先进的信息
SVG - 2066 / SVG- 2066Z
产品说明
Sirenza的Microdevices的SVG- 2066是IC基于6位digi-
TAL 31.5分贝范围内衰减器级联线性A级
放大器中的一个低成本表面安装的6x6 QFN塑料
封装。此产品是专为高线性
基础设施设备earity可变增益放大器
可以在任一RF发射或射频接收使用
路径。它具有两个并行或串行可编程性，亲
可编程上电状态，可闭锁的并行控制， 3V
或5V combatible逻辑和强大的1B类的ESD 。该SVG-
2066具有可配置引脚的I / O优化的一部分
在应用特异性条带。
为500MHz - 2200MHz的6位可变增益放大器
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
采用6mm x 6mm QFN封装
产品特点
功能框图
串行或
并行选择
S-P
VDD
2位上电
国家规划
U1 U2
串行接口
数据
CLK
LE
VCC
RFIN
RFOUT
的P1dB = 25dBm的@ 2140MHz时
OIP3典型41dBm @ 2GHz的
增益= 15分贝在850MHz的
31.5分贝衰减范围步长为0.5dB
串行或并行可控
可选并行锁存控制
可编程功耗最多的国家
免疫闭锁
正电源电压
3V或5V逻辑兼容
应用
CDMA，W- CDMA的Tx和Rx
GSM，EDGE Tx和Rx
高性能VGA的应用
单位
兆赫
DBM
分钟。
500
24
23.5
25
15
9.5
11
39
39
41
5.9
6.9
9
9
12
12
320
100
115
70
130
7.9
13.5
典型值。
马克斯。
2200
P0.5 P1 P2 P4 P8 P16
6位并行接口
关键的特定连接的阳离子
符号
f
O
P
1dB
S
21
IP3
参数：测试条件，应用电路第4页
Z
0
= 50, V
CC
= 5.0V ， VDD = 3V ， I = 115毫安，T
L
= 30C
操作的频率
在1dB压缩输出功率 - 850MHz的
在1dB压缩输出功率 - 2.14GHz时
小信号增益 - 850MHz的@ 0分贝状态
小信号增益 - 2.14GHz时@ 0分贝状态
三阶截取（噘=每个音9dBm ） - 为850MHz
三阶截取（噘=每个音9dBm ） - 2.14GHz时
噪声系数为850 MHz的@ 0分贝状态
噪声系数在2140兆赫@ 0分贝状态
输入回波损耗850-2200兆赫（ 0分贝衰减）
输出回波损耗850-2200MHz （ 0分贝衰减）
10％/ 90％的沉降时间
电流（VCC = 5V ， VDD = 3V ）
热阻（结 - 铅）
dB
DBM
NF
IRL
ORL
Ts
ICQ
R
次，J -升
dB
dB
nS
mA
摄氏度/ W
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担错误或ommisions不承担任何责任。
Sirenza的Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格若有变更，恕不
通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices的产品
在生命支持设备和/或系统。
版权所有2002年Sirenza的Microdevices公司，公司全球版权所有。
303南方科技法庭布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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SVG - 2066的500MHz - 2200MHz的6位VGA
继续规范
符号
ERR
DYNR
FCLK
VDD
国际直拨电话
LH
LL
ILEAK
参数：测试条件
Z
0
= 50, V
CC
= 5.0V ， VDD = 3V Iq的= 115毫安
安泰信精度设置任何状态（为500MHz - 2200MHz的）
衰减动态范围
串行数据时钟频率
漏衰减器的电压
漏极供电电流
数字逻辑高
数字逻辑低
数字逻辑漏
单位
dB
dB
兆赫
V
uA
V
V
uA
0.7xVDD
0
2.7
3.0
40
30.3
分钟。
典型值。
+/- 0.2
31.5
马克斯。
+/- （ 0.2 + 3 ％安泰信设置）
32.7
20
3.3
100
VDD
0.3xVDD
1
绝对最大额定值
参数
VCC偏置电流（I
C
)
VCC偏置电压
功耗
漏极电压（V
DD
)
在任何数字输入电压
操作焊接温度（T
L
)
最大RF输入功率
存储温度范围
工作结温（T
J
)
ESD人体模型
-40
