SAMWIN
TO-251
TO-252
SW2N70
N沟道MOSFET
特点
■
高耐用性
■
R
DS （ ON）
（最大7
)@V
GS
=10V
■
栅极电荷（最大5nC ）
■
改进的dv / dt能力
■
100％的雪崩测试
BV
DSS
: 700V
I
D
: 2A
R
DS （ ON）
： 7ohm
2
1
1
2
3
2
3
1.门2.排水3.源
1
3
概述
这是功率MOSFET生产与SAMWIN先进的VDMOS技术。
这项技术使功率MOSFET具有更好的特性，
如快速切换时间，低导通电阻，低栅极电荷和特别
优异的雪崩特性。这种功率MOSFET通常用
在AC适配器和开关电源。
订购代码
项
1
2
销售类型
SW I 2N70
SW 2N70
记号
SW2N70
SW2N70
包
TO-251
TO-252
包装
管
REEL
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
T
英镑
, T
J
T
L
漏源极电压
连续漏电流（ @T
C
=25
o
C)
连续漏电流（ @T
C
=100
o
C)
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（ @T
C
=25
o
C)
降额超过25因素
o
C
工作结温&储藏温度
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8案件从5秒。
（注2 ）
（注1 ）
（注3）
（注1 ）
参数
价值
700
2.0
1.3
8.0
±
30
140
2.8
4.5
28
0.22
-55 ~ + 150
300
单位
V
A
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
o
C
o
C
热特性
符号
R
乡镇卫生院
R
thJA
参数
热阻，结到铅最大
热阻，结到环境
价值
40
62.5
单位
o
C / W
o
C / W
三月2011年修订版2.0
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SAMWIN
电气特性
( T
C
= 25
o
C除非另有说明
符号
开关特性
BV
DSS
I
DSS
漏源击穿电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流，正向
I
GSS
栅极至源极漏电流，反向
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
漏极至源极导通电阻
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
= 1.0A
2.0
-
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
DS
=700V, V
GS
=0V
V
DS
= 560V ，T
C
=125
o
C
V
GS
=30V, V
DS
=0V
V
GS
=-30V, V
DS
=0V
700
-
-
-
-
参数
测试条件
分钟。
SW2N70
典型值。
马克斯。
单位
-
0.4
-
-
-
-
1
100
100
-100
V
uA
uA
nA
nA
-
5.0
4.0
7.0
V
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
tr
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
=560V, V
GS
= 10V ，我
D
=2A
V
DS
= 350V ，我
D
= 2A ，R
G
=25
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
450
45
9
-
-
-
-
15.1
2.2
4.4
530
50
10
55
90
100
70
21
3
6
nC
ns
pF
源极到漏极二极管的额定特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
T
rr
Q
rr
参数
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向压降。
反向恢复时间
击穿电压温度
测试条件
积分反向的P- N结
二极管在MOSFET
I
S
= 2A ，V
GS
=0V
I
S
= 2A ，V
GS
=0V,
dI
F
/dt=100uA/us
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
260
1.09
马克斯。
2.0
8.0
1.4
-
-
单位
A
A
V
ns
uC
※.
笔记
1.
Repeatitive评价：脉冲宽度有限的结温。
2.
L = 95mH ，我
AS
= 0.5A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25
o
C
3.
I
SD
≤ 0.5A ，的di / dt = 300A / us的，V
DD
= BV
DSS
，盯着牛逼
J
=25
o
C
4.
脉冲测试：脉冲宽度≤ 300US ，占空比≤ 2 ％
5.
基本上是独立的工作温度。
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SAMWIN
图。 1.在通态特性
V
GS
上图：
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
底部： 5.5 V
SW2N70
图。 2.传输特性
10
0
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
10
0
10
-1
150 C
25 C
-55 C
※
注意事项：
1. V
DS
= 50V
2. 250μs的脉冲测试
o
o
o
※
注意事项：
10
-2
1. 250μs的脉冲测试
2. T
C
= 25
℃
10
-1
10
-1
10
0
10
1
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图。 3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
50
图。 4.在目前的状态与
二极管的正向电压
漏源导通电阻[ ]
40
I
DR
，反向漏电流[ A]
10
0
30
R
DS （ ON）
,
V
GS
= 10V
20
150
25
V
GS
= 20V
10
注：t
J
= 25
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250日元是脉冲测试
0
0.0
10
-1
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图。 5.电容特性
（不重复）
图。 6.栅极电荷特性
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SAMWIN
图7.击穿电压变化
- 结温
1.2
SW2N70
图。 8.导通电阻变化
- 结温
3.0
漏源击穿电压
漏源导通电阻
2.5
1.1
R
DS （ ON）
（归一化）
BV
DSS
（归一化）
2.0
1.0
1.5
1.0
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 0.5 A
0.9
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250 A
0.5
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图。 9.最大漏极电流 -
外壳温度。
0.5
图。 10.最大安全工作区
10
0.4
1
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
I
D'
漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
100
s
10
0
0.3
1毫秒
10毫秒
DC
0.2
10
-1
0.1
注意事项：
o
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
o
0.0
25
50
75
100
o
125
150
10
-2
3.单脉冲
0
10
10
1
10
2
10
3
T
C'
外壳温度[C]
V
DS
，漏源电压[V]
图。 11.瞬态热响应曲线
10
1
Z
???? JC
（T ） ，热响应
D=0.5
10
0
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
注意事项：
1. Z
???? JC
（吨） = 4.2 ， / W的最大值。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
???? JC
(t)
10
-1
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，方波脉冲持续时间（秒）
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SAMWIN
图。 12.栅极电荷测试电路波形&
同一类型
作为DUT
V
GS
Q
G
SW2N70
V
DS
Q
GS
Q
GD
DUT
V
GS
1mA
收费
图。 13.开关时间测试电路波形&
R
L
V
DS
90%
R
G
V
DS
V
DD
V
IN
10%
t
D（上）
t
r
t
ON
10%
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
10V
IN
DUT
图。 14.非钳位感应开关测试电路波形&
1
L
I
AS
V
DS
R
G
10V
IN
V
DD
I
D（T）
EAS =
BV
DSS
I
AS
2
BV
DSS
LX
I
AS2
X
BV
DSS
- V
DD
DUT
V
DS （T ）
时间
t
p
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5/7
QQ：2880707522 复制
