半导体
SW2321E-G
侧面发光LED
特点
2.8毫米（ L） × 1.2毫米（W ）小尺寸表面贴装型
薄型封装为0.8mm （H ）厚度
透明度SMD侧视型
广视角： 110
O
ê ; ESD保护（ ± 2.0KV ， 3次@ 100pF电容， 1.5kΩ上）
外形尺寸
单位：
mm
2 . 4 0 ~ 2 . 6 0
B '
A
B
2 . 7 0 ~ 2 . 9 0
A '
0 。 8 ; 0 T 页。
1 。 4 ; 0 T 页。
2 . 3 3 ~ 2 . 5 3
< A - A' >
0 . 5 0 ~ 0 . 6 0
2
0 . 7 0 ~ 0 . 9 0
1 . 1 0 ~ 1 . 3 0
1
0 。 4牛逼页。
2 . 3 3 ~ 2 . 5 3
< B - B' >
(2)
(1)
引脚连接
1.阳极
2.阴极
KSD-O8K001-001
1
SW2321E-G
绝对最大额定值
特征
功耗
正向电流
*
1
最大正向电流
工作温度范围
存储温度范围
*
2
焊接温度
(Ta=25℃)
符号
P
D
I
F
I
FP
T
OPR
T
英镑
T
SOL
等级
90
25
50
-30
85
-40
100
240
℃
10秒
单位
mW
mA
mA
℃
℃
* 1.Duty比= 1/16 ，脉冲宽度= 0.1毫秒
* 2 。推荐的回流焊接温度曲线
- 预热150 ℃至185 ℃ 120秒内焊接240 ℃10秒内
逐渐冷却（避免淬火）
温度（ ℃ ）
240
峰值温度最高。 240 ℃
预热区
150 185 ℃ ， 90 ± 30秒
185
150
最大。 3 ℃ /秒
最大。 4 ℃ /秒
从25 ℃达峰时间最高温度。 6分钟
0
60
150
180
240
时间（秒）
最大。 -6 ℃ /秒
最大。 10秒
焊锡区
220 ℃ ，最大。 60秒
25
电/光特性
特征
正向电压
(Ta=25℃)
符号
V
F
I
V
X
Y
测试条件
I
F
= 20mA下
I
F
= 20mA下
民
3.0
360
0.272
0.248
典型值
-
-
-
-
±55
最大
3.6
1000
0.330
0.339
单位
V
MCD
-
-
度
*
3
发光强度
*
4
色度坐标
*
5
半角
I
F
= 20mA下
θ
1/2
I
F
= 20mA下
KSD-O8K001-001
2
SW2321E-G
* 3 。发光强度最大容差为每个等级划分界限是
±18%
第I （试验结果
F
= 20mA下仅供参考）
* 4 。 CIE坐标斌限制将有
±0.02
公差
*5.
θ
1/2
是离轴角，其中所述发光强度是
1/2
的峰强度
●
V
F
/ I
V
GRADE
分类
(Ta=25℃)
测试条件@ I
F
= 20mA下
正向电压[V]的
光强度[ MCD ]
A : 360~460
1 : 3.0~3.3
B : 460~560
C : 560~660
2 : 3.3~3.6
D : 660~810
E : 810~1000
（不要使用等级分类相结合。它必须单独使用等级分类）
KSD-O8K001-001
3
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