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SVD8N60T/SVD8N60F
8A , 600V N沟道MOSFET
概述
SVD8N60T / F是一个N沟道增强型MOS功率
它采用士兰微电子的生产场效应晶体管
S-凛
TM
结构DMOS技术。改进后的平面条形
电池和改进的防护环码头一直特别
针对减少通态电阻,优越的开关
性能,并能承受高能量脉冲雪崩
和减刑模式。
该产品可广泛应用于AC- DC开关电源, DC-DC
转换器和H桥PMW马达驱动。
特点
8A,600V,R
DS ( ON) (典型值)
=0.96@V
GS
=10V
低栅电荷
低的Crss
快速开关
改进的dv / dt能力
订货说明
产品型号
SVD8N60T
SVD8N60F
TO-220-3L
TO-220F-3L
记号
SVD8N60T
SVD8N60F
航运
50Unit/Tube
50Unit/Tube
绝对最大额定值
(T
c
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流脉冲
功率耗散(T
C
=25°C)
-Derate 25℃以上
单脉冲雪崩能量(注1 )
重复性雪崩能量
工作结温
储存温度
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
E
AS
E
AR
T
J
TSTG
-55
-55
147
1.18
530
14.2
+150
+150
SVD8N60T
600
±30
8.0
28
48
0.38
SVD8N60F
单位
V
V
A
A
W
W / ℃,
mJ
mJ
°C
°C
杭州士兰微电子股份有限公司
Http://www.silan.com.cn
REV : 1.0
2009.07.09
第1页7
SVD8N60T/SVD8N60F
热特性
参数
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
符号
R
JC
R
JA
SVD8N60T
0.85
62.5
SVD8N60F
2.6
62.5
单位
° C / W
° C / W
电气特性( TC = 25 ° C除非另有说明)
参数
漏极 - 源极击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
符号
B
VDSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
(注2,3 )
V
DS
=480V,I
D
=7.0A,
V
GS
=10V
(注2,3 )
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=250A
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
GS
=±30V, V
DS
=0V
V
GS
= V
DS
, I
D
=250A
V
GS
= 10V ,我
D
=3.5A
V
DS
=25V,V
GS
=0V,
f=1.0MHZ
V
DD
=300V,I
D
=7.0A,
R
G
=25
分钟。
600
--
--
2.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值。
--
--
--
--
0.96
1095
93
2
39
29
248
36
26.8
5.1
8.5
--
--
--
--
ns
--
--
--
--
--
nC
pF
马克斯。
--
10
±100
4.0
1.2
单位
V
A
nA
V
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项:
1.
L=19.5mH,I
AS
=7.0A,V
DD
=50V,R
G
= 25Ω ,起始物为
J
=25°C;
符号
I
S
I
SM
V
SD
T
rr
Q
rr
测试条件
积分
连接点
MOSFET
I
S
=8.0A,V
GS
=0V
I
S
=8.0A,V
GS
=0V,
dI
F
/dt=100A/S
反向
二极管
in
P -N
分钟。
--
--
--
--
--
典型值。
--
--
--
365
3.4
马克斯。
8.0
28
1.4
--
--
A
V
ns
C
单位
2.
脉冲测试:脉冲宽度300秒,占空比2 % ;
3.
基本上是独立的工作温度。
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第2 7
SVD8N60T/SVD8N60F
命名法
典型特征
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第3页7
SVD8N60T/SVD8N60F
典型特性(续)
杭州士兰微电子股份有限公司
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2009.07.09
第4 7
SVD8N60T/SVD8N60F
典型的测试电路
栅极电荷测试电路波形&
同一类型
作为DUT
50
12V
200nF
300nF
V
GS
V
DS
10V
Qg
QGS
QGD
V
GS
DUT
收费
3mA
电阻开关测试电路波形&
V
DS
V
GS
R
G
R
L
V
DD
V
DS
90%
10V
DUT
V
GS
10%
TD (上)
tr
t
on
TD (关闭)
t
f
t
关闭
非钳位感应开关测试电路波形&
L
EAS =
V
DS
I
D
R
G
10V
tp
DUT
BV
DSS
1
2
2
LI
AS
BV
DSS
-
V
DD
BV
DSS
I
AS
V
DD
I
D(T)
V
DD
tp
V
DS (T )
时间
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第5页第7
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