷测试电路波形&
同一类型
作为DUT
V
GS
Q
G
SW640
V
DS
Q
GS
Q
GD
DUT
V
GS
1mA
收费
图。 13.开关时间测试电路波形&
R
L
V
DS
90%
R
G
V
DS
V
DD
V
IN
10%
t
D（上）
t
r
t
ON
10%
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
10V
IN
DUT
图。 14.非钳位感应开关测试电路波形&
1
L
I
AS
V
DS
R
G
10V
IN
V
DD
I
D（T）
EAS =
BV
DSS
I
AS
2
BV
DSS
LX
I
AS2
X
BV
DSS
- V
DD
DUT
V
DS （T ）
时间
t
p
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5/7
QQ：2881677436 复制
