SAMWIN
SW30N06
N沟道MOSFET
特点
■
高耐用性
■
R
DS （ ON）
（最多0.036
)@V
GS
=10V
■
栅极电荷（典型值20nC ）
■
改进的dv / dt能力
■
100％的雪崩测试
TO-220
TO-251
TO-252
BV
DSS
: 60V
I
D
: 30A
R
DS （ ON）
： 0.036欧姆
2
1
1
2
3
1
2
3
2
3
1.门2.排水3.源
1
概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用制备
SAMWIN专有的，平面条形， DMOS技术。
这种先进的技术使功率MOSFET具有更好的特性，如
快速开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和特别优异的雪崩
的特点。该产品可广泛应用于AC- DC开关电源， DC-DC
转换器和H桥PWM电机驱动器
3
订购代码
项
1
2
3
销售类型
SW P 30N06
SW我30N06
SW 30N06
记号
SW30N06
SW30N06
SW30N06
包
TO-220
TO-251
TO-252
包装
管
管
REEL
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
T
英镑
, T
J
T
L
漏源极电压
连续漏电流（ @T
C
=25
o
C)
连续漏电流（ @T
C
=100
o
C)
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（ @T
C
=25
o
C)
降额超过25因素
o
C
工作结温&储藏温度
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8案件从5秒。
（注2 ）
（注1 ）
（注3）
（注1 ）
参数
价值
60
30
14
120
±
20
178
4.0
7.0
44
0.57
-55 ~ + 150
300
单位
V
A
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
o
C
o
C
热特性
符号
R
thJC
R
乡镇卫生院
R
thJA
五月。 2011年修订版3.0
参数
热阻，结到外壳
热电阻，案件水槽
热阻，结到环境
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
2.85
50
110
单位
o
C / W
o
C / W
o
C / W
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SAMWIN
电气特性
( T
C
= 25
o
C除非另有说明）
符号
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ ΔT
J
I
DSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
漏极至源极漏电流
门源漏电流，正向
I
GSS
栅极至源极漏电流，反向
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
I
D
= 250uA ，参考25
o
C
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
DS
= 48V ，T
C
=125
o
C
V
GS
=20V, V
DS
=0V
V
GS
=-20V, V
DS
=0V
60
-
-
-
-
-
参数
测试条件
分钟。
SW30N06
典型值。
马克斯。
单位
-
0.06
-
-
-
-
-
-
1
50
100
-100
V
V/
o
C
uA
uA
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
漏极至源极导通电阻
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
= 15A
2.0
-
0.027
4.0
0.036
V
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
tr
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
=48V, V
GS
= 10V ，我
D
=30A
V
DS
= 30V ，我
D
= 15A ，R
G
=25
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
580
220
60
9
65
40
37
20
5
10
26
-
-
nC
ns
760
280
80
pF
源极到漏极二极管的额定特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
T
rr
Q
rr
参数
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向压降。
反向恢复时间
击穿电压温度
测试条件
积分反向的P- N结
二极管在MOSFET
I
S
= 30A ，V
GS
=0V
I
S
= 30A ，V
GS
=0V,
dI
F
/dt=100A/us
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
44
62
马克斯。
30
120
1.4
-
-
单位
A
A
V
ns
uC
※.
笔记
1.
Repeatitive评价：脉冲宽度有限的结温。
2.
L = 360uH ，我
AS
= 30.0A ，V
DD
= 25V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25
o
C
3.
I
SD
≤ 30.0A ，的di / dt = 300A / us的，V
DD
= BV
DSS
，盯着牛逼
J
=25
o
C
4.
脉冲测试：脉冲宽度≤ 300US ，占空比≤ 2 ％
5.
基本上是独立的工作温度。
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SAMWIN
图。 1.在通态特性
SW30N06
图。 2.传输特性
10
2
V
GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
底部： 5.0 V
上图：
10
2
I
D
，漏电流[ A]
10
1
I
D
，漏电流[ A]
10
1
175 C
25 C
-55 C
o
o
o
* 。注意事项：
1. 250US脉冲测试
O
2. T
C
= 25 C
* 。注意事项：
1. V
DS
=V
GS
2. 250US脉冲测试
10
0
10
-1
10
0
10
1
10
0
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图。 3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
100
图。 4.在目前的状态与
二极管的正向电压
10
2
漏源导通电阻[M ]
V
GS
= 10V
60
R
DS （ ON）
,
V
GS
= 20V
40
I
DR
，反向漏电流[ A]
80
10
1
175 C
25 C
* 。注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250US脉冲测试
0
O
O
20
* 。注：t
J
= 25 C
O
0
0
20
40
60
80
100
120
140
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图。 5.电容特性
（不重复）
1500
C
国际空间站
=C
gs
+C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
=C
ds
+C
gd
C
RSS
=C
gd
图。 6.栅极电荷特性
12
10
V
DS
= 48V
V
DS
= 30V
V
GS
，栅源电压[V]
电容[ pF的]
1000
C
国际空间站
* 。注意事项：
1. V
GS
= 0V
2， F = 1MHz的
8
6
500
C
OSS
C
RSS
4
2
* 。注：我
D
= 30.0 A
0
0
5
10
15
20
25
30
35
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源电压[V]
Q
g
，总栅极电荷[ NC ]
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SAMWIN
图7.击穿电压变化
- 结温
1.2
3.0
SW30N06
图。 8.导通电阻变化
- 结温
漏源击穿电压
R
DS （ ON）
（归一化）
1.1
漏源导通电阻
2.5
BV
DSS
（归一化）
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
* 。注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250微安
0.5
* 。注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 15 A
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图。 9.最大漏极电流 -
外壳温度。
35
图。 10.最大安全工作区
10
3
30
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10
2
I
D'
漏电流[ A]
25
I
D
，漏电流[ A]
100us
1毫秒
10毫秒
20
10
1
15
DC
10
10
0
5
* 。注意事项：
o
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 175 C
3.单脉冲
o
0
25
50
75
100
125
o
150
175
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
T
C'
外壳温度[C]
V
DS
，漏源电压[V]
图。 11.瞬态热响应曲线
Z
???? JC
（T ） ，热响应
10
0
D=0.5
0.2
0.1
* 。注意事项：
O
1. Z
???? JC
（ T） = 1.78 ℃/ W（最大值） 。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
???? JC
(t)
10
-1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
t
1
t
2
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，方波脉冲持续时间（秒）
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SAMWIN
图。 12.栅极电荷测试电路波形&
同一类型
作为DUT
V
GS
Q
G
SW30N06
V
DS
Q
GS
Q
GD
DUT
V
GS
1mA
收费
图。 13.开关时间测试电路波形&
R
L
V
DS
90%
R
G
V
DS
V
DD
V
IN
10%
t
D（上）
t
r
t
ON
10%
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
10V
IN
DUT
图。 14.非钳位感应开关测试电路波形&
1
L
I
AS
V
DS
R
G
10V
IN
V
DD
I
D（T）
EAS =
BV
DSS
I
AS
2
BV
DSS
LX
I
AS2
X
BV
DSS
- V
DD
DUT
V
DS （T ）
时间
t
p
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5/7
QQ：2881677436 复制
