SPICE器件模型SUP / SUB85N04-03
Vishay Siliconix公司
N通道40 -V （ D- S） 175℃ MOSFET
特征
N和P沟道垂直DMOS
宏模型（子电路模型）
3级MOS
同时申请线性和开关应用
在精确的
55
至125°C温度范围
模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复
特征
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
的n沟道垂直DMOS特性。子电路
模型中提取并优化过
55
至125℃
脉冲0至10V栅极驱动下的温度范围。该
饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合
阈值电压。
一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络，用于
模型，同时避免收敛的栅极电荷特性
交换的C困难
gd
模型。所有的模型参数值
进行了优化，以提供最适合于所测量的电数据
并且不旨在作为对一个确切的物理解释
装置。
子电路模型示意图
本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的
相同数量的保证规范限制的数据表。
文档编号： 71615
18-Apr-01
www.vishay.com
1
SPICE器件模型SUP / SUB85N04-03
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
通态漏电流
a
符号
测试条件
模拟
数据
测
数据
单位
V
GS （ TH）
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10V ，我
D
= 30A
1.9
1410
0.0026
0.0040
0.0037
0.0043
87
0.92
1.1
0.0029
0.0044
V
A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 20A
V
GS
= 10V ，我
D
= 30A ，T
J
= 125°C
V
GS
= 10V ，我
D
= 30A ， ，T
J
= 175°C
正向跨导
正向电压
a
a
g
fs
V
SD
V
DS
= 15V ，我
D
= 30 A
I
S
= 85A ，V
GS
= 0 V
S
V
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
b
b
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
b
6809
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1兆赫
1347
823
165
V
DS
= 30V, V
GS
= 10V ，我
D
= 85A
25
55
57
V
DD
= 30V ，R
L
= 0.35
I
D
85A ，V
根
= 10V ，R
G
= 2.5
103
120
193
I
F
= 85A ，的di / dt = 100 A / μs的
65
6860
1320
800
165
25
55
15
90
95
125
60
ns
nC
pf
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
b
导通延迟时间
上升时间
b
打开-O FF延迟时间
下降时间
b
t
D（上）
t
r
b
t
D（关闭）
t
f
t
rr
反向恢复时间
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
www.vishay.com
2
文档编号： 71615
18-Apr-01
SPICE器件模型SUP / SUB85N04-03
Vishay Siliconix公司
与实测数据模型的比较（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
文档编号： 7xxxx
DD-MON-年
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3
SUP/SUB85N04-03
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道40 -V （ D- S） 175℃ MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
40
r
DS （ ON）
(W)
0.0035 @ V
GS
= 10 V
0.0053 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
85
a
TO-220AB
D
TO-263
G
的漏极连接到选项卡
G
摹 S
顶视图
SUP85N04-03
S
S
N沟道MOSFET
顶视图
SUB85N04-03
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
175 C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
b
最大功率耗散
b
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C （ TO- 220AB和TO -263 ）
T
A
= 25_C （ TO- 263 ）
d
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
40
"20
85
a
85
a
240
75
280
250
c
3.75
-55至175
单位
V
A
mJ
W
_C
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
印刷电路板安装（ TO- 263 ）
d
结到环境
自由空气（ TO- 220AB ）
结到外壳
笔记
一。包装有限。
B 。占空比
v
1%.
。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
文档编号： 71124
S- 00654 -REV 。 B， 27 -MAR- 00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
R
thJA
R
thJC
符号
极限
40
62.5
0.6
单位
° C / W
2-1
SUP/SUB85N04-03
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
Z
G
V L
D我
I
DSS
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
I S
O 4 S
R I
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 175_C
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A
30
120
0.0029
0.0044
0.0035
0.0053
0.0053
0.0063
S
W
40
V
1
3
100
1
50
250
A
mA
A
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 30 V ，R
L
= 0 35
W
V,
0.35
I
D
^
85 A，V
根
= 10 V R
G
= 2 5
W
A
V,
2.5
V
DS
= 30 V, V
GS
= 10 V I
D
= 85 A
V
V,
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
6860
1320
800
165
25
55
15
90
95
125
25
135
ns
145
195
250
nC
C
pF
F
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= 85 的di / dt = 100 A / MS
A,
I
F
= 85 A，V
GS
= 0 V
1.1
60
2.6
0.08
85
A
240
1.4
90
4
0.15
V
ns
A
mC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-2
文档编号： 71124
S- 00654 -REV 。 B， 27 -MAR- 00
SUP/SUB85N04-03
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
250
V
GS
= 10通6 V
200
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
5V
200
250
Vishay Siliconix公司
传输特性
150
150
100
4V
50
3V
0
0
2
4
6
8
10
100
T
C
= 125_C
50
25_C
–55_C
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
200
T
C
= –55_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
160
g
fs
- 跨导（S ）
25_C
0.008
导通电阻与漏电流
0.006
120
125_C
V
GS
= 4.5 V
0.004
V
GS
= 10 V
0.002
80
40
0
0
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
100
120
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
电容
12000
20
栅极电荷
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
10000
- 电容（pF ）
C
国际空间站
16
V
DS
= 30 V
I
D
= 85 A
8000
12
6000
8
4000
C
OSS
2000
C
RSS
0
0
8
16
24
32
40
4
0
0
60
120
180
240
300
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
文档编号： 71124
S- 00654 -REV 。 B， 27 -MAR- 00
