SUP/SUB75N08-09L
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道75 -V （D -S ） ， 175_C MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
75
r
DS （ ON）
(W)
0.009 @ V
GS
= 10 V
0.011 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
"75
a
TO-220AB
D
TO-263
G
的漏极连接到选项卡
G
摹 S
顶视图
SUP75N08-09L
S
S
N沟道MOSFET
顶视图
SUB75N08-09L
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
175 C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
b
最大功率耗散
b
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C （ TO- 220AB和TO -263 ）
T
A
= 25_C （ TO- 263 ）
d
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
75
"20
"75
a
"66
"240
"75
280
250
c
3.7
-55至175
单位
V
A
mJ
W
_C
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
印刷电路板安装（ TO- 263 ）
d
结到环境
自由空气（ TO- 220AB ）
结到外壳
笔记
一。包装有限。
B 。占空比
v
1%.
。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
文档编号： 70870
S- 60951 -REV 。 A， 26 -APR- 99
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
R
thJA
R
thJC
符号
极限
40
62.5
0.6
单位
° C / W
2-1
SUP/SUB75N08-09L
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
Z
G
V L
D我
I
DSS
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
I S
O 4 S
R I
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 175_C
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A
30
120
0.0076
0.009
0.011
0.016
0.021
S
W
75
V
1
3
"100
1
50
250
A
mA
A
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 30 V ，R
L
= 0 47
W
V,
0.47
I
D
^
75 A，V
根
= 10 V R
G
= 2 5
W
A
V,
2.5
V
DS
= 30 V, V
GS
= 10 V I
D
= 75 A
V
V,
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
5600
820
275
121
20
25
11
10
107
22
20
20
ns
200
40
150
nC
C
pF
F
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= 75A的的di / dt = 100 A / MS
A,
I
F
= 75 A，V
GS
= 0 V
1.0
80
4
0.32
75
A
240
1.3
120
9
0.54
V
ns
A
mC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-2
文档编号： 70870
S- 60951 -REV 。 A， 26 -APR- 99
SUP/SUB75N08-09L
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
250
V
GS
= 10, 9, 8, 7, 6, 5 V
4V
150
I
D
- 漏极电流（ A）
200
Vishay Siliconix公司
传输特性
200
I
D
- 漏极电流（ A）
160
120
100
80
T
C
= 125_C
40
25_C
–55_C
0
50
3V
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
200
T
C
= –55_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
160
g
fs
- 跨导（S ）
25_C
120
0.010
0.012
导通电阻与漏电流
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
0.008
125_C
0.006
80
0.004
40
0.002
0
0
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
100
120
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
I
D
- 漏极电流（ A）
电容
9000
10
栅极电荷
C
国际空间站
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
7500
- 电容（pF ）
8
V
GS
= 30 V
I
D
= 75 A
6000
6
4500
4
3000
C
OSS
1500
C
RSS
2
0
0
15
30
45
60
75
0
0
20
40
60
80
100
120
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
文档编号： 70870
S- 60951 -REV 。 A， 26 -APR- 99
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
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S
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新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
2.5
V
GS
= 10 V
I
D
= 75 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
2.0
I
S
- 源电流（ A）
10
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
100
源极 - 漏极二极管正向电压
1.5
1.0
1
0.5
0
–50
0.1
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
T
J
=结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
雪崩电流与时间
300
100
漏源击穿电压 -
结温
100
90
V
（ BR ） DSS
(V)
I
AV
（ A） @ T
J
= 25_C
I
DAV
(a)
80
10
I
AV
（ A） @ T
J
= 150_C
70
1
0.0001
0.001
0.01
t
in
（秒）
0.1
1
60
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
=结温（ ° C）
www.vishay.com
S
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新产品
热额定值
最大漏极电流比。
外壳温度
90
300
有限
由R
DS （ ON）
100
I
D
- 漏极电流（ A）
60
I
D
- 漏极电流（ A）
10
ms
100
ms
Vishay Siliconix公司
安全工作区
75
45
1
ms
10
10毫秒
T
C
= 25_C
单脉冲
100毫秒
dc
30
15
0
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0.1
1
10
100
T
C
=环境温度（℃）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–5
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
3
方波脉冲持续时间（秒）
文档编号： 70870
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新产品
Vishay Siliconix公司
N通道75 -V （D -S ） ， 175_C MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
75
r
DS （ ON）
(W)
0.009 @ V
GS
= 10 V
0.011 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
"75
a
TO-220AB
D
TO-263
G
的漏极连接到选项卡
G
摹 S
顶视图
SUP75N08-09L
S
S
N沟道MOSFET
顶视图
SUB75N08-09L
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
175 C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
b
最大功率耗散
b
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C （ TO- 220AB和TO -263 ）
T
A
= 25_C （ TO- 263 ）
d
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
75
"20
"75
a
"66
"240
"75
280
250
c
3.7
-55至175
单位
V
A
mJ
W
_C
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
印刷电路板安装（ TO- 263 ）
d
结到环境
自由空气（ TO- 220AB ）
结到外壳
笔记
一。包装有限。
B 。占空比
v
1%.
