高功率砷化镓SPDT开关
DC - 2.5 GHz的
特点
SO-8
引脚8
.1497-.1574
(3.80-4.00)
-B-
SW-277
V3.00
正电源和控制电压
+36 dBm的典型。 1 dB压缩点， 8V电源
+65 dBm的典型。 3阶截取点， 8V电源
低插入损耗：0.4 dB（典型）
低功耗： 100 μW
开关速度快
磁带和卷轴包装可用
1
方向
标志
销1
.1890-.1968
(4.80-5.00)
-A-
.004 (0.10)
.2284-.2440
(5.80-6.20)
0.010 （ 0.25 ）M B M
.0532-.0688
(1.35-1.75)
0°-8°
-C-
.0040-.0098
(0.10-0.25)
0.013 - 0.020 TYP 。
(0.33-0.51)
.0099-0.0196
×45 °倒角
(0.25-0.50)
.016-.050
(0.40-1.27)
.0075-0.0098
(0.19-0.25)
描述
M / A - COM的SW- 277是一种低成本的砷化镓MMIC SPDT开关
SOIC 8引脚表面贴装塑料封装。开关SW- 277是理想
适合于其中的功耗非常低，需要使用。
典型的应用包括发送/接收开关，
开关矩阵和滤波器银行，如系统：广播
移动设备， PCM ，GPS ，网络误码率光模块等
电池供电的无线电设备。
在SW- 277被制造与使用单片砷化镓MMIC
成熟的1微米工艺。该工艺具有全芯片
钝化，以提高性能和可靠性。
.050 （ 1.27 ） BSC 。
0.010 （ 0.25 ） M C A M B·S
8引脚SOP外形尺寸
窄体.150
（每JEDEC号MS -012 -AA的所有尺寸，问题C ）
尺寸（ ）以毫米为单位。
除非另有说明： .XXX = ± 0.010 （ .XX = ± 0.25 ）
.xx = ± 0.02 (.x = ±0.5)
订购信息
型号
SW- 277 PIN
SW-277TR
SW-277RTR
单位
DC - 2.0 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 0.5 GHz的
DC - 0.1 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 0.5 GHz的
DC - 0.1 GHz的
DC - 2.0 GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
nS
nS
mV
DBM
DBM
DBM
DBM
包
SOIC 8引脚塑料封装
正向磁带和卷轴
相反的磁带和卷轴
分钟。
典型值。
0.6
0.4
0.35
0.2
16
32
38
38
1.2:1
30
35
12
33
35.8
61
65
最大
0.8
0.6
0.5
0.4
电气连接特定的阳离子，
T
A
= +25°C
参数
插入损耗
测试条件
2
隔离
14
28
35
35
VSWR
素养， TFALL
吨， Toff的
瞬变
一分贝
压缩点
3阶
截距
10 ％至90％的射频，90％至10％的射频
50 ％对照，以90％的射频，50％控制在10％的射频
在带
输入电源（ 5V电源/控制）
输入电源（ 8V电源/控制）
测量的相对（ 5V电源/控制）
输入电源（ 8V电源/控制）
（对于双音输入功率高达10 dBm的）
0.9 GHz的
0.9 GHz的
0.9 GHz的
0.9 GHz的
1.请参阅“磁带和卷轴包装”部分，或请与工厂联系。
2.所有特定网络应用的阳离子，与0V的偏置电压为输入电压低5 10V的输入电压为喜，和50欧姆的阻抗在所有RF端口操作，
除非另有规定ED 。高功率（大于1W ）的处理特定网络阳离子只适用于寒冷的开关。对于下1W的输入功率，热
开关都可以使用。高控制电压必须在电源电压的± 0.2V的范围内。 RF端口必须在封装的外面被阻止
年龄从地面或任何其它电压。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
M / A - COM公司
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
传真：（ 800 ） 618-8883
s
1
