SW-110-PIN
砷化镓SPDT开关反思与TTL / CMOS控制输入，
DC- 3.0 GHz的
特点
1 dB压缩点： +39 dBm的典型，
-8V控制
IP
3
： +65 dBm的典型， -8V控制
插入损耗0.45 dB（典型）
低功耗
开关速度快
密封表面贴装封装
50欧姆的标称阻抗
无铅CR- 9封装
260℃回流焊
*符合RoHS标准
V6版本
功能框图
描述
M / A - COM的SW- 110 -PIN是GaAs MMIC SPDT
反射式开关具有整体硅的ASIC驱动程序。
此装置是在一个16铅陶瓷表面贴装
封装。这些开关具有优异的perform-
ANCE和可重复性，从DC至3.0 GHz的，具有非常
低DC功耗。在SW- 110 -PIN是理想情况
盟友适用于RF / IF通信应用。
环境筛选可用。合同
工厂信息。
引脚配置
PIN号
功能
VEE
GND
GND
GND
RF2
GND
GND
GND
PIN号
9
10
11
12
13
14
15
16
功能
RFC
GND
GND
RF1
GND
GND
VCC
C1
订购信息
产品型号
SW-110-PIN
MASW-008844-0001TB
1
2
3
包
散装包装
抽样检验局
4
5
6
7
8
注：参考应用笔记M513的卷大小
信息。
的情况下的金属底部必须被连接到RF和DC
地面上。
*对有害物质的限制，欧盟指令2002/95 / EC 。
1
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.4155721
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
SW-110-PIN
砷化镓SPDT开关反思与TTL / CMOS控制输入，
DC- 3.0 GHz的
电气规格：吨
A
= 25°C
1,2,3
参数
参考
插入损耗
V6版本
测试条件
—
频率
DC - 0.5 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 3.0 GHz的
DC - 0.5 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 3.0 GHz的
DC - 0.5 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 3.0 GHz的
—
—
—
0.9 GHz的
0.9 GHz的
0.9 GHz的
0.9 GHz的
0.9 GHz的
0.9 GHz的
—
—
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
比
比
比
比
nS
nS
mV
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
V
V
mA
民
—
—
—
—
40
35
24
18
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4.5
-8.0
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
12
35
30
+32.5
+32.5
+32.5
+39.5
+61
+65
5.0
—
—
最大
0.6
0.7
0.9
1.1
—
—
—
—
1.2:1
1.4:1
1.4:1
1.5:1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5.5
-5.0
1.0
隔离
—
VSWR
—
素养， TFALL
吨， Toff的
瞬变
1 dB压缩
10 ％至90％
1.3V控制90 /10％的RF
在带外（峰 - 峰值）
输入功率，0.1分贝， -5V控制
输入功率，1.0分贝， -5V控制
输入功率，0.1分贝， -8V控制
输入功率，1.0分贝， -8V控制
对于双音输入功率高达10
DBM
-5V控制
-8V控制
输入IP
3
VCC
VEE
ICC
VCC = 4.5 5.5V
VCTL = 0 0.8V或VCC - 2.1V至
VCC
VEE = -5.0 -8.0V
逻辑0（ TTL）的
逻辑1 （ TTL ）
0至0.8V
2.0 5.0V
—
IEE
VCTL
VCTL
输入漏
电流（低）
输入漏
电流（高）
—
—
—
—
—
mA
V
V
A
A
—
0.0
2.0
—
—
—
—
—
—
—
1.0
0.8
5.0
1.0
1.0
1.所有规格适用时的+ 5V偏置电压为Vcc和-5.0V动作， -8.0V为V型，并且在所有RF 50欧姆阻抗
端口，除非另有规定。
2.在本开关，以满足保证规格，有必要具有在任RF1或RF2的DC返回。该DC的回报可以是
无论是一个10K欧姆的电阻或RF扼流圈。
3.高功率（大于1W ）处理规范仅适用于寒冷的切换。对于下1W的输入功率，热转换可
使用。
2
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.4155721
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
SW-110-PIN
砷化镓SPDT开关反思与TTL / CMOS控制输入，
DC- 3.0 GHz的
绝对最大额定值
4,5
参数
最大输入功率
0.05 GHz的
0.5 - 3.0 GHz的
-5V控制
-8V控制
功耗
6,7
V
CC
V
EE
V
CC
- V
EE
VIN
8
工作温度
储存温度
结温
热阻
θJC
4.