。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
文档编号： 70870
S- 60951 -REV 。 A， 26 -APR- 99
www.vishay.com
S
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R
thJA
R
thJC
符号
极限
40
62.5
0.6
单位
° C / W
2-1
SUP/SUB75N08-09L
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
Z
G
V L
D我
I
DSS
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
I S
O 4 S
R I
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 175_C
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A
30
120
0.0076
0.009
0.011
0.016
0.021
S
W
75
V
1
3
"100
1
50
250
A
mA
A
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 30 V ，R
L
= 0 47
W
V,
0.47
I
D
^
75 A，V
根
= 10 V R
G
= 2 5
W
A
V,
2.5
V
DS
= 30 V, V
GS
= 10 V I
D
= 75 A
V
V,
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
5600
820
275
121
20
25
11
10
107
22
20
20
ns
200
40
150
nC
C
pF
F
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= 75A的的di / dt = 100 A / MS
A,
I
F
= 75 A，V
GS
= 0 V
1.0
80
4
0.32
75
A
240
1.3
120
9
0.54
V
ns
A
mC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
www.vishay.com
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文档编号： 70870
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新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
250
V
GS
= 10, 9, 8, 7, 6, 5 V
4V
150
I
D
- 漏极电流（ A）
200
Vishay Siliconix公司
传输特性
200
I
D
- 漏极电流（ A）
160
120
100
80
T
C
= 125_C
40
25_C
–55_C
0
50
3V
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
200
T
C
= –55_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
160
g
fs
- 跨导（S ）
25_C
120
0.010
0.012
导通电阻与漏电流
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
0.008
125_C
0.006
80
0.004
40
0.002
0
0
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
100
120
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
I
D
- 漏极电流（ A）
电容
9000
10
栅极电荷
C
国际空间站
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
7500
- 电容（pF ）
8
V
GS
= 30 V
I
D
= 75 A
6000
6
4500
4
3000
C
OSS
1500
C
RSS
2
0
0
15
30
45
60
75
0
0
20
40
60
80
100
120
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
文档编号： 70870
S- 60951 -REV 。 A， 26 -APR- 99
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
www.vishay.com
S
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Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
2.5
V
GS
= 10 V
I
D
= 75 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
2.0
I
S
- 源电流（ A）
10
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
100
源极 - 漏极二极管正向电压
1.5
1.0
1
0.5
0
–50
0.1
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
T
J
=结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
雪崩电流与时间
300
100
漏源击穿电压 -
结温
100
90
V
（ BR ） DSS
(V)
I
AV
（ A） @ T
J
= 25_C
I
DAV
(a)
80
10
I
AV
（ A） @ T
J
= 150_C
70
1
0.0001
0.001
0.01
t
in
（秒）
0.1
1
60
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
=结温（ ° C）
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S
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2-4
文档编号： 70870
S- 60951 -REV 。 A， 26 -APR- 99
SUP/SUB75N08-09L
新产品
热额定值
最大漏极电流比。
外壳温度
90
300
有限
由R
DS （ ON）
100
I
D
- 漏极电流（ A）
60
I
D
- 漏极电流（ A）
10
ms
100
ms
Vishay Siliconix公司
安全工作区
75
45
1
ms
10
10毫秒
T
C
= 25_C
单脉冲
100毫秒
dc
30
15
0
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0.1
1
10
100
T
C
=环境温度（℃）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–5
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
3
方波脉冲持续时间（秒）
文档编号： 70870
S- 60951 -REV 。 A， 26 -APR- 99
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SUP/SUB75N08-09L
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道75 -V （D -S ） ， 175_C MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
75
r
DS （ ON）
(W)
0.009 @ V
GS
= 10 V
0.011 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
"75
a
TO-220AB
D
TO-263
G
的漏极连接到选项卡
G
摹 S
顶视图
SUP75N08-09L
S
S
N沟道MOSFET
顶视图
SUB75N08-09L
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
175 C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
b
最大功率耗散
b
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C （ TO- 220AB和TO -263 ）
T
A
= 25_C （ TO- 263 ）
d
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
75
"20
"75
a
"66
"240
"75
280
250
c
3.7
-55至175
单位
V
A
mJ
W
_C
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
印刷电路板安装（ TO- 263 ）
d
结到环境
自由空气（ TO- 220AB ）
结到外壳
笔记
一。包装有限。
B 。占空比
v
1%.