-0.3
-0.3
-40
民
最大
220
8
1.5
4.0
VDD+0.3
+85
21
+150
+150
500
单位
mA
V
W
V
V
C
DBM
C
C
V
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
此装置的操作超出这些限制的任何一个可能引起perma-
新界东北的伤害。为可靠的连续操作的设备的电压和
电流不得超过规定的最大工作值
表1页上。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
该
J-升
数字接口：
串行或并行模式选择
该SVG- 2066可以与任一串行或并行接口进行控制。在SP位选择模式： SP =低并行模式
和S -P高=串行模式。
并行模式操作
对于锁存并行接口的LE线应保持低电平，同时改变P16直通衰减状态控制逻辑P0.5 。加载
数据脉冲LE从低到高和再低。参见图1和表1中的下一个页面上的并行模式的时序图
和规格。对于直接并联方式运行LE线应保持高电平和衰减状态直接加载
当平行线的逻辑变化。为并行操作的真值表如表2所示。
串行模式操作
三个CMOS兼容信号控制在该模式下，衰减器： DATA， CLK和LE 。当LE为高电平时，锁存使能和
在串行移位寄存器中的数据被加载。当LE为低电平，在移位寄存器中的数据进行锁存。请参考图2的时序
荷兰国际集团图和表3的时序规范。
电状态编程
在加电时在串行模式的六个控制位被设置为可在6并行输入端P0.5直通P16 （见表2）的值。
对于并行模式下电状态设置与U1和U2定义的两个位字。请参阅表4中的真值表。
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SVG - 2066的500MHz - 2200MHz的6位VGA
图1 ：并行模式时序图（S -P = 0 ）
LE
表2：并行模式真值表（S-P = 0）的
衰减状态
参考
0.5分贝
1分贝
P0.5
0
1
0
0
0
0
0
1
P1
0
0
1
0
0
0
0
1
P2
0
0
0
1
0
0
0
1
P4
0
0
0
0
1
0
0
1
P8
0
0
0
0
0
1
0
1
P16
0
0
0
0
0
0
1
1
数据
P0.5通
P16
2分贝
4分贝
8分贝
16分贝
TD5
TD6
TD7
31.5分贝
表1 ：并行模式时序参数（ SP = 0 ）
参数
LE最小脉冲
宽度
延迟设置时间
LE上升沿之前
下跌后数据保持
LE的边缘
符号
TD6
TD5
TD7
单位
nS
nS
nS
民
10
10
10
最大
图2 ：串行模式时序图（S -P = 1）
LE
表3 ：串行模式时序规范
参数
前串行数据延迟
时钟上升沿
后串行数据保持
时钟的下降沿
符号
TD1
TD2
TD3
TD4
FCLK
TCLKH
TCLKL
单位
nS
nS
nS
nS
兆赫
nS
nS
30
30
民
10
10
10
30
20
最大
CLK
最后一个时钟周期后，延迟LE
下降沿
LE最小脉冲
宽度
串行数据时钟频率
数据
最高位
16dB
8dB
4dB
2dB
1dB
最低位
0.5dB
串行时钟高电平时间
串行时钟低电平时间
TD3
TD1
TD2
TD4
表4 ：上电真值表进行并行模式（ SP = 0 ）
衰减状态
参考
8分贝
16分贝
31分贝
通过P0.5定义直通P16
LE
0
0
0
0
1
U1
0
1
0
1
不
适用
U2
0
0
1
1
不
适用
注：串行模式上电（S-P = 1）的状态是
通过在示出的并行输入逻辑定义
表2中。
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SVG - 2066的500MHz - 2200MHz的6位VGA
引脚输出说明
针＃
2,3,20,26,28
1,7,8,10,16,
21,23,24,25,30
4
5
6
9
11
12
13
14
15
17
18
19
22
27
29
31
32
33
34, 35
36
37
38
39
40
EPAD
LABEL
N / C
GND
RFIN
J1
ATIN
P8
P4
P2
P1
P0.5
P16
ATOUT
J2
J3
AMPIN
RFOUT
VCC
数据
CLK
LE
U1 / U2
J5
J4
VDD
S-P
VSS
GND
描述
这些未使用的引脚和封装内未连接。可以接地或连接到相邻引脚。
引脚内部接地
射频输入引脚。连接到100pF的帽内包。
该跳线针在PC板上的输入衰减器（ ATIN ） 6号针脚。连接到100pF的帽内包。
衰减器输入引脚
并行接口衰减控制bit 8分贝。当在串行模式P0.5 ， P1 ， P2 ， P4 ， P8和P16的逻辑决定了电状态。
