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SUP/SUB75N06-12L
Vishay Siliconix公司
N通道60 -V （D -S ） ， 175_C MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
60
r
DS （ ON）
(W)
0.012 @ V
GS
= 10 V
0.014 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
75
70
D
TO-220AB
TO-263
G
的漏极连接到选项卡
G
摹 S
顶视图
SUP75N06-12L
SUB75N06-12L
N沟道MOSFET
S
顶视图
S
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
a
功耗
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C （ TO- 220AB和TO -263 ）
T
A
= 25_C （ TO- 263 ）
c
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
极限
60
"20
75
53
单位
V
A
180
60
180
142
b
3.75
c
-55至175
W
_C
mJ
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
印刷电路板安装（ TO- 263 ）
c
结到环境
自由空气（ TO- 220AB ）
结到外壳
注意事项：
一。占空比
v
1%.
B 。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
文档编号： 70807
S- 59182 -REV 。 B， 07 - 09月98
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
R
thJC
R
thJA
62.5
1.05
符号
极限
40
单位
° C / W
2-1
SUP/SUB75N06-12L
Vishay Siliconix公司
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
DS
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
Z
G
V L
D我
I
DSS
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125_C
I S
O 4 S
R I
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 175_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 30 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 30 A，T
J
= 175_C
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A
25
60
0.0105
75
0.0085
0.012
0.019
0.024
0.014
0.0225
0.03
S
W
60
V
1
2
"100
1
50
150
A
mA
A
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
Reversen传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 30 V ，R
L
= 0.4
W
,
I
D
]
75 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 2.5
W
V
DS
= 30 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 75 A
V
V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V F = 1 MH
V
V,
兆赫
3170
550
170
59
10
13.5
9
8
77
20
20
20
ns
150
40
100
nC
C
pF
F
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
s
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= 60 A DI / D = 100 A /
A， di / dt的
A / MS
I
F
= 75 A，V
GS
= 0 V
45
2
0.045
75
A
180
1.4
V
ns
A
mC
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-2
文档编号： 70807
S- 59182 -REV 。 B， 07 - 09月98
SUP/SUB75N06-12L
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
200
V
GS
= 10直通5 V
90
I
D
- 漏极电流（ A）
120
4V
80
I
D
- 漏极电流（ A）
120
传输特性
160
60
30
T
C
= 125_C
25_C
–55_C
40
3V
2V
0
0
2
4
6
8
10
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
100
T
C
= –55_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
80
g
fs
- 跨导（S ）
25_C
60
0.017
0.020
导通电阻与漏电流
125_C
0.014
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
0.008
40
0.011
20
0
0
10
20
30
40
50
60
0.005
0
20
40
60
80
100
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
I
D
- 漏极电流（ A）
电容
5000
20
栅极电荷
4000
- 电容（pF ）
C
国际空间站
3000
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
16
V
DS
= 30 V
I
D
= 75 A
12
2000
8
1000
C
RSS
0
0
12
24
C
OSS
4
0
36
48
60
0
20
40
60
80
100
120
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
文档编号： 70807
S- 59182 -REV 。 B， 07 - 09月98
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
www.vishay.com
S
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2-3
SUP/SUB75N06-12L
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
2.0
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
I
S
- 源电流（ A）
1.5
T
J
= 150_C
100
源极 - 漏极二极管正向电压
1.0
10
T
J
= 25_C
0.5
0
–50
1
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T
J
=结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
热额定值
最大漏极电流比。
外壳温度
100
300
有限
由R
DS （ ON）
10
ms
安全工作区
80
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
100
100
ms
60
40
10
1毫秒
T
C
= 25_C
单脉冲
20
10毫秒
100毫秒
dc
10
100
0
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0.1
1
T
C
- 外壳温度（ ℃）
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–5
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
3
方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
文档编号： 70807
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2-4
SUP/SUB75N06-12L
Vishay Siliconix公司
N通道60 -V （D -S ） ， 175_C MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
60
r
DS （ ON）
(W)
0.012 @ V
GS
= 10 V
0.014 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
75
70
D
TO-220AB
TO-263
G
的漏极连接到选项卡
G
摹 S
顶视图
SUP75N06-12L
SUB75N06-12L
N沟道MOSFET
S
顶视图
S
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
a
功耗
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C （ TO- 220AB和TO -263 ）
T
A
= 25_C （ TO- 263 ）
c
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
极限
60
"20
75
53
单位
V
A
180
60
180
142
b
3.75
c
-55至175
W
_C
mJ
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
印刷电路板安装（ TO- 263 ）
c
结到环境
自由空气（ TO- 220AB ）
结到外壳
注意事项：
一。占空比
v
1%.