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
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S
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2-3
SUP/SUB85N04-03
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
100
1.6
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
I
S
- 源电流（ A）
源极 - 漏极二极管正向电压
1.2
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
0.8
0.4
0
–50
1
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3
0.6
0.9
1.2
T
J
=结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
雪崩电流与时间
1000
60
漏源击穿对比
结温
54
100
I
DAV
(a)
V
（ BR ） DSS
(V)
I
AV
（ A） @ T
A
= 25_C
I
D
= 250
mA
48
10
I
AV
（ A） @ T
A
= 150_C
42
1
36
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
30
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
t
in
（秒）
T
J
=结温（ ° C）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-4
文档编号： 71124
S- 00654 -REV 。 B， 27 -MAR- 00
SUP/SUB85N04-03
新产品
热额定值
最大雪崩和漏极电流
与外壳温度
100
1000
Vishay Siliconix公司
安全工作区
80
100
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
60
有限
由R
DS （ ON）
10
10
ms
100
ms
1毫秒
10毫秒
100毫秒
dc
40
20
1
T
C
= 25_C
单脉冲
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
0.1
1
10
100
T
C
=环境温度（℃）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
方波脉冲持续时间（秒）
文档编号： 71124
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新产品
Vishay Siliconix公司
N通道40 -V （ D- S） 175℃ MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
40
r
DS （ ON）
(W)
0.0035 @ V
GS
= 10 V
0.0053 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
85
a
TO-220AB
D
TO-263
G
的漏极连接到选项卡
G
摹 S
顶视图
SUP85N04-03
S
S
N沟道MOSFET
顶视图
SUB85N04-03
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
175 C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
b
最大功率耗散
b
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C （ TO- 220AB和TO -263 ）
T
A
= 25_C （ TO- 263 ）
d
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
40
"20
85
a
85
a
240
75
280
250
c
3.75
-55至175
单位
V
A
mJ
W
_C
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
印刷电路板安装（ TO- 263 ）
d
结到环境
自由空气（ TO- 220AB ）
结到外壳
笔记
一。包装有限。
B 。占空比
v
1%.
。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
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S- 00654 -REV 。 B， 27 -MAR- 00
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S
FaxBack 408-970-5600
R
thJA
R
thJC
符号
极限
40
62.5
0.6
单位
° C / W
2-1
SUP/SUB85N04-03
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
Z
G
V L
D我
I
DSS
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
I S
O 4 S
R I
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 175_C
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A
30
120
0.0029
0.0044
0.0035
0.0053
0.0053
0.0063
S
W
40
V
1
3
100
1
50
250
A
mA
A
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 30 V ，R
L
= 0 35
W
V,
0.35
I
D
^
85 A，V
根
= 10 V R
G
= 2 5
W
A
V,
2.5
V
DS
= 30 V, V
GS
= 10 V I
D
= 85 A
V
V,
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
6860
1320
800
165
25
55
15
90
95
125
25
135
ns
145
195
250
nC
C
pF
F
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= 85 的di / dt = 100 A / MS
A,
I
F
= 85 A，V
GS
= 0 V
1.1
60
2.6
0.08
85
A
240
1.4
90
4
0.15
V
ns
A
mC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
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S
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2-2
文档编号： 71124
S- 00654 -REV 。 B， 27 -MAR- 00
SUP/SUB85N04-03
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
250
V
GS
= 10通6 V
200
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
5V
200
250
Vishay Siliconix公司
传输特性
150
150
100
4V
50
3V
0
0
2
4
6
8
10
100
T
C
= 125_C
50
25_C
–55_C
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
200
T
C
= –55_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
160
g
fs
- 跨导（S ）
25_C
0.008
导通电阻与漏电流
0.006
120
125_C
V
GS
= 4.5 V
0.004
V
GS
= 10 V
0.002
80
40
0
0
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
100
120
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
电容
12000
20
栅极电荷
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
10000
- 电容（pF ）
C
国际空间站
16
V
DS
= 30 V
I
D
= 85 A
8000
12
6000
8
4000
C
OSS
2000
C
RSS
0
0
8
16
24
32
40
4
0
0
60
120
180
240
300
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
文档编号： 71124
S- 00654 -REV 。 B， 27 -MAR- 00
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
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2-3
SUP/SUB85N04-03
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
100
1.6
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
I
S
- 源电流（ A）
源极 - 漏极二极管正向电压
1.2
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
0.8
0.4
0
–50
1
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3
0.6
0.9
1.2
T
J