并行接口衰减控制位4分贝。当在串行模式P0.5 ， P1 ， P2 ， P4 ， P8和P16的逻辑决定了电状态。
并行接口衰减控制位2分贝。当在串行模式P0.5 ， P1 ， P2 ， P4 ， P8和P16的逻辑决定了电状态。
并行接口衰减控制位1分贝。当在串行模式P0.5 ， P1 ， P2 ， P4 ， P8和P16的逻辑决定了电状态。
并行接口衰减控制位0.5分贝。当在串行模式P0.5 ， P1 ， P2 ， P4 ， P8和P16的逻辑决定了电状态。
并行接口衰减控制位16分贝。当在串行模式P0.5 ， P1 ， P2 ， P4 ， P8和P16的逻辑决定了电状态。
衰减器输出引脚。
该跳线针来衰减器输出引脚（ ATOUT ） 。连接到100pF的帽内包。
将此引脚连接到放大器输入引脚（ AMPIN ）用适当的AMPIN阻抗匹配
放大器的输入引脚。内部连接到放大器的基础（ 1.3V ）
放大器的RF输出引脚。内部连接到5V 。没有匹配到50欧姆。使用适当的匹配电路。
电源引脚到放大器。适用于5.0V至该引脚。
串行接口的数据输入。
串行接口的时钟输入。
锁存使能输入。并行模式也可以锁定这个引脚使能。
并行模式下电状态的逻辑位。 0/0为0dB ， 1/0 = 8分贝， 0 / 1 = 16分贝1/ 1 = 31分贝
跳线此引脚与GND在PC板上。连接到1000pF的帽内包。
该跳线针上的印刷电路板连接到VDD引脚38连接到1000pF的旁路电容内的包。
电源引脚为数字衰减器。适用于2.7-3.3V到该引脚。可以从一个分压器另一个电压设置（拉40uA的典型值，最大值为100uA ）
串行或并行模式选择。逻辑低电平为并行模式。逻辑高电平为串行模式。
负电源电压或接地
在封装的底面露出面积。 GND接孔，如图中推荐的登陆模式。
VSS
40
S-P
39
VDD
38
J4
37
J5
36
U2
35
U1
34
LE
33
CLK
32
数据
31
GND
1
2
30
GND
NC
29
VCC
NC
3
28
NC
RFIN
4
5
27
RFOUT
J1
26
NC
ATIN
6
25
GND
GND
7
GND
8
9
24
GND
23
GND
P8
22
AMPIN
GND
10
21
GND
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
P4
P2
P1
P0.5
P16
GND
ATOUT
J2
J3
NC
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SVG - 2066的500MHz - 2200MHz的6位VGA
测量850MHz的评估板数据（V
cc
= 5.0V ， VDD = 3.0V ，我
q
=115mA)
S11与频率， T = + 25℃
0.0
-5.0
-10.0
安泰信。
电平（ dB）的
S21与频率， T = + 25℃
20.0
15.0
10.0
安泰信。
电平（ dB）的
0
0
1
5.0
S11（ dB）的
S21 （ dB）的
-15.0
-20.0
-25.0
-30.0
-35.0
-40.0
700
2
4
8
16
31
1
0.0
-5.0
2
4
8
16
31
-10.0
-15.0
-20.0
-25.0
-30.0
750
800
850
900
950
1000
700
750
800
850
900
950
1000
频率。 （兆赫）
频率。 （兆赫）
S22与频率， T = + 25℃
0.0
-5.0
-10.0
-15.0
误差相对于插入损耗和所需
安泰信。设置（分贝）
为850MHz + 25℃，误差衰减与频率
安泰信。
电平（ dB）的
0
1
2
4
8
0.4
0.2
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
-1.4
-1.6
-1.8
-2.0
700
750
800
850
900
950
1000
8
16
31
1
2
4
安泰信。
电平（ dB）的
S22 （ dB）的
-20.0
-25.0
-30.0
-35.0
-40.0
-45.0
-50.0
700
750
800
850
900
950
1000
16
31
频率。 （兆赫）
频率。 （兆赫）
T = + 25℃ ，所有1dB步长，衰减误差与频率的关系
0.4
误差相对于插入损耗和所需安泰信。
设置（分贝）
0.2
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
-1.4
-1.6
-1.8
-2.0
500
600
700
800
900
1000
频率。 （兆赫）