5.
6.
7.
V6版本
绝对最大
+35
+36
+39
2.0W
-0.5V
≤
V
CC
≤
+7.0V
-8.5V
≤
V
EE
≤
+0.5V
-0.5V
≤
V
CC
- V
EE
≤
14.5V
-0.5V
≤
VIN
≤
V
CC
+ 0.5V
-55 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
+175°C
+50°C/W
真值表（开关）
控制输入
C1
0
1
0 = TTL低; 1 = TTL高
开关状态
RF通用于每个RF端口
RF1
On
关闭
RF2
关闭
On
8.
超出这些限制的任何一种或组合可能导致
永久性损坏此设备。
M / A - COM不建议持续近操作
这些生存极限。
温度上限为25 ℃，其中温度上限是这样的温度在底部
的情况下。
特别必须考虑到的安装
切换到最小的热阻。的底部
情况下应被热连接到安装表面
保持在绝对结温
最大额定值。
标准CMOS TTL接口，会发生闩锁如果逻辑
之前的电源信号被施加。
双色IP
3
测量
BIAS
输入
电源电压为
每
音
（ dBm的）
0, -5V
0, -6V
0, -7V
0, -8V
0, -5V
0, -6V
0, -7V
0, -8V
0, -5V
0, -6V
0, -7V
0, -8V
0, -5V
0, -6V
0, -7V
0, -8V
+27
+27
+27
+27
+28
+28
+28
+28
+29
+29
+29
+29
+30
+30
+30
+30
3rd
IP3
第二
订单
（ dBm的）谐波
互调
（ DBC）
制品
（ DBC）
-34
-49
-64
-65
-30
-41
-52
-60
-28
-34
-44
-52
-26
-32
-38
-44
+44
+51
+59
+59
+43
+48
+54
+58
+43
+46
+51
+55
+43
+46
+49
+52
-61
-61
-63
-63
-58
-58
-57
-57
-54
-54
-54
-54
-52
-51
-51
-51
办理程序
请遵循以下注意事项，以避免
伤害：
静电灵敏度
砷化镓集成电路是敏感
对静电放电（ESD） ，并且可以是
被静电损坏。适当的ESD控制
处理这些时应当使用一
设备。
3
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.4155721
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
初步：
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解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
SW-110-PIN
砷化镓SPDT开关反思与TTL / CMOS控制输入，
DC- 3.0 GHz的
典型性能曲线
插入损耗与频率
+ 8 5 °C
1.0
+ 2 5 °C
- 55 °C
V6版本
隔离与频率的关系
80
70
插入损耗（dB ）
ISO latio N（D B）
0.8
60
50
40
30
20
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.6
0.4
0.2
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
f重新阙NC （G ^ h Z）
F Characteristic低频（ GH z）
VSWR与频率的关系
1.5
1.4
压缩与控制电压在900兆赫
1.0 D B C 0 MP ressio
0 .1 D B C 0 MP ressio
C 0 M·P重新S S小IO N（D B）
40
35
30
25
20
15
10
-2.0
-3.0
-4.0
-5.0
-6.0
-7.0
-8.0
VSWR
1.3
1.2
1.1
1.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
f重新阙NC （G ^ h Z）
C 0 ntro升武ltage （VO LTS ）
4
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北美
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SW-110-PIN
砷化镓SPDT开关反思与TTL / CMOS控制输入，
DC- 3.0 GHz的
无铅，
CR- 9陶瓷封装
V6版本
参考应用笔记M538无铅回流焊
建议。
5
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中国
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