B 。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
文档编号： 70807
S- 59182 -REV 。 B， 07 - 09月98
www.vishay.com
S
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R
thJC
R
thJA
62.5
1.05
符号
极限
40
单位
° C / W
2-1
SUP/SUB75N06-12L
Vishay Siliconix公司
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
DS
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
Z
G
V L
D我
I
DSS
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125_C
I S
O 4 S
R I
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 175_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 30 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 30 A，T
J
= 175_C
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
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25
60
0.0105
75
0.0085
0.012
0.019
0.024
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0.0225
0.03
S
W
60
V
1
2
"100
1
50
150
A
mA
A
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
Reversen传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 30 V ，R
L
= 0.4
W
,
I
D
]
75 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 2.5
W
V
DS
= 30 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 75 A
V
V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V F = 1 MH
V
V,
兆赫
3170
550
170
59
10
13.5
9
8
77
20
20
20
ns
150
40
100
nC
C
pF
F
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
s
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= 60 A DI / D = 100 A /
A， di / dt的
A / MS
I
F
= 75 A，V
GS
= 0 V
45
2
0.045
75
A
180
1.4
V
ns
A
mC
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
www.vishay.com
S
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文档编号： 70807
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SUP/SUB75N06-12L
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
200
V
GS
= 10直通5 V
90
I
D
- 漏极电流（ A）
120
4V
80
I
D
- 漏极电流（ A）
120
传输特性
160
60
30
T
C
= 125_C
25_C
–55_C
40
3V
2V
0
0
2
4
6
8
10
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
100
T
C
= –55_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
80
g
fs
- 跨导（S ）
25_C
60
0.017
0.020
导通电阻与漏电流
125_C
0.014
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
0.008
40
0.011
20
0
0
10
20
30
40
50
60
0.005
0
20
40
60
80
100
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
I
D
- 漏极电流（ A）
电容
5000
20
栅极电荷
4000
- 电容（pF ）
C
国际空间站
3000
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
16
V
DS
= 30 V
I
D
= 75 A
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8
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C
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OSS
4
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36
48
60
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120
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
文档编号： 70807
S- 59182 -REV 。 B， 07 - 09月98
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
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2-3
SUP/SUB75N06-12L
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
2.0
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
I
S
- 源电流（ A）
1.5
T
J
= 150_C
100
源极 - 漏极二极管正向电压
1.0
10
T
J
= 25_C
0.5
0
–50
1
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T
J
=结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
热额定值
最大漏极电流比。
外壳温度
100
300
有限
由R
DS （ ON）
10
ms
安全工作区
80
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
100
100
ms
60
40
10
1毫秒
T
C
= 25_C
单脉冲
20
10毫秒
100毫秒
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0.1
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T
C
- 外壳温度（ ℃）
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
0.2
0.1
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0.02
单脉冲
0.01
10
–5
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
3
方波脉冲持续时间（秒）
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S
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文档编号： 70807
S- 59182 -REV 。 B， 07 - 09月98
2-4
SUP/SUB75N06-12L
Vishay Siliconix公司
N通道60 -V （D -S ） ， 175_C MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
60
r
DS （ ON）
(W)
0.012 @ V
GS
= 10 V
0.014 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
75
70
D
TO-220AB
TO-263
G
的漏极连接到选项卡
G
摹 S
顶视图
SUP75N06-12L
SUB75N06-12L
N沟道MOSFET
S
顶视图
S
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
a
功耗
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C （ TO- 220AB和TO -263 ）
T
A
= 25_C （ TO- 263 ）
c
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
极限
60
"20
75
53
单位
V
A
180
60
180
142
b
3.75
c
-55至175
W
_C
mJ
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
印刷电路板安装（ TO- 263 ）
c
结到环境
自由空气（ TO- 220AB ）
结到外壳
注意事项：
一。占空比
v
1%.
B 。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
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R
thJC
R
thJA
62.5
1.05
符号
极限
40
单位
° C / W
2-1
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MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
DS
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
Z
G
V L
D我
I
DSS
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125_C
I S
O 4 S
R I
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 175_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 30 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 30 A，T
J
= 175_C
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A
25
60
0.0105
75
0.0085
0.012
0.019
0.024
0.014
0.0225
0.03
S
W
60
V
1
2
"100
1
50
150
A
mA
A
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
Reversen传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 30 V ，R
L
= 0.4
W
,
I
D
]
75 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 2.5
W
V
DS
= 30 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 75 A
V
V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V F = 1 MH
V
V,
兆赫
3170
550
170
59
10
13.5
9
8
77
20
20
20
ns
150
40
100
nC
C
pF
F
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
s
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= 60 A DI / D = 100 A /
A， di / dt的
A / MS
I
F
= 75 A，V
GS
= 0 V
45
2
0.045
75
A
180
1.4
V
ns
A
mC
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
200
V
GS
= 10直通5 V
90
I
D
- 漏极电流（ A）
120
4V
80
I
D
- 漏极电流（ A）
120
传输特性
160
60
30
T
C
= 125_C
25_C
–55_C
40
3V
2V
0
0
2
4
6
8
10
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
100
T
C
= –55_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
80
g
fs
- 跨导（S ）
25_C
60
0.017
0.020
导通电阻与漏电流
125_C
0.014
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
0.008
40
0.011
20
0
0
10
20
30
40
50
60
0.005
0
20
40
60
80
100
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
I
D
- 漏极电流（ A）
电容
5000
20
栅极电荷
4000
- 电容（pF ）
C
国际空间站
3000
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
16
V
DS
= 30 V
I
D
= 75 A
12
2000
8
1000
C
RSS
0
0
12
24
C
OSS
4
0
36
48
60
0
20
40
60
80
100
120
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
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Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
2.0
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
I
S
- 源电流（ A）
1.5
T
J
= 150_C
100
源极 - 漏极二极管正向电压
1.0
10
T
J
= 25_C
0.5
0
–50
1
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T
J
=结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
热额定值
最大漏极电流比。
外壳温度
100
300
有限
由R
DS （ ON）
10
ms
安全工作区
80
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
100
100
ms
60
40
10
1毫秒
T
C
= 25_C
单脉冲
20
10毫秒
100毫秒
dc
10
100
0
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0.1
1
T
C
- 外壳温度（ ℃）
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–5
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
3
方波脉冲持续时间（秒）
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