砷化镓SP4T开关终止
DC - 2 GHz的
特点
q
q
q
q
q
q
q
q
SW-419
SO-24
超低功耗: 100 μW
低插入损耗: 1分贝
高隔离度: 25分贝高达2 GHz
非常高截取点: 46 dBm的IP3
纳秒的开关速度
温度范围: -40 ° C至+ 85°C
低成本SOIC24塑料包装
磁带和卷轴包装可用
1
描述
M / A - COM的SW- 419是GaAs MMIC SP4T在终止开关
低成本SOIC 24引脚宽体表面贴装塑料封装。
在SW- 419非常适合用于要求非常低的功率变
消耗是必要的。典型的应用包括开关matri-
CES上,并在系统中滤波器组,如:广播和蜂窝分析装备
包换, PCM , GPS,光纤模块,和其它电池供电
无线电设备。
在SW- 419被制造与使用单片砷化镓MMIC
成熟的1微米工艺。该工艺具有全芯片passiva-
化,以提高性能和可靠性。
订购信息
产品型号
包
SOIC 24引脚塑料封装
正向磁带&卷轴
反向磁带&卷轴
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
分钟。
典型值。
0.8
0.8
0.9
1.2
60
51
39
24
1.3:1
1.3:1
8
16
15
21
27
45
60
35
46
最大
1.0
1.1
1.2
1.4
SW- 419 PIN
SW- 419 TR
SW- 419 RTR
电气规格,T
A
= +25°C
参数
插入损耗
测试条件
2
隔离
DC - 0.1 GHz的
DC - 0.5 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 0.1 GHz的
DC - 0.5 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
On
关闭
10 %至90%的射频,90%至10%的射频
50 %对照,以90%的射频,50%控制在10%的射频
在带
输入功率
0.05 GHz的
输入功率
0.5 - 2.0 GHz的
测量的相对
输入功率
(对于双音输入功率高达5 dBm的)
测量的相对
输入功率
(对于双音输入功率高达5 dBm的)
0.05 GHz的
0.5 - 2.0 GHz的
0.05 GHz的
0.5 - 2.0 GHz的
54
46
36
20
VSWR
素养, TFALL
吨, Toff的
瞬变
一分贝
压缩
IP2
nS
nS
mV
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
IP3
1.请参阅“磁带和卷轴包装”部分,或请与工厂联系。
2.所有的测量用0 ,-5 V控制电压在一个50Ω系统1 GHz时,除非另有规定。
砷化镓SP4T开关终止
SW-419
V 2.00
绝对最大额定值
1
参数
马克斯。输入功率
低于500 MHz的
500MHz以上
控制电压
储存温度
绝对最大
+27 dBm的
+30 dBm的
+5 V, – 8.5 V
-65至+ 150°C
功能原理图
此设备,这些参数中的任何一个以上的1.Operation可能导致perma-
新界东北的伤害。
典型性能
引脚配置
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
描述
射频共
GND
GND
RF1
GND
GND
RF2
GND
A2
A1
B1
B2
PIN号
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
描述
B3
B4
A4
A3
GND
RF3
GND
GND
RF4
GND
GND
GND
真值表
控制输入
A1 A2 B1 B2 B3 A3 A4 B4
1
0
0
0
0
1
1
1
0
1
0
0
1
0
1
1
0
0
1
0
1
1
0
1
0
0
0
1
1
1
1
0
RF开关的状态
常见到每个RF端口
RF1
On
关闭
关闭
关闭
RF2
关闭
On
关闭
关闭
RF3
关闭
关闭
On
关闭
RF4
关闭
关闭
关闭
On
“ 0 ” - 0 - -0.2 V @ 20 A(最大值)
“ 1 ” - -5 V @ 20 μA典型值,以-8 V @ 300 μA(最大值) 。
电气原理图