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SW-311-PIN
比赛砷化镓SPST开关，
DC - 3.0 GHz的TTL / CMOS控制输入
特点
积分TTL驱动器
超低功耗
开关速度快： 4 ns典型
密封表面贴装封装
50欧姆的标称阻抗
MIL -STD- 883屏蔽可用
无铅CR- 9封装
260℃回流焊
*符合RoHS标准
V7版本
功能框图
GND
GND
GND
RF2
GND
GND
GND
GND
RF1
GND
GND
GND方向标记
VEE
描述
M / A - COM的SW- 311 -PIN是GaAs FET单刀单掷AB-
吸附开关与整体的ASIC芯片的驱动程序。
封装在一个16引脚的陶瓷表面贴装封装
年龄，该器件提供了卓越的性能和
重复性从直流到3GHz ，同时保持低
功耗。在SW- 311 -PIN是理想
适合使用的地方速度快，低功率变
消耗和宽带应用是必需的。
MIL - STD-883标准筛选可用。
GND
VCC
C1
引脚配置
PIN号
1
功能
VEE
GND
GND
GND
RF1
GND
GND
GND
PIN号
9
10
11
12
13
14
15
16
功能
GND
GND
GND
RF2
GND
GND
VCC
C1
订购信息
产品型号
SW-311-PIN
MASW-008845-0001TB
2
3
包
散装包装
抽样检验局
4
5
6
7
8
注：参考应用笔记M513的卷大小
信息。
的情况下的金属底部必须被连接到RF和DC
地面上。
*对有害物质的限制，欧盟指令2002/95 / EC 。
1
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.4155721
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
SW-311-PIN
比赛砷化镓SPST开关，
DC - 3.0 GHz的TTL / CMOS控制输入
电气规格： （ -55° C至+ 85°C ） ，Z
0
= 50Ω
1,2
参数
插入损耗
V7版本
测试条件
—
频率
直流 - 3000兆赫
直流 - 2000兆赫
直流 - 1000兆赫
DC - 500 MHz的
直流 - 3000兆赫
直流 - 2000兆赫
直流 - 1000兆赫
DC - 500 MHz的
直流 - 3000兆赫
直流 - 2000兆赫
直流 - 1000兆赫
DC - 500 MHz的
—
—
—
0.05 GHz的
0.5千兆赫至3千兆赫
0.05 GHz的
0.5千兆赫至3千兆赫
0.05 GHz的
0.5千兆赫至3千兆赫
—
—
—
—
单位
dB
dB
dB
dB
比
比
比
比
dB
dB
dB
dB
ns
ns
mV
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
A
A
mA
mA
民
—
—
—
—
—
—
—
—
27
36
50
65
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4
12
40
+21
+27
+62
+68
+40
+46
—
—
—
—
最大
1.3
1.2
1.0
0.8
1.5:1
1.4:1
1.3:1
1.2:1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1
1
1
1
VSWR
—
隔离
—
素养， TFALL
吨， Toff的
瞬变
1 dB压缩
IP2
10 ％至90％
1.3V的CTL对90 ％/ 10％的
带内
输入功率
双音输入功率高达
to
+5 dBm的
双音输入功率高达
to
+5 dBm的
0V至0.8V
2.0V至5.0V
+5.0V ± 10%
-5.0V至-8.0V
IP3
VIN低
VIN高
VCC
VEE
1.所有规格适用时的+ 5V偏置电压为Vcc和-5V的V型操作。
2.当DC块时，一个10K欧姆返回GND所需的RFC端口。
2
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.4155721
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
SW-311-PIN
比赛砷化镓SPST开关，
DC - 3.0 GHz的TTL / CMOS控制输入
绝对最大额定值
3,4
参数
最大输入功率
50兆赫
500 - 3000兆赫
V
CC
V
EE
V
CC
- V
EE
VIN
5
工作温度
储存温度
3.
4.
5.
V7版本
绝对最大
+27 dBm的
+34 dBm的
-0.5V
≤
V
CC
≤
+7.0V
-8.5V
≤
V
EE
≤
+0.5V
-0.5V
≤
V
CC
- V
EE
≤
14.5V
-0.5V
≤
VIN
≤
V
CC
+ 0.5V
-55 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
真值表（开关）
控制输入
C1
0
1
0 = TTL低; 1 = TTL高
开关状态
RF1到RF2
ON
关闭
超出这些限制的任何一种或组合可能导致
永久性损坏此设备。
M / A - COM不建议持续近操作
这些生存极限。
标准CMOS TTL接口，会发生闩锁如果逻辑
之前的电源信号被施加。
典型性能曲线
插入损耗与频率
+ 8 5 °C
2
+ 2 5 °C
- 55 °C
办理程序
请遵循以下注意事项，以避免
伤害：
1.5
砷化镓集成电路是敏感
对静电放电（ESD） ，并且可以是
被静电损坏。适当的ESD控制
处理这些时应当使用一
设备。
损耗（dB）
静电灵敏度
1
0.5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3
f重新阙NC （G ^ h Z）
隔离与频率的关系
80
70
VSWR与频率的关系
V SW R ON
2.00
1.80
V SW的R F
隔离分贝
60
40
30
20
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3
VSWR
50
1.60
1.40
1.20
1.00
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3
f重新阙NC （G ^ h Z）
F Characteristic低频（ GH z）
3
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.4155721
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
SW-311-PIN
比赛砷化镓SPST开关，
DC - 3.0 GHz的TTL / CMOS控制输入
LEAD -FREE
CR- 9陶瓷封装
V7版本
参考应用笔记M538无铅回流焊
建议。
4
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.4155721
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
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解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
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