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SUP/SUB75N08-10
Vishay Siliconix公司
N通道75 -V （D -S ） ， 175_C MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
75
r
DS （ ON）
(W)
0.010
I
D
(A)
75
a
TO-220AB
D
TO-263
G
的漏极连接到选项卡
G
摹 S
顶视图
SUP75N08-10
S
S
N沟道MOSFET
顶视图
SUB75N08-10
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
栅源电压
连续漏电流
(T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
b
功耗
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C （ TO- 220AB和TO -263 ）
T
A
= 25_C （ TO- 263 ）
d
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
"20
75
a
55
单位
V
A
240
60
280
187
c
W
3.7
-55至175
_C
mJ
热电阻额定值
参数
印刷电路板安装（ TO- 263 ）
d
结到环境
结到环境
自由空气（ TO- 220AB ）
结到外壳
笔记
一。包装有限。
B 。占空比
v
1%.
。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
文档编号： 70263
S- 57253 -REV 。 B， 24 -FEB- 98
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
R
thJA
HJA
R
thJC
符号
极限
40
62.5
0.8
单位
° C / W
2-1
SUP/SUB75N08-10
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 75 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
Z
G
V L
D我
I
DSS
V
DS
= 75 V
,
V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 75 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
I S
O 4 S
R I
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 175_C
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A
30
120
0.0087
0.010
0.017
0.021
S
W
75
2.0
3.5
4.5
"100
1
50
150
A
mA
A
nA
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 30 V ，R
L
= 0 47
W
V,
0.47
I
D
^
75 A，V
根
= 10 V R
G
= 2 5
W
A
V,
2.5
V
DS
= 30 V
,
V
GS
= 10 V，I
D
= 75 A
V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V F = 1 MH
V
V,
兆赫
4800
910
270
85
31
24
20
95
65
20
40
200
ns
120
60
120
nC
C
pF
F
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= 75 A， di / dt的= 100 A / MS
A二/ D
A/
I
F
= 75 A，V
GS
= 0 V
1.0
80
7
0.28
75
A
240
1.3
120
9
0.54
V
ns
A
mC
笔记
一。脉冲测试：脉冲宽度
v
300
毫秒，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-2
文档编号： 70263
S- 57253 -REV 。 B， 24 -FEB- 98
SUP/SUB75N08-10
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
250
V
GS
= 10 V
8V
200
I
D
- 漏极电流（ A）
7V
I
D
- 漏极电流（ A）
150
9V
200
传输特性
150
100
100
6V
50
50
4V
0
0
2
4
6
8
10
5V
T
C
= 125_C
25_C
–55_C
0
0
2
4
6
8
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
120
T
C
= –55_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
25_C
g
fs
- 跨导（S ）
80
125_C
60
0.012
导通电阻与漏电流
100
0.010
V
GS
= 10 V
0.008
V
GS
= 20 V
0.006
40
0.004
20
0.002
0
0
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
100
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
I
D
- 漏极电流（ A）
电容
7000
6000
- 电容（pF ）
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
10
20
30
40
50
60
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
20
栅极电荷
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
16
V
DS
= 30 V
I
D
= 75 A
12
8
4
0
0
25
50
75
100
125
150
175
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 70263
S- 57253 -REV 。 B， 24 -FEB- 98
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S
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2-3
SUP/SUB75N08-10
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
2.5
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
2.0
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
10
100
源极 - 漏极二极管正向电压
1.5
1.0
0.5
0
–50
1
–25
0
25
50
75 100 125
T
J
=结温（ ° C）
150
175
0.3
0.6
0.9
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
1.5
热额定值
最大雪崩和漏极电流
与外壳温度
安全工作区
有限
由R
DS （ ON）
100
500
80
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
100
10
ms
100
ms
60
10
1毫秒
40
10毫秒
1
T
C
= 25_C
单脉冲
100毫秒
dc
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度（ ℃）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.1
0.1
1
10
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
100
归瞬态热阻抗，结至外壳
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–5
10
–4
10
–3
10
–2
方波脉冲持续时间（秒）
10
–1
1
3
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-4
文档编号： 70263
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SUP/SUB75N08-10
Vishay Siliconix公司
N通道75 -V （D -S ） ， 175_C MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
75
r
DS （ ON）
(W)
0.010
I
D
(A)
75
a
TO-220AB
D
TO-263
G
的漏极连接到选项卡
G
摹 S
顶视图
SUP75N08-10
S
S
N沟道MOSFET
顶视图
SUB75N08-10
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
栅源电压
连续漏电流
(T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
b
功耗
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C （ TO- 220AB和TO -263 ）
T
A
= 25_C （ TO- 263 ）
d
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
"20
75
a
55
单位
V
A
240
60
280
187
c
W
3.7
-55至175
_C
mJ
热电阻额定值
参数
印刷电路板安装（ TO- 263 ）
d
结到环境
结到环境
自由空气（ TO- 220AB ）
结到外壳
笔记
一。包装有限。
B 。占空比
v
1%.