。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
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R
thJA
R
thJC
符号
极限
40
62.5
0.6
单位
° C / W
2-1
SUP/SUB75N08-09L
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
Z
G
V L
D我
I
DSS
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
I S
O 4 S
R I
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 175_C
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A
30
120
0.0076
0.009
0.011
0.016
0.021
S
W
75
V
1
3
"100
1
50
250
A
mA
A
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 30 V ，R
L
= 0 47
W
V,
0.47
I
D
^
75 A，V
根
= 10 V R
G
= 2 5
W
A
V,
2.5
V
DS
= 30 V, V
GS
= 10 V I
D
= 75 A
V
V,
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
5600
820
275
121
20
25
11
10
107
22
20
20
ns
200
40
150
nC
C
pF
F
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= 75A的的di / dt = 100 A / MS
A,
I
F
= 75 A，V
GS
= 0 V
1.0
80
4
0.32
75
A
240
1.3
120
9
0.54
V
ns
A
mC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
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新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
250
V
GS
= 10, 9, 8, 7, 6, 5 V
4V
150
I
D
- 漏极电流（ A）
200
Vishay Siliconix公司
传输特性
200
I
D
- 漏极电流（ A）
160
120
100
80
T
C
= 125_C
40
25_C
–55_C
0
50
3V
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
200
T
C
= –55_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
160
g
fs
- 跨导（S ）
25_C
120
0.010
0.012
导通电阻与漏电流
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
0.008
125_C
0.006
80
0.004
40
0.002
0
0
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
100
120
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
I
D
- 漏极电流（ A）
电容
9000
10
栅极电荷
C
国际空间站
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
7500
- 电容（pF ）
8
V
GS
= 30 V
I
D
= 75 A
6000
6
4500
4
3000
C
OSS
1500
C
RSS
2
0
0
15
30
45
60
75
0
0
20
40
60
80
100
120
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
文档编号： 70870
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Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
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新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
2.5
V
GS
= 10 V
I
D
= 75 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
2.0
I
S
- 源电流（ A）
10
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
100
源极 - 漏极二极管正向电压
1.5
1.0
1
0.5
0
–50
0.1
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
T
J
=结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
雪崩电流与时间
300
100
漏源击穿电压 -
结温
100
90
V
（ BR ） DSS
(V)
I
AV
（ A） @ T
J
= 25_C
I
DAV
(a)
80
10
I
AV
（ A） @ T
J
= 150_C
70
1
0.0001
0.001
0.01
t
in
（秒）
0.1
1
60
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
=结温（ ° C）
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热额定值
最大漏极电流比。
外壳温度
90
300
有限
由R
DS （ ON）
100
I
D
- 漏极电流（ A）
60
I
D
- 漏极电流（ A）
10
ms
100
ms
Vishay Siliconix公司
安全工作区
75
45
1
ms
10
10毫秒
T
C
= 25_C
单脉冲
100毫秒
dc
30
15
0
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0.1
1
10
100
T
C
=环境温度（℃）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–5
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
3
方波脉冲持续时间（秒）
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