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产品说明
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TAL 31.5分贝范围内衰减器级联线性A级
放大器中的一个低成本表面安装的6x6 QFN塑料
封装。此产品是专为高线性
基础设施设备earity可变增益放大器
可以在任一RF发射或射频接收使用
路径。它具有两个并行或串行可编程性，亲
可编程上电状态，可闭锁的并行控制， 3V
或5V combatible逻辑和强大的1B类的ESD 。该SVG-
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在应用特异性条带。
为500MHz - 2200MHz的6位可变增益放大器
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采用6mm x 6mm QFN封装
产品特点
功能框图
串行或
并行选择
S-P
VDD
2位上电
国家规划
U1 U2
串行接口
数据
CLK
LE
VCC
RFIN
RFOUT
的P1dB = 25dBm的@ 2140MHz时
OIP3典型41dBm @ 2GHz的
增益= 15分贝在850MHz的
31.5分贝衰减范围步长为0.5dB
串行或并行可控
可选并行锁存控制
可编程功耗最多的国家
免疫闭锁
正电源电压
3V或5V逻辑兼容
应用
CDMA，W- CDMA的Tx和Rx
GSM，EDGE Tx和Rx
高性能VGA的应用
单位
兆赫
DBM
分钟。
500
24
23.5
25
15
9.5
11
39
39
41
5.9
6.9
9
9
12
12
320
100
115
70
130
7.9
13.5
典型值。
马克斯。
2200
P0.5 P1 P2 P4 P8 P16
6位并行接口
关键的特定连接的阳离子
符号
f
O
P
1dB
S
21
IP3
参数：测试条件，应用电路第4页
Z
0
= 50, V
CC
= 5.0V ， VDD = 3V ， I = 115毫安，T
L
= 30C
操作的频率
在1dB压缩输出功率 - 850MHz的
在1dB压缩输出功率 - 2.14GHz时
小信号增益 - 850MHz的@ 0分贝状态
小信号增益 - 2.14GHz时@ 0分贝状态
三阶截取（噘=每个音9dBm ） - 为850MHz
三阶截取（噘=每个音9dBm ） - 2.14GHz时
噪声系数为850 MHz的@ 0分贝状态
噪声系数在2140兆赫@ 0分贝状态
输入回波损耗850-2200兆赫（ 0分贝衰减）
输出回波损耗850-2200MHz （ 0分贝衰减）
10％/ 90％的沉降时间
电流（VCC = 5V ， VDD = 3V ）
热阻（结 - 铅）
dB
DBM
NF
IRL
ORL
Ts
ICQ
R
次，J -升
dB
dB
nS
mA
摄氏度/ W
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担错误或ommisions不承担任何责任。
Sirenza的Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格若有变更，恕不
通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices的产品
在生命支持设备和/或系统。
版权所有2002年Sirenza的Microdevices公司，公司全球版权所有。
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SVG - 2066的500MHz - 2200MHz的6位VGA
继续规范
符号
ERR
DYNR
FCLK
VDD
国际直拨电话
LH
LL
ILEAK
参数：测试条件
Z
0
= 50, V
CC
= 5.0V ， VDD = 3V Iq的= 115毫安
安泰信精度设置任何状态（为500MHz - 2200MHz的）
衰减动态范围
串行数据时钟频率
漏衰减器的电压
漏极供电电流
数字逻辑高
数字逻辑低
数字逻辑漏
单位
dB
dB
兆赫
V
uA
V
V
uA
0.7xVDD
0
2.7
3.0
40
30.3
分钟。
典型值。
+/- 0.2
31.5
马克斯。
+/- （ 0.2 + 3 ％安泰信设置）
32.7
20
3.3
100
VDD
0.3xVDD
1
绝对最大额定值
参数
VCC偏置电流（I
C
)
VCC偏置电压
功耗
漏极电压（V
DD
)
在任何数字输入电压
操作焊接温度（T
L
)
最大RF输入功率
存储温度范围
工作结温（T
J
)
ESD人体模型
-40
-0.3
