SUR50N025-05P
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道25 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
25
特点
I
D
(A)
A，E
89
80
r
DS （ ON）
(W)
0.0052 @ V
GS
= 10 V
0.0076 @ V
GS
= 4.5 V
Q
g
（典型值）
30 NC
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
100% R
g
经过测试
D
符合RoHS
应用
D
DC / DC转换器，低侧
台式电脑
笔记本电脑
TO-252
倒车线DPAK
D
的漏极连接到选项卡
G
D
S
G
顶视图
订货信息：
SUR50N025-05P -E3 （铅（Pb ） - 免费）
SUR50N025-05P - T4 -E3 （铅（Pb ） - 免费，备用磁带方向）
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25_C
连续漏电流（T
J
= 175_C)
T
C
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
漏电流脉冲
连续源漏电流二极管
源极 - 漏极
雪崩电流脉冲
单脉冲雪崩能量
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
L = 0 1毫亨
0.1
T
C
= 25_C
最大功率耗散
T
C
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
25
"20
89
A，E
75
A，E
36
B，C
30
B，C
100
55
7.7
B，C
45
101
83
a
58
a
11.5
B，C
8.0
B，C
55
175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
B，D
最大结到外壳
t
p
10秒
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
10
1.5
最大
13
1.8
单位
° C / W
注意事项：
一。基于T
C
= 25_C.
B 。表面装在1 “×1”的FR4基板。
。 T = 10秒
。在稳态条件下最大值为90
° C / W 。
。基于最大结温计算。套餐限制电流为50 A.
文档编号： 73379
S- 50933 -REV 。 A， 09日， 05
www.vishay.com
1
SUR50N025-05P
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
V
DS
DV
DS
/T
J
DV
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 15 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 15 A
50
0.0042
0.0062
65
0.0052
0.0076
1.4
25
20
6.0
2.4
"100
1
10
V
毫伏/°C的
V
nA
mA
A
W
S
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 12 V ，R
L
= 0.24
W
I
D
^
50 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
W
V
DD
= 12 V ，R
L
= 0.24
W
I
D
^
50 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 1
W
F = 1 MHz的
0.5
V
DS
= 12 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 50 A
V
DS
= 12 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 50 A
V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
3600
790
430
63
30
10.5
10.5
1.0
24
13
24
7.5
11
11
29
8
1.5
36
20
36
12
17
17
44
12
ns
W
95
45
nC
pF
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
www.vishay.com
文档编号： 73379
S- 50933 -REV 。 A， 09日， 05
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= 20 A， di / dt的= 100 A / MS ，T
J
= 25_C
A
A / MS
I
S
= 30 A
0.9
34
25
17
17
T
C
= 25_C
55
100
1.5
51
38
A
V
ns
nC
ns
2
SUR50N025-05P
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
100
Vishay Siliconix公司
输出特性
V
GS
= 10直通5 V
4V
I
D
漏电流（ A）
20
传输特性
I
D
漏电流（ A）
80
16
60
12
40
8
T
C
= 125_C
4
25_C
55_C
0
1.0
20
2V
0
0.0
3V
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
0.012
0.010
0.008
导通电阻与漏电流和栅极电压
4800
4000
C
电容（pF）
3200
2400
1600
电容
r
DS （ ON）
导通电阻（MW ）
C
国际空间站
V
GS
= 4.5 V
0.006
V
GS
= 10 V
0.004
0.002
0.000
0
20
40
60
80
100
C
OSS
800
0
0
C
RSS
5
10
15
20
25
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
栅极电荷
1.8
1.6
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
50
导通电阻与结温
I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
8
V
DS
= 12 V
V
DS
= 18 V
4
6
2
0
0
8
16
24
32
40
48
56
64
Q
g
总栅极电荷（ NC）
文档编号： 73379
S- 50933 -REV 。 A， 09日， 05
25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
结温（ ° C）
www.vishay.com
3
SUR50N025-05P
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
100
r
DS （ ON）
漏极 - 源极导通电阻（ W）
T
J
= 150_C
0.030
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
0.000
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
I
D
= 20 A
导通电阻与栅极至源极电压
10
I
S
源电流（ A）
1
0.1
T
J
= 25_C
0.01
T
J
= 125_C
T
J
= 25_C
0.001
0.00
阈值电压
0.6
0.3
I
D
= 250
mA
0.0
功率（W）的
V
GS （ TH）
(V)
0.3
0.6
0.9
1.2
50
480
720
600
单脉冲功率，结到环境
T
A
= 25_C
360
240
120
25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.001
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
1000
T
J
温度（℃）
1000
安全工作区，结至外壳
*仅限为r
DS （ ON）
100
I
D
漏电流（ A）
10
ms
100
ms
10
1毫秒
10毫秒
1
T
C
= 25_C
单脉冲
0.1
0.1
1
10
100毫秒，直流
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
*V
GS
u
最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
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4
文档编号： 73379
S- 50933 -REV 。 A， 09日， 05
SUR50N025-05P
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
100
Vishay Siliconix公司
电流降额*
90
75
60
功率降额
80
I
D
漏电流（ A）
60
动力
45
30
15
0
0
25
50
75
100
125
150
175
25
50
75
100
125
150
175
40
包装有限公司
20
0
T
C
外壳温度（ ° C）
T
C
外壳温度（ ° C）
1000
单脉冲雪崩能力
I
C
山顶雪崩电流（ A）
100
10
1
T
A
+
0.1
0.00001
BV
*
V
DD
L
@
I
D
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
A
时间在雪崩（秒）
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175_C ，利用结到外壳的热阻，并且是在解决上耗散限制更实用
情况下，额外的散热装置被使用。它被用来确定额定电流，当该等级低于封装限制。
文档编号： 73379
S- 50933 -REV 。 A， 09日， 05
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新产品
Vishay Siliconix公司
N通道25 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
25
特点
I
D
(A)
A，E
89
80
r
DS （ ON）
(W)
0.0052 @ V
GS
= 10 V
0.0076 @ V
GS
= 4.5 V
Q
g
（典型值）
30 NC
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
100% R
g
经过测试
D
符合RoHS
应用
D
DC / DC转换器，低侧
台式电脑
笔记本电脑
TO-252
倒车线DPAK
D
的漏极连接到选项卡
G
D
S
G
顶视图
订货信息：
SUR50N025-05P -E3 （铅（Pb ） - 免费）
SUR50N025-05P - T4 -E3 （铅（Pb ） - 免费，备用磁带方向）
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25_C
连续漏电流（T
J
= 175_C)
T
C
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
漏电流脉冲
连续源漏电流二极管
源极 - 漏极
雪崩电流脉冲
单脉冲雪崩能量
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
L = 0 1毫亨
0.1
T
C
= 25_C
最大功率耗散
T
C
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
25
"20
89
A，E
75
A，E
36
B，C
30
B，C
100
55
7.7
B，C
45
101
83
a
58
a
11.5
B，C
8.0
B，C
55
175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
B，D
最大结到外壳
t
p
10秒
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
10
1.5
最大
13
1.8
单位
° C / W
注意事项：
一。基于T
C
= 25_C.
