SUM90N06-4m4P
Vishay Siliconix公司
N通道60 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
60
r
DS （ ON）
(Ω)
0.0044在V
GS
= 10 V
I
D
(A)
90
d
Q
g
（典型值）
105
特点
TrenchFET
功率MOSFET
175 ° C的结温
100 % R
g
和UIS测试
RoHS指令
柔顺
应用
电源
- 次级同步整流
产业
的OR-ing
TO-263
D
G
G
D
S
顶视图
S
订货信息：
SUM90N06-4m4P-E3
（铅（Pb ） - 免费）
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175 °C)
漏电流脉冲
雪崩电流
单雪崩能量
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
c
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
60
± 20
90
d
90
d
240
70
245
300
b
3.75
- 55 175
mJ
W
°C
A
单位
V
热电阻额定值
参数
结到环境（印刷电路板安装）
c
结至外壳（漏）
注意事项：
一。占空比
≤
1 %.
B 。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1"正方形板（ FR-4材料） 。
。包装有限。
文档编号： 74642
S- 71691 -REV 。 A， 13 - 8 - 07
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1
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
0.5
单位
° C / W
SUM90N06-4m4P
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特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
下降时间
c
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
c
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
测试条件
V
DS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 150 °C
V
DS
≥
10 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125 °C
V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
民
60
2.5
典型值
最大
单位
4.5
± 250
1
50
250
V
nA
A
A
70
0.0036
0.0059
60
6190
0.0044
0.0077
Ω
S
V
GS
= 0 V, V
DS
= 30 V ， F = 1兆赫
990
340
105
160
pF
V
DS
= 30 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 85 A
F = 1 MHz的
V
DD
= 30 V ，R
L
= 0.4
Ω
I
D
85 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
Ω
29
28
1.4
23
15
36
8
2.8
35
25
55
15
nC
Ω
ns
源极 - 漏极二极管额定值和特性
(T
C
= 25 °C)
b
85
240
I
F
= 30 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 75 A， di / dt的= 100 A / μs的
0.84
61
3.0
91
1.5
100
4.5
140
A
V
ns
A
C
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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文档编号： 74642
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
120
V
GS
= 10到7 V
120
g
fs
- 跨导（S ）
150
T
C
= - 55 °C
100
I
D
- 漏电流（ A）
80
90
T
C
= 25 °C
60
6V
40
60
T
C
= 125 °C
20
30
0
0
1
2
3
4
5
0
0
12
24
36
48
60
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
I
D
- 漏电流（ A）
输出特性
100
0.05
跨
I
D
= 20 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
80
I
D
- 漏电流（ A）
0.04
60
0.03
40
T
C
= 125 °C
T
C
= 25 °C
0.02
20
0.01
T
A
= 150 °C
T
C
= - 55 °C
0
0
2
4
6
8
10
0
4
5
6
T
A
= 25 °C
8
9
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
传输特性
0.0042
9000
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.0040
- 电容（pF ）
7200
C
国际空间站
5400
0.0038
V
GS
= 10 V
0.0036
3600
C
OSS
0.0034
1800
0.0032
0
20
40
60
80
100
0
0
C
RSS
12
24
36
48
60
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
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电容
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
2.0
I
D
= 20 A
1.7
r
DS （ ON）
- 导通电阻
V
GS （ TH）
方差（ V）
V
GS
= 10 V
（归一化）
1.4
0.2
0.8
- 0.4
I
D
= 5毫安
- 1.0
1.1
0.8
- 1.6
I
D
= 250
A
0.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
- 2.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 结温（ ° C）
T
J
- 温度（℃ ）
导通电阻与结温
10
I
D
=
85
A
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
8
V
DS
=
30
V
V
DS
= 20 V
6
V
DS
= 40 V
V
（ BR ） VDSS
（归一化）
70
68
66
64
62
60
0
0
22
44
66
88
110
58
- 50
74
72
I
D
= 1毫安
阈值电压
4
2
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
100
185
导通电阻与结温
10
I
S
-
来源
电流（A ）
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
I
D
- 漏电流（ A）
148
1
111
包装有限公司
74
0.1
0.01
37
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
-
源极到漏极
电压（V）的
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
最大漏极电流与外壳温度
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文档编号： 74642
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典型特征
100
25 ℃，除非另有说明
1000
*有限
by
r
DS （ ON）
100
T
J
= 25 °C
I
D
- 漏电流（ A）
I
DAV
(A)
T
J
= 150 °C
10
10
1毫秒
10毫秒
100毫秒
DC
1
T
C
= 25 °C
单身
脉冲
1
10
-5
0.1
0.1
*V
GS
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
t
AV
（秒）
单脉冲雪崩电流能力与时间
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
最小V
GS
at
其中R
DS （ ON）
is
特定网络版
安全工作区
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单身
脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
方
波脉冲持续时间（秒）
10
-1
1
归瞬态热阻抗，结至外壳
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?74642 。
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