-0.3
-40
民
最大
220
8
1.5
4.0
VDD+0.3
+85
21
+150
+150
500
单位
mA
V
W
V
V
C
DBM
C
C
V
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
此装置的操作超出这些限制的任何一个可能引起perma-
新界东北的伤害。为可靠的连续操作的设备的电压和
电流不得超过规定的最大工作值
表1页上。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
该
J-升
数字接口：
串行或并行模式选择
该SVG- 2066可以与任一串行或并行接口进行控制。在SP位选择模式： SP =低并行模式
和S -P高=串行模式。
并行模式操作
对于锁存并行接口的LE线应保持低电平，同时改变P16直通衰减状态控制逻辑P0.5 。加载
数据脉冲LE从低到高和再低。参见图1和表1中的下一个页面上的并行模式的时序图
和规格。对于直接并联方式运行LE线应保持高电平和衰减状态直接加载
当平行线的逻辑变化。为并行操作的真值表如表2所示。
串行模式操作
三个CMOS兼容信号控制在该模式下，衰减器： DATA， CLK和LE 。当LE为高电平时，锁存使能和
在串行移位寄存器中的数据被加载。当LE为低电平，在移位寄存器中的数据进行锁存。请参考图2的时序
荷兰国际集团图和表3的时序规范。
电状态编程
在加电时在串行模式的六个控制位被设置为可在6并行输入端P0.5直通P16 （见表2）的值。
对于并行模式下电状态设置与U1和U2定义的两个位字。请参阅表4中的真值表。
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图1 ：并行模式时序图（S -P = 0 ）
LE
表2：并行模式真值表（S-P = 0）的
衰减状态
参考
0.5分贝
1分贝
P0.5
0
1
0
0
0
0
0
1
P1
0
0
1
0
0
0
0
1
P2
0
0
0
1
0
0
0
1
P4
0
0
0
0
1
0
0
1
P8
0
0
0
0
0
1
0
1
P16
0
0
0
0
0
0
1
1
数据
P0.5通
P16
2分贝
4分贝
8分贝
16分贝
TD5
TD6
TD7
31.5分贝
表1 ：并行模式时序参数（ SP = 0 ）
参数
LE最小脉冲
宽度
延迟设置时间
LE上升沿之前
下跌后数据保持
LE的边缘
符号
TD6
TD5
TD7
单位
nS
nS
nS
民
10
10
10
最大
图2 ：串行模式时序图（S -P = 1）
LE
表3 ：串行模式时序规范
参数
前串行数据延迟
时钟上升沿
后串行数据保持
时钟的下降沿
符号
TD1
TD2
TD3
TD4
FCLK
TCLKH
TCLKL
单位
nS
nS
nS
nS
兆赫
nS
nS
30
30
民
10
10
10
30
20
最大
CLK
最后一个时钟周期后，延迟LE
下降沿
LE最小脉冲
宽度
串行数据时钟频率
数据
最高位
16dB
8dB
4dB
2dB
1dB
最低位
0.5dB
串行时钟高电平时间
串行时钟低电平时间
TD3
TD1
TD2
TD4
表4 ：上电真值表进行并行模式（ SP = 0 ）
衰减状态
参考
8分贝
16分贝
31分贝
通过P0.5定义直通P16
LE
0
0
0
0
1
U1
0
1
0
1
不
适用
U2
0
0
1
1
不
适用
注：串行模式上电（S-P = 1）的状态是
通过在示出的并行输入逻辑定义
表2中。
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引脚输出说明
针＃
2,3,20,26,28
1,7,8,10,16,
21,23,24,25,30
4
5
6
9
11
12
13
14
15
17
18
19
22
27
29
31
32
33
34, 35
36
37
38
39
40
EPAD
LABEL
N / C
GND
RFIN
J1
ATIN
P8
P4
P2
P1
P0.5
P16
ATOUT
J2
J3
AMPIN
RFOUT
VCC
数据
CLK
LE
U1 / U2
J5
J4
VDD
S-P
VSS
GND
描述
这些未使用的引脚和封装内未连接。可以接地或连接到相邻引脚。
引脚内部接地
射频输入引脚。连接到100pF的帽内包。
该跳线针在PC板上的输入衰减器（ ATIN ） 6号针脚。连接到100pF的帽内包。
衰减器输入引脚
并行接口衰减控制bit 8分贝。当在串行模式P0.5 ， P1 ， P2 ， P4 ， P8和P16的逻辑决定了电状态。
并行接口衰减控制位4分贝。当在串行模式P0.5 ， P1 ， P2 ， P4 ， P8和P16的逻辑决定了电状态。