B 。表面装在1 “×1”的FR4基板。
。 T = 10秒
。在稳态条件下最大值为90
° C / W 。
。基于最大结温计算。套餐限制电流为50 A.
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1
SUR50N025-05P
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
V
DS
DV
DS
/T
J
DV
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 15 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 15 A
50
0.0042
0.0062
65
0.0052
0.0076
1.4
25
20
6.0
2.4
"100
1
10
V
毫伏/°C的
V
nA
mA
A
W
S
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 12 V ，R
L
= 0.24
W
I
D
^
50 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
W
V
DD
= 12 V ，R
L
= 0.24
W
I
D
^
50 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 1
W
F = 1 MHz的
0.5
V
DS
= 12 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 50 A
V
DS
= 12 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 50 A
V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
3600
790
430
63
30
10.5
10.5
1.0
24
13
24
7.5
11
11
29
8
1.5
36
20
36
12
17
17
44
12
ns
W
95
45
nC
pF
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
www.vishay.com
文档编号： 73379
S- 50933 -REV 。 A， 09日， 05
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= 20 A， di / dt的= 100 A / MS ，T
J
= 25_C
A
A / MS
I
S
= 30 A
0.9
34
25
17
17
T
C
= 25_C
55
100
1.5
51
38
A
V
ns
nC
ns
2
SUR50N025-05P
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
100
Vishay Siliconix公司
输出特性
V
GS
= 10直通5 V
4V
I
D
漏电流（ A）
20
传输特性
I
D
漏电流（ A）
80
16
60
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40
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T
C
= 125_C
4
25_C
55_C
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0.0
3V
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
0.012
0.010
0.008
导通电阻与漏电流和栅极电压
4800
4000
C
电容（pF）
3200
2400
1600
电容
r
DS （ ON）
导通电阻（MW ）
C
国际空间站
V
GS
= 4.5 V
0.006
V
GS
= 10 V
0.004
0.002
0.000
0
20
40
60
80
100
C
OSS
800
0
0
C
RSS
5
10
15
20
25
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
栅极电荷
1.8
1.6
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
50
导通电阻与结温
I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
8
V
DS
= 12 V
V
DS
= 18 V
4
6
2
0
0
8
16
24
32
40
48
56
64
Q
g
总栅极电荷（ NC）
文档编号： 73379
S- 50933 -REV 。 A， 09日， 05
25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
结温（ ° C）
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3
SUR50N025-05P
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
100
r
DS （ ON）
漏极 - 源极导通电阻（ W）
T
J
= 150_C
0.030
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
0.000
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
I
D
= 20 A
导通电阻与栅极至源极电压
10
I
S
源电流（ A）
1
0.1
T
J
= 25_C
0.01
T
J
= 125_C
T
J
= 25_C
0.001
0.00
阈值电压
0.6
0.3
I
D
= 250
mA
0.0
功率（W）的
V
GS （ TH）
(V)
0.3
0.6
0.9
1.2
50
480
720
600
单脉冲功率，结到环境
T
A
= 25_C
360
240
120
25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.001
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
1000
T
J
温度（℃）
1000
安全工作区，结至外壳
*仅限为r
DS （ ON）
100
I
D
漏电流（ A）
10
ms
100
ms
10
1毫秒
10毫秒
1
T
C
= 25_C
单脉冲
0.1
0.1
1
10
100毫秒，直流
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
*V
GS
u
最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
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4
文档编号： 73379
S- 50933 -REV 。 A， 09日， 05
SUR50N025-05P
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
100
Vishay Siliconix公司
电流降额*
90
75
60
功率降额
80
I
D
漏电流（ A）
60
动力
45
30
15
0
0
25
50
75
100
125
150
175
25
50
75
100
125
150
175
40
包装有限公司
20
0
T
C
外壳温度（ ° C）
T
C
外壳温度（ ° C）
1000
单脉冲雪崩能力
I
C
山顶雪崩电流（ A）
100
10
1
T
A
+
0.1
0.00001
BV
*
V
DD
L
@
I
D
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
A
时间在雪崩（秒）
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175_C ，利用结到外壳的热阻，并且是在解决上耗散限制更实用
情况下，额外的散热装置被使用。它被用来确定额定电流，当该等级低于封装限制。
文档编号： 73379
S- 50933 -REV 。 A， 09日， 05
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