亚洲/太平洋网络C：电话。 +81 3 3263 8761
传真+81 3 3263 8769
s
欧洲：电话。 +44 （ 1344 ） 869 595
传真+44 （ 1344 ） 300 020
高功率砷化镓SPDT开关
SW-277
V3.00
绝对最大额定值
参数
马克斯。输入功率
0.5 - 2.0 GHz的
5V控制和供应
8V控制和供应
10V控制和供应
功耗
电源电压
控制电压
工作温度
储存温度
热阻
2
:
θ
JC = 87 ° C / W
1.操作此装置的上方，这些参数中的任何一个可能引起
永久性损坏。
2.热电阻的计算公式对于T
A
= 25_C 。牛逼
例
是温度
导致1和4 。
双色IP
3
测量
绝对最大
供应&
控制
电压
0,5V
0,6V
输入
动力
（ dBm的）
+27
+27
+27
+27
+27
+28
+28
+28
+28
+28
+29
+29
+29
+29
+29
+30
+30
+30
+30
+30
3阶
互
产品（ DBC）
-32
-45
-58
-72
-72
-30
-40
-53
-64
-72
-28
-37
-49
-50
-50
-36
-46
-50
-50
-50
IP3
（ dBm的）
+43
+49.5
+56
+63
+63
+43
+48
+54.5
+60
+64
+43
+47.5
+53.5
+54
+54
+43
+48
+53
+55
+55
第二
谐波
（ DBC）
-74
-77
-79
-79
-81
-69
-76
-78
-79
-80
-59
-74
-75
-75
-75
-67
-73
-75
-75
-75
+37 dBm的
40 dBm的
+42 dBm的
1.0 W
-1V, +12V
-1V ， V供电+ 0.2V
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
0,7V
0,8V
0,10V
0,5V
0,6V
0,7V
0,8V
0,10V
0,5V
0,6V
0,7V
0,8V
0,10V
0,5V
0,6V
0,7V
0,8V
0,10V
引脚配置
PIN号
1
2
3
1
4
5
1
6
7
8
1
描述
GND ，热接触
+ V电源
射频共
GND ，热接触
RF1
A
B
RF2
功能原理图
RF2
8
B
7
A
6
RF1
5
真值表
控制输入
A
1
0
B
0
1
开关状态
RF通用于每个RF端口
RF1
关闭
On
RF2
On
关闭
1
2
3
4
1.需要外部隔直流电容器
所有RF端口。
GND + V
热
联系
RFC GND
热
联系
"0" - 0至+ 0.2V @ 20 μA（最大值） 。
"1" - + 5V @ 20 μA典型值至10V @ 500 μA（最大值） 。
典型性能
隔离VS.
VS
频率
隔离
频率
80
70
隔离度（dB ）
60
损耗（dB）
50
40
30
20
10
0
0
0.5
1.5
1.0
频率（GHz ）
2.0
2.5
-40°C
插入损耗与频率
插入损耗
VS
频率
2.0
1.5
1.0
+85°C
+25°C
0.5
0
0
1.5
1.0
2.5
2.0
频率（GHz ）
压缩与控制电压（ 900兆赫）
压缩
VS
控制电压
0.5
VSWR主场迎战
VS
频率
VSWR
频率
2.0
压缩（ dBm的）
1.8
VSWR
1.6
1.4
1.2
1.0
0
0.5
1.5
1.0
频率（GHz ）
2.0
40
35
30
(900MHz)
1.0分贝压缩
0.1分贝压缩
25
20
15
10
3.0
4.0
6.0
7.0
5.0
8.0
控制电压（伏特）
9.0
10.0
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
2
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
传真：（ 800 ） 618-8883
s
M / A - COM公司
亚洲/太平洋网络C：电话。 +81 3 3263 8761
传真+81 3 3263 8769
s
欧洲：电话。 +44 （ 1344 ） 869 595
传真+44 （ 1344 ） 300 020
QQ：2881677436 复制