并行接口衰减控制位2分贝。当在串行模式P0.5 ， P1 ， P2 ， P4 ， P8和P16的逻辑决定了电状态。
并行接口衰减控制位1分贝。当在串行模式P0.5 ， P1 ， P2 ， P4 ， P8和P16的逻辑决定了电状态。
并行接口衰减控制位0.5分贝。当在串行模式P0.5 ， P1 ， P2 ， P4 ， P8和P16的逻辑决定了电状态。
并行接口衰减控制位16分贝。当在串行模式P0.5 ， P1 ， P2 ， P4 ， P8和P16的逻辑决定了电状态。
衰减器输出引脚。
该跳线针来衰减器输出引脚（ ATOUT ） 。连接到100pF的帽内包。
将此引脚连接到放大器输入引脚（ AMPIN ）用适当的AMPIN阻抗匹配
放大器的输入引脚。内部连接到放大器的基础（ 1.3V ）
放大器的RF输出引脚。内部连接到5V 。没有匹配到50欧姆。使用适当的匹配电路。
电源引脚到放大器。适用于5.0V至该引脚。
串行接口的数据输入。
串行接口的时钟输入。
锁存使能输入。并行模式也可以锁定这个引脚使能。
并行模式下电状态的逻辑位。 0/0为0dB ， 1/0 = 8分贝， 0 / 1 = 16分贝1/ 1 = 31分贝
跳线此引脚与GND在PC板上。连接到1000pF的帽内包。
该跳线针上的印刷电路板连接到VDD引脚38连接到1000pF的旁路电容内的包。
电源引脚为数字衰减器。适用于2.7-3.3V到该引脚。可以从一个分压器另一个电压设置（拉40uA的典型值，最大值为100uA ）
串行或并行模式选择。逻辑低电平为并行模式。逻辑高电平为串行模式。
负电源电压或接地
在封装的底面露出面积。 GND接孔，如图中推荐的登陆模式。
VSS
40
S-P
39
VDD
38
J4
37
J5
36
U2
35
U1
34
LE
33
CLK
32
数据
31
GND
1
2
30
GND
NC
29
VCC
NC
3
28
NC
RFIN
4
5
27
RFOUT
J1
26
NC
ATIN
6
25
GND
GND
7
GND
8
9
24
GND
23
GND
P8
22
AMPIN
GND
10
21
GND
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
P4
P2
P1
P0.5
P16
GND
ATOUT
J2
J3
NC
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测量850MHz的评估板数据（V
cc
= 5.0V ， VDD = 3.0V ，我
q
=115mA)
S11与频率， T = + 25℃
0.0
-5.0
-10.0
安泰信。
电平（ dB）的
S21与频率， T = + 25℃
20.0
15.0
10.0
安泰信。
电平（ dB）的
0
0
1
5.0
S11（ dB）的
S21 （ dB）的
-15.0
-20.0
-25.0
-30.0
-35.0
-40.0
700
2
4
8
16
31
1
0.0
-5.0
2
4
8
16
31
-10.0
-15.0
-20.0
-25.0
-30.0
750
800
850
900
950
1000
700
750
800
850
900
950
1000
频率。 （兆赫）
频率。 （兆赫）
S22与频率， T = + 25℃
0.0
-5.0
-10.0
-15.0
误差相对于插入损耗和所需
安泰信。设置（分贝）
为850MHz + 25℃，误差衰减与频率
安泰信。
电平（ dB）的
0
1
2
4
8
0.4
0.2
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
-1.4
-1.6
-1.8
-2.0
700
750
800
850
900
950
1000
8
16
31
1
2
4
安泰信。
电平（ dB）的
S22 （ dB）的
-20.0
-25.0
-30.0
-35.0
-40.0
-45.0
-50.0
700
750
800
850
900
950
1000
16
31
频率。 （兆赫）
频率。 （兆赫）
T = + 25℃ ，所有1dB步长，衰减误差与频率的关系
0.4
误差相对于插入损耗和所需安泰信。
设置（分贝）
0.2
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
-1.4
-1.6
-1.8
-2.0
500
600
700
800
900
1000
频率。 （兆赫）
303南方科技法庭布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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