SUU15N15-95
Vishay Siliconix公司
N沟道150 -V （D -S ） 175_C MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
150
特点
I
D
(A)
15
15
r
DS （ ON）
()
0.095 @ V
GS
= 10 V
0.100 @ V
GS
= 6 V
D
TrenchFETr功率MOSFET，
D
175_C结温
D
100% R
g
经过测试
应用
D
初级侧开关
D
TO-251
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
S
顶视图
订购信息： SUU15N15-95
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
b
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
雪崩电流
重复性雪崩能量（占空比
≤
1%)
最大功率耗散
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
I
D
I
DM
I
S
I
AR
E
AR
符号
V
DS
V
GS
极限
150
20
15
8.7
25
15
15
11.3
62
b
2.7a
--55到175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
结到环境
a
J
TI T A双向吨
结至外壳（漏）
笔记
一。表面装在1 “×1 ” FR4板。
B 。看到SOA曲线电压降额。
文档编号： 71670
S- 31724 -REV 。 B， 18 - 8 - 03
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t
≤
10秒
稳定状态
R
thJA
R
thJC
符号
典型
16
45
2
最大
20
55
2.4
单位
° C / W
C/
1
SUU15N15-95
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规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
20
V
V
DS
= 120 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
g
I
DSS
V
DS
= 120 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 120 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
b
I
D（上）
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
b
V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A，T
J
= 125_C
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A，T
J
= 175_C
V
GS
= 6 V，I
D
= 10 A
正向跨导
b
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 15 A
0.081
25
25
0.077
0.095
0.190
0.250
0.100
S
150
V
2
100
1
50
250
A
m
mA
nA
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 75 V ，R
L
= 5
I
D
15 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 2.5
1
8
35
17
30
V
DS
= 75 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A
,
,
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
900
115
70
20
5.5
7
3.6
12
55
25
45
ns
25
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
脉冲电流
二极管的正向电压
b
源漏反向恢复时间
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 15 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 15 A， di / dt的= 100 A / MS
0.9
55
25
1.5
85
A
V
ns
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
。独立的工作温度。
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2
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S- 31724 -REV 。 B， 18 - 8 - 03
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
25
V
GS
= 10通6 V
20
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
20
25
传输特性
15
5V
10
15
10
T
C
= 125_C
5
25_C
--55_C
0
5
3V
0
0
2
4
6
8
10
4V
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
40
T
C
= --55_C
0.12
32
克FS - 跨导（S ）
R DS（ON ） - 导通电阻（
)
25_C
0.10
0.14
导通电阻与漏电流
V
GS
= 6 V
0.08
V
GS
= 10 V
0.06
0.04
0.02
0.00
24
125_C
16
8
0
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
25
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
电容
1500
20
栅极电荷
1200
- 电容（pF ）
C
国际空间站
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
16
V
DS
= 75 V
I
D
= 15 A
900
12
600
8
300
C
RSS
C
OSS
4
0
0
20
40
60
80
100
0
0
8
16
24
32
40
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
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3
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
2.8
2.4
R DS（ON ） - 导通电阻（
)
（归一化）
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.0
--50
1
--25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3
0.6
0.9
1.2
V
GS
= 10 V
I
D
= 15 A
I S - 源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
T
J
- 结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
热额定值
最大雪崩漏电流
与外壳温度
20
100
安全工作区
15
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
10
限于由R
DS （ ON）
10
ms
100
ms
10
1
T
C
= 25_C
单脉冲
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1秒，直流
5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度（ _C ）
0.1
0.1
1
10
100
1000
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
0.05
单脉冲
0.01
10
--4
10
--3
10
--2
10
--1
1
10
方波脉冲持续时间（秒）
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文档编号： 71670
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