。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
文档编号： 70263
S- 57253 -REV 。 B， 24 -FEB- 98
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
R
thJA
HJA
R
thJC
符号
极限
40
62.5
0.8
单位
° C / W
2-1
SUP/SUB75N08-10
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 75 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
Z
G
V L
D我
I
DSS
V
DS
= 75 V
,
V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 75 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
I S
O 4 S
R I
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 175_C
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A
30
120
0.0087
0.010
0.017
0.021
S
W
75
2.0
3.5
4.5
"100
1
50
150
A
mA
A
nA
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 30 V ，R
L
= 0 47
W
V,
0.47
I
D
^
75 A，V
根
= 10 V R
G
= 2 5
W
A
V,
2.5
V
DS
= 30 V
,
V
GS
= 10 V，I
D
= 75 A
V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V F = 1 MH
V
V,
兆赫
4800
910
270
85
31
24
20
95
65
20
40
200
ns
120
60
120
nC
C
pF
F
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= 75 A， di / dt的= 100 A / MS
A二/ D
A/
I
F
= 75 A，V
GS
= 0 V
1.0
80
7
0.28
75
A
240
1.3
120
9
0.54
V
ns
A
mC
笔记
一。脉冲测试：脉冲宽度
v
300
毫秒，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-2
文档编号： 70263
S- 57253 -REV 。 B， 24 -FEB- 98
SUP/SUB75N08-10
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
250
V
GS
= 10 V
8V
200
I
D
- 漏极电流（ A）
7V
I
D
- 漏极电流（ A）
150
9V
200
传输特性
150
100
100
6V
50
50
4V
0
0
2
4
6
8
10
5V
T
C
= 125_C
25_C
–55_C
0
0
2
4
6
8
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
120
T
C
= –55_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
25_C
g
fs
- 跨导（S ）
80
125_C
60
0.012
导通电阻与漏电流
100
0.010
V
GS
= 10 V
0.008
V
GS
= 20 V
0.006
40
0.004
20
0.002
0
0
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
100
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
I
D
- 漏极电流（ A）
电容
7000
6000
- 电容（pF ）
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
10
20
30
40
50
60
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
20
栅极电荷
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
16
V
DS
= 30 V
I
D
= 75 A
12
8
4
0
0
25
50
75
100
125
150
175
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
文档编号： 70263
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SUP/SUB75N08-10
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
2.5
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
2.0
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
10
100
源极 - 漏极二极管正向电压
1.5
1.0
0.5
0
–50
1
–25
0
25
50
75 100 125
T
J
=结温（ ° C）
150
175
0.3
0.6
0.9
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
1.5
热额定值
最大雪崩和漏极电流
与外壳温度
安全工作区
有限
由R
DS （ ON）
100
500
80
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
100
10
ms
100
ms
60
10
1毫秒
40
10毫秒
1
T
C
= 25_C
单脉冲
100毫秒
dc
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度（ ℃）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.1
0.1
1
10
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
100
归瞬态热阻抗，结至外壳
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–5
10
–4
10
–3
10
–2
方波脉冲持续时间（秒）
10
–1
1
3
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