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SUR3080PT通SUR30120PT
超快速恢复外延二极管
A
C( TAB )
A
C
A
C
A
尺寸TO- 247AD
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
毫米
分钟。马克斯。
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32
5.4
1.65
-
1.0
10.8
4.7
0.4
1.5
5.49
6.2
2.13
4.5
1.4
11.0
5.3
0.8
2.49
英寸
分钟。
马克斯。
0.780
0.819
0.610
0.140
0.170
0.212
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-
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0.209
0.031
0.102
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SUR3080PT
SUR30100PT
SUR30120PT
V
RSM
V
800
1000
1200
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RRM
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800
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J
K
L
M
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符号
I
疲劳风险管理
I
FAVM
I
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测试条件
T
VJ
=T
VJM
T
C
=100
o
℃;矩形的峰,d = 0.5
t
p
<10us ;众议员。评级,脉冲宽度限制T
VJM
T
VJ
=45
o
C
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
最大额定值
25
15
150
75
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65
70
28
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-40...+150
150
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单位
A
I
FSM
T
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=150
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C
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=45
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It
2
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=150 C
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T
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英镑
P
合计
M
d
重量
T
C
=25
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安装力矩
o
C
78
0.4...0.6
2
W
Nm
g
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超快速恢复外延二极管
符号
测试条件
T
VJ
=25
o
℃; V
R
=V
RRM
T
VJ
=25
o
℃; V
R
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.
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RRM
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RRM
I
F
= 15A ;牛逼
VJ
=150
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C
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=25
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C
对于只功率损耗计算
T
VJ
=T
VJM
特征值
典型值。
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4
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1.65
46.2
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0.5
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单位
uA
uA
mA
V
V
m
K / W
I
R
V
F
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r
T
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thJC
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thCK
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t
rr
I
RM
I
F
= 1A ; -di / DT = 50A /我们; V
R
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VJ
=25
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_
V
R
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F
= 15A ; - 二
F
/ DT = 100A / us的; L<0.05uH ;牛逼
VJ
=100
o
C
50
6.5
70
7.2
ns
A
特点
*国际标准套餐
JEDEC TO- 247AD
*平面钝化芯片
*极短的恢复时间
*极低的开关损耗
*我低
RM
- 值
*软恢复特性
应用
*高频反并联二极管
开关设备
*抗饱和二极管
*缓冲二极管
*在转换器单向二极管
和电机控制电路
*在开关模式电源整流器
电源(SMPS )
*感应加热和熔化
*不间断电源( UPS )
*超声波清洗机和焊接机
优势
*高可靠性的电路操作
*低电压的峰值减少
保护电路
*低噪音切换
*低损失
*工作在较低的温度或
节省空间通过降低冷却液
SUR3080PT通SUR30120PT
超快速恢复外延二极管
30
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0
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F
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图。 1正向电流
与电压降。
1.4
1.2
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K
f
图。 2恢复电荷与-di
F
/ DT 。
图。 3峰值反向电流对
- 二
F
/ DT 。
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=125°C
I
F
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图。 4动态参数对比
结温。
图。 5恢复时间与-di
F
/ DT 。
图。 6峰值正向电压
与迪
F
/ DT 。
图。 7瞬态热阻抗结点到外壳。
SUR3080PT通SUR30120PT
超快速恢复外延二极管
A
C( TAB )
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C
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C
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尺寸TO- 247AD
DIM 。
A
B
C
D
E
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G
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毫米
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分钟。
马克斯。
0.780
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SUR3080PT
SUR30100PT
SUR30120PT
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疲劳风险管理
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测试条件
T
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C
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T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
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最大额定值
25
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安装力矩
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超快速恢复外延二极管
符号
测试条件
T
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=25
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℃; V
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=25
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R
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对于只功率损耗计算
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特征值
典型值。
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4
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=100
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7.2
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*国际标准套餐
JEDEC TO- 247AD
*平面钝化芯片
*极短的恢复时间
*极低的开关损耗
*我低
RM
- 值
*软恢复特性
应用
*高频反并联二极管
开关设备
*抗饱和二极管
*缓冲二极管
*在转换器单向二极管
和电机控制电路
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电源(SMPS )
*感应加热和熔化
*不间断电源( UPS )
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优势
*高可靠性的电路操作
*低电压的峰值减少
保护电路
*低噪音切换
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节省空间通过降低冷却液
SUR3080PT通SUR30120PT
超快速恢复外延二极管
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图。 2恢复电荷与-di
F
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图。 3峰值反向电流对
- 二
F
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图。 4动态参数对比
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图。 5恢复时间与-di
F
/ DT 。
图。 6峰值正向电压
与迪
F
/ DT 。
图。 7瞬态热阻抗结点到外壳。
SUR3080PT通SUR30120PT
超快速恢复外延二极管
A
C( TAB )
A
C
A
C
A
尺寸TO- 247AD
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
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SUR30100PT
SUR30120PT
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T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
最大额定值
25
15
150
75
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SUR3080PT通SUR30120PT
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对于只功率损耗计算
T
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VJM
特征值
典型值。
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250
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46.2
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uA
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V
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*国际标准套餐
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*极短的恢复时间
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10
5
0
0
100
200
- 二
F
/ DT
I
F
Q
r
I
F
=11A
I
F
=22A
I
F
=11A
I
F
=5.5A
I
F
=11A
I
F
=22A
I
F
=11A
I
F
=5.5A
典型值。
300
A / μs的
400
图。 1正向电流
与电压降。
1.4
1.2
1.0
K
f
图。 2恢复电荷与-di
F
/ DT 。
图。 3峰值反向电流对
- 二
F
/ DT 。
60
V
50
40
30
t
fr
20
400
V
FR
1200
ns
1000
800
t
fr
600
1.0
s
0.8
T
VJ
=100°C
V
R
=540V
I
RM
0.8
0.6
t
rr
马克斯。
0.6
I
F
=11A
I
F
=22A
I
F
=11A
I
F
=5.5A
V
FR
Q
R
0.4
0.4
0.2
0.2
0.0
0
40
T
J
80
120 °C 160
0.0
0
100
200
- 二
F
/ DT
300 A / μs的400
典型值。
10
0
0
100
200
di
F
/ DT
T
VJ
=125°C
I
F
=11A
300 A / μs的400
200
0
图。 4动态参数对比
结温。
图。 5恢复时间与-di
F
/ DT 。
图。 6峰值正向电压
与迪
F
/ DT 。
图。 7瞬态热阻抗结点到外壳。
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