=结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
雪崩电流与时间
1000
60
漏源击穿对比
结温
54
100
I
DAV
(a)
V
（ BR ） DSS
(V)
I
AV
（ A） @ T
A
= 25_C
I
D
= 250
mA
48
10
I
AV
（ A） @ T
A
= 150_C
42
1
36
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
30
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
t
in
（秒）
T
J
=结温（ ° C）
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2-4
文档编号： 71124
S- 00654 -REV 。 B， 27 -MAR- 00
SUP/SUB85N04-03
新产品
热额定值
最大雪崩和漏极电流
与外壳温度
100
1000
Vishay Siliconix公司
安全工作区
80
100
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
60
有限
由R
DS （ ON）
10
10
ms
100
ms
1毫秒
10毫秒
100毫秒
dc
40
20
1
T
C
= 25_C
单脉冲
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
0.1
1
10
100
T
C
=环境温度（℃）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
方波脉冲持续时间（秒）
文档编号： 71124
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SUP/SUB85N04-03
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道40 -V （ D- S） 175℃ MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
40
r
DS （ ON）
(W)
0.0035 @ V
GS
= 10 V
0.0053 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
85
a
TO-220AB
D
TO-263
G
的漏极连接到选项卡
G
摹 S
顶视图
SUP85N04-03
S
S
N沟道MOSFET
顶视图
SUB85N04-03
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
175 C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
b
最大功率耗散
b
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C （ TO- 220AB和TO -263 ）
T
A
= 25_C （ TO- 263 ）
d
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
40
"20
85
a
85
a
240
75
280
250
c
3.75
-55至175
单位
V
A
mJ
W
_C
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
印刷电路板安装（ TO- 263 ）
d
结到环境
自由空气（ TO- 220AB ）
结到外壳
笔记
一。包装有限。
B 。占空比
v
1%.
。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
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R
thJA
R
thJC
符号
极限
40
62.5
0.6
单位
° C / W
2-1
SUP/SUB85N04-03
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
Z
G
V L
D我
I
DSS
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
I S
O 4 S
R I
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 175_C
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A
30
120
0.0029
0.0044
0.0035
0.0053
0.0053
0.0063
S
W
40
V
1
3
100
1
50
250
A
mA
A
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 30 V ，R
L
= 0 35
W
V,
0.35
I
D
^
85 A，V
根
= 10 V R
G
= 2 5
W
A
V,
2.5
V
DS
= 30 V, V
GS
= 10 V I
D
= 85 A
V
V,
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
6860
1320
800
165
25
55
15
90
95
125
25
135
ns
145
195
250
nC
C
pF
F
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= 85 的di / dt = 100 A / MS
A,
I
F
= 85 A，V
GS
= 0 V
1.1
60
2.6
0.08
85
A
240
1.4
90
4
0.15
V
ns
A
mC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
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新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
250
V
GS
= 10通6 V
200
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
5V
200
250
Vishay Siliconix公司
传输特性
150
150
100
4V
50
3V
0
0
2
4
6
8
10
100
T
C
= 125_C
50
25_C
–55_C
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
200
T
C
= –55_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
160
g
fs
- 跨导（S ）
25_C
0.008
导通电阻与漏电流
0.006
120
125_C
V
GS
= 4.5 V
0.004
V
GS
= 10 V
0.002
80
40
0
0
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
100
120
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
电容
12000
20
栅极电荷
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
10000
- 电容（pF ）
C
国际空间站
16
V
DS
= 30 V
I
D
= 85 A
8000
12
6000
8
4000
C
OSS
2000
C
RSS
0
0
8
16
24
32
40
4
0
0
60
120
180
240
300
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
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Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
100
1.6
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
I
S
- 源电流（ A）
源极 - 漏极二极管正向电压
1.2
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
0.8
0.4
0
–50
1
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3
0.6
0.9
1.2
T
J
=结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
雪崩电流与时间
1000
60
漏源击穿对比
结温
54
100
I
DAV
(a)
V
（ BR ） DSS
(V)
I
AV
（ A） @ T
A
= 25_C
I
D
= 250
mA
48
10
I
AV
（ A） @ T
A
= 150_C
42
1
36
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
30
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
t
in
（秒）
T
J
=结温（ ° C）
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热额定值
最大雪崩和漏极电流
与外壳温度
100
1000
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安全工作区
80
100
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
60
有限
由R
DS （ ON）
10
10
ms
100
ms
1毫秒
10毫秒
100毫秒
dc
40
20
1
T
C
= 25_C
单脉冲
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
0.1
1
10
100
T
C
=环境温度（℃）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
方波脉冲持续时间（秒）
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