SUP90N08-4m8P
Vishay Siliconix公司
N通道75 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
75
r
DS （ ON）
(Ω)
0.0048在V
GS
= 10 V
0.006在V
GS
= 8 V
I
D
(A)
90
d
90
d
Q
g
（典型值）
105
特点
TrenchFET
功率MOSFET
175 ° C的结温
100 ％ UIS测试
RoHS指令
柔顺
应用
电源
- 半桥
- 次级同步整流
TO-220AB
产业
D
G
摹 S
顶视图
订货信息：
SUP90N08-4m8P -E3 （铅（Pb ） - 免费）
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175 °C)
漏电流脉冲
雪崩电流
单脉冲雪崩能量
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
c
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
75
± 20
90
d
90
d
240
70
245
300
b
3.75
- 55 175
mJ
W
°C
A
单位
V
热电阻额定值
参数
结到环境（印刷电路板安装）
c
结至外壳（漏）
注意事项：
一。占空比
≤
1 %.
B 。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1"正方形板（ FR-4材料） 。
。包装有限。
文档编号： 74281
S- 71663 -REV 。 C， 06 - 8 - 07
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1
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
0.5
单位
° C / W
SUP90N08-4m8P
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 75 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 75 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
DS
= 75 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 150 °C
V
DS
≥
10 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125 °C
V
GS
= 8 V，I
D
= 20 A，T
J
= 150 °C
V
GS
= 8 V，I
D
= 20 A
正向跨导
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
c
a
符号
测试条件
民
75
2
典型值
最大
单位
4
± 250
1
50
250
V
nA
A
A
70
0.004
0.0048
0.0096
0.0106
0.0046
58
6460
0.006
Ω
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
S
V
GS
= 0 V, V
DS
= 40 V ， F = 1兆赫
571
275
105
160
pF
V
DS
= 30 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 85 A
F = 1 MHz的
V
DD
= 30 V ，R
L
= 0.4
Ω
I
D
85 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
Ω
32
28
1.3
23
17
34
8
2.6
35
26
52
15
85
240
nC
Ω
ns
源极 - 漏极二极管额定值和特性
(T
C
= 25 °C)
b
A
V
ns
A
C
I
F
= 30 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 75 A， di / dt的= 100 A / μs的
0.85
68
2.6
88
1.5
100
4
132
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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2
文档编号： 74281
S- 71663 -REV 。 C， 06 - 8 - 07
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
120
V
GS
= 10通6 V
100
I
D
- 漏电流（ A）
100
I
D
- 漏电流（ A）
120
80
80
60
60
40
5V
20
40
T
C
= 125 °C
20
25 °C
- 55 °C
0
0
1
2
3
4
5
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
150
T
C
= - 55 °C
25 °C
90
125 °C
60
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ ）
120
g
fs
- Transcond
u
ctance （S）
0.012
0.015
传输特性
0.009
0.006
V
GS
= 8 V
30
0.003
V
GS
= 10 V
0
0
10
20
30
40
50
60
0.000
0
20
40
60
80
100
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
I
D
- 漏电流（ A）
跨
0.020
I
D
= 20 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ ）
0.016
- 电容（pF ）
6560
8200
导通电阻与漏电流
C
国际空间站
0.012
125 °C
0.008
4920
3280
0.004
25 °C
1640
C
OSS
0.000
4.0
0
5.2
6.4
7.6
8.8
10.0
0
C
RSS
15
30
45
60
75
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与栅极至源极电压
文档编号： 74281
S- 71663 -REV 。 C， 06 - 8 - 07
电容
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
10
I
D
= 85 A
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
8
V
DS
= 30 V
r
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.7
10 V
1.4
2.0
I
D
= 20 A
6
V
DS
= 60 V
4
1.1
2
0.8
0
0
23
46
69
92
115
0.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
100
0.7
150 °C
V
GS （ TH）
方差（ V）
导通电阻与结温
I
S
- 源电流（ A）
10
0.2
I
D
= 5毫安
- 0.3
1.0
- 0.8
0.1
25 °C
- 1.3
I
D
= 250 A
- 1.8
0.01
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
- 2.3
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
100
I
D
= 1毫安
95
V
（ BR ） DSS
（归一化）
100
阈值电压
I
DA
V
(A)
90
150 °C
10
25 °C
85
80
75
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0.00001 0.0001
0.001
0.01
T
AV
（秒）
0.1
1.0
T
J
- 结温（ ° C）
漏源击穿与结温
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4
单脉冲雪崩电流能力
与时间
文档编号： 74281
S- 71663 -REV 。 C， 06 - 8 - 07
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Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
180
1000
*有限
by
r
DS （ ON）
144
I
D
- 排水
u
rrent （ A）
I
D
- 排水
u
rrent （ A）
100
s
100
108
包装有限公司
1毫秒
10
10毫秒
100毫秒
dc
1
T
C
= 25 °C
单脉冲
72
36
0
0
25
50
75
100
125
150
0.1
0.1
*V
GS
1
10
100
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
最低
V
GS
at
哪
r
DS （ ON）
为特定网络版
T
C
- 外壳温度（ ° C）
最大漏极电流与外壳温度
安全工作区
1
占空比= 0.5
N
ormalized Effecti
v
ê瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
方
WAVE
脉冲持续时间（秒）
10
-1
1
归瞬态热阻抗，结至外壳
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?74281 。
文档编号： 74281
S- 71663 -REV 。 C， 06 - 8 - 07
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5
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