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SUM90P10-19L
Vishay Siliconix公司
P沟道100 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
- 100
r
DS （ ON）
(Ω)
0.019在V
GS
= - 10 V
0.021在V
GS
= - 4.5 V
I
D
(A)
- 90
- 85
97 NC
Q
g
（典型值）
特点
TrenchFET
功率MOSFET
RoHS指令
柔顺
S
TO-263
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
D
P沟道MOSFET
顶视图
订货信息：
SUM90P10-19L-E3
（铅（Pb ） - 免费）
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
- 100
± 20
- 90
- 52
- 17.2
B，C
- 9.9
B，C
- 90
- 250
- 9
B，C
- 70
245
375
125
13.6
B，C
4.5
B，C
- 50 175
单位
V
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
雪崩电流
单脉冲雪崩能量
A
mJ
最大功率耗散
W
工作结存储温度范围
°C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结至外壳（漏）
注意事项：
一。包装有限。
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 T = 10秒。
。在稳态条件下最大为40 ° C / W 。
B，D
t
≤
10秒
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
8
0.33
最大
11
0.4
单位
° C / W
文档编号： 73474
S- 71207 -REV 。 D， 18军07
www.vishay.com
1
SUM90P10-19L
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
连续源极 - 漏极二极管
当前
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复
时间
体二极管反向恢复
收费
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
当前
a
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= - 50 V ，R
L
= 0.56
Ω
I
D
- 90 A，V
根
= - 10 V ，R
G
= 1
Ω
F = 1 MHz的
V
DS
= - 50 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 90 A
V
DS
= - 50 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
= - 50 V, V
GS
= - 10 V，I
D
= - 90 A
11100
700
1690
217
97
42
51
3.5
20
510
145
870
30
855
220
1300
ns
Ω
326
146
nC
pF
V
DS
ΔV
DS
/T
J
ΔV
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
I
D
= - 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= - 100 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 100 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175 °C
V
DS
≥
10 V, V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 20 A
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 15 A
V
DS
= - 15 V，I
D
= - 20 A
- 90
0.0156
0.0173
80
0.019
0.021
-1
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 A
- 100
- 125
5.9
-3
± 100
-1
- 500
毫伏/°C的
V
nA
A
A
Ω
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
漏源体二极管特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= - 20 A ， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
I
S
= - 20 A
- 0.8
80
220
56
24
ns
T
C
= 25 °C
- 90
- 250
- 1.5
120
330
V
ns
nC
A
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
www.vishay.com
2
文档编号： 73474
S- 71207 -REV 。 D， 18军07
SUM90P10-19L
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
180
40
150
I
D
- 漏电流（A ）
V
GS
= 10直通4V
I
D
- 漏极电流（ A）
30
120
90
20
25 °C
10
T
C
= 125 °C
0
0.0
- 55 °C
60
30
3V
0
0
1
2
3
4
1.0
2.0
3.0
4.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.030
V
GS
= 4.5 V
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
12000
0.020
- 电容（pF ）
15000
传输特性
C
国际空间站
9000
V
GS
= 10
0.010
6000
C
RSS
3000
C
OSS
0.000
0
20
40
60
80
100
120
0
0
20
40
60
80
100
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极 - 源极（ V）
导通电阻与漏电流
10.0
I
D
= - 90 A
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
8.0
r
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
2.1
2.5
V
GS
= 10 V
I
D
= 20 A
电容
6.0
V
DS
= 50 V
1.7
V
DS
= 80 V
4.0
1.3
2.0
0.9
0.0
0.0
40.0
80.0
120.0
160.0
200.0
240.0
0.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
栅极电荷
文档编号： 73474
S- 71207 -REV 。 D， 18军07
导通电阻与结温
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3
SUM90P10-19L
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
R
DS （ ON）
- 漏极 - 源极导通电阻（ Ω ）
100
0.10
0.08
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150 C
10
25 C
0.06
0.04
125 °C
0.02
25 °C
0.00
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
0.9
6000
导通电阻与栅极至源极电压
0.7
I
D
= 10毫安
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.5
功率（W）的
5000
4000
0.3
3000
0.1
2000
- 0.1
1000
- 0.3
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.0001
0.001
0.01
时间（秒）
0.10
1
T
J
- 温度（ _C ）
阈值电压
400
350
300
功耗（ W）
250
200
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 案例 - 温度（ ° C）
100
1000
单脉冲，结至外壳（T
C
= 25 °C)
*有限
by
r
DS （ ON）
10
s
100
s
I
D
- 漏极电流（ A）
10
1毫秒
10毫秒
DC
1
单身
脉冲
T
c
= 25 °C
0.1
0.1
功率降额（结到外壳）
100
1
10
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
at
其中R
DS （ ON）
is
特定网络版
安全工作区
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4
文档编号： 73474
S- 71207 -REV 。 D， 18军07
SUM90P10-19L
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
120
1000
90
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
a
V - 山顶雪崩个当前（ A）
100
60
10
30
1
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度（ ℃）
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1.0
t
in
- 时间在雪崩（秒）
最大雪崩和漏极电流与外壳温度
规范
a
lized有效Tr的
a
n
s
ient千卡
a
升Imped
a
的nCE
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
单身
雪崩电流与时间
0.1
0.01
0.0001
0.001
0.01
方
波脉冲持续时间（秒）
0.1
1
归瞬态热阻抗，结至外壳
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?73474 。
文档编号： 73474
S- 71207 -REV 。 D， 18军07
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SB3060CT
SPC-0703P-821
SN74BCT245NE4
STBK043
SC4519H
SLD-63538971X
SPT5420SIM
SD404CY
SN74LVC1G79-EP
SN74F244
SP202ECN-L/TR
S-80830CLY-T
S72NS512ND0AFW7K0
SN54AS30J
S29PL-J70BAI011
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型号
厂家
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数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SUM90P10-19L-E3
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话：0755-83202411
联系人：杨泽鹏
地址：深圳市福田区 汉国中心55楼
SUM90P10-19L-E3
Vishay(威世)
22+
5900
原装原厂公司现货
上海鑫丰电子技术有限公司
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电话：021-51875986/51872153
联系人：陈小姐 张先生
地址：上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
SUM90P10-19L-E3
VISHAY
20+
28000
D2PAK
487￥/片,原装正品，价格优势
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电话：0755-88917652分机801-83200050
联系人：柯
地址：深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
SUM90P10-19L-E3
VISHAY/威世
21+
9800
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电话：0755-82522939
联系人：彭小姐
地址：广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
SUM90P10-19L-E3
VISHAY
3333
22+
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
SUM90P10-19L-E3
VISHAY/威世
21+
16800
SOT-263
全新原装正品/质量有保证
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电话：0755-23140719/23915992
联系人：李先生 李小姐
地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1607室
SUM90P10-19L-E3
vishay
24+
68500
TO-263
一级代理/放心采购
深圳市壹芯创科技有限公司
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电话：0755-82780082
联系人：朱先生
地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层
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Vishay(威世)
23+
12888
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