3瓦蜂窝T / R和天线切换开关, DC - 3.0 GHz的
SW-425
SW-425
3瓦蜂窝T / R和天线
转换开关, DC - 3.0 GHz的
特点
低成本的塑料SOT- 26封装
低插入损耗<0.6分贝@ 1900MHz的
低功耗<20μA @ + 3V
非常高截取点: 53 dBm的IP
3
正反两方面的2.5 8 V控制
对于CDMA , W-CDMA, TDMA,GSM , PCS和DCS系统
应用
SOT- 26塑料包装
XX #
销1
描述
M / A - COM的SW- 425是一种低成本的砷化镓单片开关
SOT- 26表面贴装塑料封装。开关SW- 425是理想
适合于各种应用,其中非常低的功耗
( <10μA @ 5V ) ,低互调产物和非常小的尺寸
是必需的。典型的应用包括内部/外部天线
选择开关,用于移动电话和数据电台。此外,
由于其低损失,良好的隔离和固有的速度,对
SW- 425可以作为一个常规的T / R开关或作为天线
分集开关。在SW- 425可以在电源应用起来使用
至3瓦的系统,如元胞的PCS , CDMA,W -CDMA中,
TDMA,GSM和其它模拟/数字无线通信
系统。
开关SW- 425 ,使用一个新的0.5微米栅长的GaAs制成
PHEMT工艺。该工艺具有全芯片钝化
增强的性能和可靠性。
订购信息
产品型号
SW- 425 PIN
SW-425TR
SW-425RTR
包
SOT- 26塑料包装
1
正向磁带和卷轴
1
相反的磁带和卷轴
电气规格牛逼
A
= 25°C
参数
插入损耗
插入损耗
插入损耗
隔离
隔离
隔离
VSWR
P
1dB
( 3V电源)
P
1dB
( 5V电源)
输入IP
2
输入IP
3
谐波
谐波
T
上升
,
T
秋天
T
on
,
T
关闭
瞬变
栅极漏电流
2
rd
3
nd
1.参考应用笔记M513的卷大小信息。
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
dBc的
dBc的
nS
nS
mV
A
分钟。
典型值。
0.4
0.55
0.7
20
15
12
1.2:1
34
36
70
53
70
48
75
75
60
20
20
10
马克斯。
0.5
0.65
0.8
测试条件
DC - 1 GHz的
12 GHz的
2 - 3 GHz的
DC - 1 GHz的
1 - 2 GHz的
2 - 3 GHz的
DC - 3 GHz的
500兆赫 - 3 GHz的
500兆赫 - 3 GHz的
2音, 5 MHz的间距,
0.9 GHz的
+10 dBm的( +13 dBm的总量)V
CTL
=3V
2音, 5 MHz的间距,
0.9 GHz的
+10 dBm的( +13 dBm的总量)V
CTL
=3V
引脚30 dBm的| V
CTL
| = 3V
引脚33 dBm的| V
CTL
| = 5V
10 %至90%的射频,90%至10%的射频
50 %对照,以90%的射频,控制到10%的射频
带内
V
CTL
= 3 V
18
13
10
32
34
62
48
65
45
65
65
1.4:1
2
nd
3
rd
20
V2.00
AMP公司的M / A- COM司
3
北美:电话。 ( 800 ) 366-2266 ,传真:( 800 ) 618-8883
3
亚洲/太平洋地区:电话: + 85 2 2111 8088 ,传真+85 2 2111 8087
3
欧洲:电话。 +44 ( 1344 ) 869 595传真:+ 44 ( 1344 ) 300 020
www.macom.com
AMP连接,并在更高层次上的商标。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
3瓦蜂窝T / R和天线切换开关, DC - 3.0 GHz的
SW-425
绝对最大额定值
参数
马克斯。输入功率( 0.5 - 3.0 GHz的)
3 V控制
5 V控制
工作温度
储存温度
1
工作原理图
VA
RFC
VB
绝对最大
+36 dBm的
+38 dBm的
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
1.超过任一项的这些限制或组合可能导致
永久性损坏。
销1
真值表
模式
(控制)
积极
1
高建国/
负
1,2
负
3
控制
A
0±0.2V
+2.5至+ 8V
-Vc±0.2V
维生素C +
0±0.2V
-2.5V至-8V
RF1
控制
B
+2.5至+ 8V
0±0.2V
维生素C +
-Vc±0.2V
-2.5V至-8V
0±0.2V
GND
RF2
RFC - RFC RF1 - RF2
关闭
On
关闭
On
On
关闭
On
关闭
On
关闭
关闭
On
引脚配置
PIN号
1
2
3
4
5
6
功能
RF1
GND
RF2
VB
RFC
VA
描述
射频输入/输出
射频地
射频输入/输出
V控制B
射频共
V控制一
1.外部隔直流电容器所需的所有RF端口。
用于正控制电压39pF的电容器。
2. |-V
CTL
|, V
CTL
≤
8 V
3.如果被用于阴性对照,隔直流电容器不是必需的
在RF端口。
办理程序
以下预防措施应遵守,以免损坏:
静电灵敏度
砷化镓集成电路ESD敏感并能
因静电而损坏。适当的ESD技术应
处理这些设备时使用。
V2.00
AMP公司的M / A- COM司
3
北美:电话。 ( 800 ) 366-2266 ,传真:( 800 ) 618-8883
3
亚洲/太平洋地区:电话: + 85 2 2111 8088 ,传真+85 2 2111 8087
3
欧洲:电话。 +44 ( 1344 ) 869 595传真:+ 44 ( 1344 ) 300 020
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特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
3瓦蜂窝T / R和天线切换开关, DC - 3.0 GHz的
SW-425
典型性能曲线
输入压缩点与V
CTL
在900兆赫
40
38
36
34
32
30
28
26
24
22
20
2.5
3
3.5
P1dB为*
3谐波与V
CTL
在f
O
= 900兆赫
90
85
80
75
70
65
60
55
50
45
40
35
30
2.5
3
3.5
4
谐波( DBC)
rd
压缩( dBm的)
P0.1dB
Pin=31dBm
Pin=30dBm
Pin=29dBm
Pin=28dBm
Pin=34dBm
Pin=33dBm
*以上VCTL = 4V , P1dB的是不可测量
由于热失控条件
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
V
CTL
(V)
V
CTL
(V)
二次谐波与V
CTL
在f
O
= 900兆赫
90
插入损耗(dB )
插入损耗与频率和温度
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
0.5
85°C
谐波( DBC)
85
80
75
70
65
60
55
50
2.5
3
3.5
4
Pin=29dBm
Pin=28dBm
25°C
Pin=30dBm
Pin=33dBm
Pin=31dBm
Pin=34dBm
-40°C
4.5
5
5.5
V
CTL
(V)
6
6.5
7
7.5
8
1
1.5
频率(GHz )
2
2.5
3
隔离与频率和温度
50
45
隔离度(dB )
40
VSWR
35
30
25
20
15
10
0
0.5
1
1.5
频率(GHz )
2
2.5
3
1
85°C, -40°C, 25°C
VSWR与频率和温度
1.5
1.4
1.3
25°C
1.2
1.1
85°C
-40°C
0
0.5
1
1.5
频率(GHz )
2
2.5
3
V2.00
AMP公司的M / A- COM司
3
北美:电话。 ( 800 ) 366-2266 ,传真:( 800 ) 618-8883
3
亚洲/太平洋地区:电话: + 85 2 2111 8088 ,传真+85 2 2111 8087
3
欧洲:电话。 +44 ( 1344 ) 869 595传真:+ 44 ( 1344 ) 300 020
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特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。