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【SVD5N60AT/SVD5N60AF5A ， 600V N沟道MOSFET概述SVD5N60AT 】,IC型号SVD5N60AF,SVD5N60AF PDF资料,SVD5N60AF经销商,ic,电子元器件-51电子网
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SVD5N60AT/SVD5N60AF
5A ， 600V N沟道MOSFET
概述
SVD5N60AT / F是一个N沟道增强型MOS功率
它采用士兰微电子的生产场效应晶体管
S-凛
TM
结构DMOS技术。改进后的平面条形
电池和改进的防护环码头一直特别
针对减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲雪崩
和减刑模式。
该产品可广泛应用于AC- DC开关电源， DC-DC
转换器和H桥PMW马达驱动。
特点
5A,600V,R
DS （ ON） （典型值）
=2.0@V
GS
=10V
低栅电荷
低的Crss
快速开关
改进的dv / dt能力
订货说明
产品型号
SVD5N60AT
SVD5N60AF
包
TO-220-3L
TO-220F-3L
记号
SVD5N60AT
SVD5N60AF
航运
50Unit/Tube
50Unit/Tube
绝对最大额定值
（ TC = 25° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
功率耗散（T
C
=25°C)
-Derate 25℃以上
单脉冲雪崩能量（注1 ）
重复性雪崩能量（注2 ）
工作结温
储存温度
符号
V
DS
V
GS
I
D
P
D
E
AS
E
AR
T
J
T
英镑
-55
-55
100
0.8
330
7.3
+150
+150
SVD5N60AT
600
±30
5.0
33
0.26
SVD5N60AF
单位
V
V
A
W
W / ℃，
mJ
mJ
°C
°C
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2009.07.09
第1页7
SVD5N60AT/SVD5N60AF
热特性
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
符号
R
JC
R
JA
SVD5N60AT
1.25
62.5
SVD5N60AF
3.79
62.5
单位
° C / W
° C / W
电气特性
(T
c
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极 - 源极击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
符号
B
VDSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
（注3,4 ）
V
DS
=480V,I
D
=4.4A,
V
GS
=10V
（注3,4 ）
V
DD
=300V,I
D
=4.4A,
R
G
=25
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250A
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
GS
=±30V, V
DS
=0V
V
GS
= V
DS
, I
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
=2A
V
DS
=25V,V
GS
=0V,
f=1.0MHZ
分钟。
600
--
--
2.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值。
--
--
--
--
2.0
672
66
4.7
27
19
160
22
19.8
4
7.2
马克斯。
--
10
±100
4.0
2.4
--
--
--
--
--
ns
--
--
--
--
--
nC
pF
单位
V
A
nA
V
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
1.
2.
3.
4.
L=30mH,I
AS
=4.4A,V
DD
=85V,R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25°C;
重复评价：脉冲宽度有限的最高结温;
脉冲测试：脉冲宽度300秒，占空比2 ％ ;
基本上是独立的工作温度。
符号
I
S
I
SM
V
SD
T
rr
Q
rr
测试条件
整体逆转的p-n
在结二极管
MOSFET
I
S
=5.0A,V
GS
=0V
I
S
=5.0A,V
GS
=0V,
dI
F
/ DT = 100A / μs的（注3 ）
分钟。
--
--
--
--
--
典型值。
--
--
--
300
2.2
马克斯。
5.0
16
1.4
--
--
A
V
ns
C
单位
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第2 7
SVD5N60AT/SVD5N60AF
命名法
典型特征
图1.区域特征
100
10.0
VA R I AB L E
VGS = 4 。 0V
VGS = 4 。 5V
VGS = 5 。 0V
VGS = 5 。 5V
VGS = 6 。 0V
VGS = 6 。 5V
VGS = 7 。 0V
图2.传输特性
T=-55
T=25
10
T=150
1.0
VGS = 7 。 5V
VGS = 8 。 0V
VGS=10V
VGS=15V
1
不要选丁字ES ：
1 。 250秒浦升SE TES吨
2 。 TC = 25
注意事项：
1. VDS = 50V
2 250 s脉冲测试
0.1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.1
0.1
1.0
10.0
V
DS
漏源电压[ V]
V
GS
栅源电压[V]
图3.在-性能及其变化与
漏电流和栅极电压
2.6
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
-2
0
2
4
6
8
10
注： TJ = 25
0.1
0.2
1
10
图4.体二极管正向电压的变化对比
源电流和温度
T=25
T=150
VGS = 10.0V
VGS = 20.0V
注意事项：
1. VGS = 0V
2 250 s脉冲测试
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
I
D
漏电流[ A]
V
SD
源极 - 漏极电压[ V]
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SVD5N60AF
SVD5N60AF
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