高功率砷化镓SPDT开关
DC - 2.5 GHz的
特点
+36 dBm的典型。 1 dB压缩点， -8V供应
+65 dBm的典型。 3阶截取点， -8V供应
低插入损耗：0.4 dB（典型）
低功耗： 100 μW
开关速度快
低成本SOIC8塑料包装
磁带和卷轴包装可用
1
SW-279
V2.00
SO-8
引脚8
.1497-.1574
(3.80-4.00)
-B-
.2284-.2440
(5.80-6.20)
0.010 （ 0.25 ）M B M
方向
标志
销1
.1890-.1968
(4.80-5.00)
-A-
.004 (0.10)
.0532-.0688
(1.35-1.75)
0°-8°
-C-
.0040-.0098
(0.10-0.25)
0.013 - 0.020 TYP 。
(0.33-0.51)
.0099-0.0196
×45 °倒角
(0.25-0.50)
.016-.050
(0.40-1.27)
.0075-0.0098
(0.19-0.25)
描述
M / A - COM的SW -279是一种低成本的砷化镓MMIC SPDT开关
SOIC 8引脚表面贴装塑料封装。在SW -279是理想化
光年适合使用其中非常低的功率消耗是
所需。典型的应用包括发送/接收开关
荷兰国际集团，开关矩阵，并在系统中滤波器的银行，如：无线
和移动设备， PCM ，GPS ，网络误码率光模块和
其它电池供电的无线电设备。
在SW -279被制造与使用单片砷化镓MMIC
成熟的1微米工艺。该工艺具有全芯片passiva-
化，以提高性能和可靠性。
.050 （ 1.27 ） BSC 。
0.010 （ 0.25 ） M C A M B·S
8引脚SOP外形尺寸
窄体.150
（每JEDEC号MS -012 -AA的所有尺寸，问题C ）
尺寸（ ）以毫米为单位。
除非另有说明： .XXX = ± 0.010 （ .XX = ± 0.25 ）
.xx = ± 0.02 (.x = ±0.5)
订购信息
型号
SW -279 PIN
SW-279TR
SW-279RTR
单位
DC - 2.0 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 0.5 GHz的
DC - 0.1 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 0.5 GHz的
DC - 0.1 GHz的
DC - 2.0 GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
nS
nS
mV
DBM
DBM
DBM
DBM
包
SOIC 8引线
正向磁带&卷轴
反向磁带&卷轴
分钟。
典型值。
0.6
0.4
0.35
0.2
16
32
38
38
1.2:1
30
35
12
33
35.8
61
65
最大
0.8
0.6
0.5
0.4
电气连接特定的阳离子，T
A
= +25°C
参数
插入损耗
测试条件
2
隔离
14
28
35
35
VSWR
素养， TFALL
吨， Toff的
瞬变
一分贝
压缩点
3阶
截距
10 ％至90％的射频，90％至10％的射频
50 ％对照，以90％的射频，50％控制在10％的射频
在带
输入电源（ 5V电源/控制）
输入电源（ 8V电源/控制）
测量的相对（ 5V电源/控制）
输入电源（ 8V电源/控制）
（对于双音输入功率高达10 dBm的）
0.9 GHz的
0.9 GHz的
0.9 GHz的
0.9 GHz的
1.请参阅“磁带和卷轴包装”部分，或请与工厂联系。
2.所有特定网络应用的阳离子，与0V的偏置电压为输入电压低5 10V的输入电压为喜，和50欧姆的阻抗在所有RF端口操作，
除非另有规定ED 。高功率（大于1W ）的处理特定网络阳离子只适用于寒冷的开关。对于下1W的输入功率，热
开关都可以使用。高控制电压必须在电源电压的± 0.2V的范围内。 RF端口必须的外部被堵塞
包从地面或任何其它电压。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
M / A - COM公司
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
传真：（ 800 ） 618-8883
s
1
亚洲/太平洋网络C：电话。 +81 3 3263 8761
传真+81 3 3263 8769
s
欧洲：电话。 +44 （ 1344 ） 869 595
传真+44 （ 1344 ） 300 020
高功率砷化镓SPDT开关
SW-279
V2.00
绝对最大额定值
参数
马克斯。输入功率
0.5 - 2.0 GHz的
5V控制和供应
8V控制和供应
10V控制和供应
功耗
控制电压
工作温度
储存温度
热阻
2
:
θ
JC = 87 ° C / W
这些参数中的任何一个大于1的操作此设备可能
会造成永久性的损害。
2.热电阻的计算公式为：TA = 25 ℃。 TCASE是温度
导致1和4 。
双色IP
3
测量
BIAS
电压
0,-5V
0,-6V
0,-7V
0,-8V
0,-10V
0,-5V
0,-6V
0,-7V
0,-8V
0,-10V
0,-5V
0,-6V
0,-7V
0,-8V
0,-10V
0,-5V
0,-6V
0,-7V
0,-8V
0,-10V
输入
动力
（ dBm的）
+27
+27
+27
+27
+27
+28
+28
+28
+28
+28
+29
+29
+29
+29
+29
+30
+30
+30
+30
+30
3阶
互
产品（ DBC）
-34
-49
-64
-65
-66
-30
-41
-52
-60
-60
-28
-34
-44
-52
-52
-26
-32
-38
-44
-44
第二
IP
3
谐波
（ dBm的）
（ DBC）
+44
+51
+59
+59
+60
+43
+48.5
+54
+58
+58
+43
+46
+51
+55
+55
+43
+46
+49
+52
+52
-61
-61
-63
-63
-63
-58
-58
-57
-57
-57
-54
-54
-54
-54
-54
-52
-51
-51
-51
-51
绝对最大
1
+37 dBm的
40 dBm的
+42 dBm的
1.0 W
-12V, +1V
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
引脚配置
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
描述
GND ，热接触
GND
射频共
GND ，热接触
RF1
A
B
RF2
功能原理图
RF2
8
B
7
A
6
RF1
5
真值表
控制输入
1
1
2
3
4
开关状态
RF通用于每个RF端口
RF1
On
关闭
RF2
关闭
On
GND GND GND RFC
热
热
联系
联系
A
1
0
B
0
1
典型性能
隔离
VS
频率
隔离与频率的关系
隔离度（dB ）
70
60
50
40
30
20
10
0
0
0.5
2.0
1.0
1.5
频率（GHz ）
2.5
1 0 - 0 -0.2V @ 20 μA（最大值） 。
1 - -5V @ 50 μA典型值至-10V @ 800 μA（最大值） 。
ISERTION损失
VS
频率
插入损耗与频率
1.0
损耗（dB）
.75
+85°C
0.5
0.25
0
0
0.5
+25°C
-40°C
2.0
1.5
1.0
频率（GHz ）
2.5
VSWR
VS
频率
VSWR与频率的关系
1.5
1.4
VSWR
1.3
1.2
1.1
1.0
0
0.5
2.0
1.0
1.5
频率（GHz ）
2.5
压缩
VS
VS.控制
电压（ 900 MHZ ）
压缩
控制
电压（ 900 MHZ ）
压缩（ dBm的）
40
35
30
25
20
15
10
-3.0 -4.0
-5.0 -6.0 -7.0 -8.0 -9.0 -10.0
控制电压（伏特）
0.1分贝压缩
1.0分贝压缩
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
2
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
传真：（ 800 ） 618-8883
s
M / A - COM公司
亚洲/太平洋网络C：电话。 +81 3 3263 8761
传真+81 3 3263 8769
s
欧洲：电话。 +44 （ 1344 ） 869 595
传真+44 （ 1344 ） 300 020
QQ：2880707522 复制
