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SUM85N03-07P
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ） 175_C MOSFET
特点
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.007 @ V
GS
= 10 V
0.010 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
85
71
D
D
D
D
TrenchFETr功率MOSFET
175_C结温
PWM优化的高效率
新包装低热阻
应用
D
降压转换器
- 高端
- 低端
D
同步整流器器
- 次级整流
D
TO-263
G
G
S
S
N沟道MOSFET
顶视图
SUM85N03-07P
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩
能源
a
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
c
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
"20
85
60
200
45
101
93
b
3.75
- 55 175
单位
V
A
mJ
W
_C
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
印刷电路板安装
c
结到环境
J
TI T A双向吨
结到外壳
笔记
一。占空比
v
1%.
B 。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
文档编号： 72036
S- 03919 -REV 。 A， 19日， 03
www.vishay.com
自由的空气
R
thJA
R
thJC
符号
极限
40
62.5
1.6
单位
° C / W
C / W
1
SUM85N03-07P
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
g
I
DSS
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125_C
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 175_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
20
0.0077
120
0.0054
0.007
0.010
0.012
0.010
S
W
30
V
1
3.0
"100
1
50
250
A
m
mA
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
b
栅极 - 源电荷
b
栅极 - 漏极
收费
b
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 15 V ，R
L
= 0.3
W
I
D
^
50 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 2.5
W
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5V ，我
D
= 50 A
,
,
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
2900
530
235
1.9
20
9
7
13
9
30
8
20
15
45
15
ns
30
nC
W
pF
导通延迟时间
b
上升时间
b
打开-O FF延迟时间
b
下降时间
b
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
c
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 30 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / MS
1.2
35
85
200
1.5
70
A
V
ns
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。独立的工作温度。
。通过设计保证，不受生产测试。
www.vishay.com
2
文档编号： 72036
S- 03919 -REV 。 A， 19日， 03
SUM85N03-07P
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
200
V
GS
= 10通6 V
150
I
D
- 漏电流（ A）
5V
I
D
- 漏电流（ A）
80
120
Vishay Siliconix公司
传输特性
100
100
4V
50
60
40
T
C
= 125_C
20
25_C
- 55_C
0
2, 3 V
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
120
T
C
= - 55_C
25_C
g
fs
- 跨导（S ）
80
125_C
60
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
100
0.0125
0.0150
导通电阻与漏电流
0.0100
V
GS
= 4.5 V
0.0075
V
GS
= 10 V
0.0050
40
20
0.0025
0
0
20
40
60
80
100
0.0000
0
20
40
60
80
100
120
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
电容
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
6
12
18
24
30
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
10
栅极电荷
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
8
V
DS
= 15 V
I
D
= 50 A
- 电容（pF ）
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
文档编号： 72036
S- 03919 -REV 。 A， 19日， 03
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
www.vishay.com
3
SUM85N03-07P
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
2.0
V
GS
= 10 V
I
D
= 20 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
1.6
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
10
100
源极 - 漏极二极管正向电压
1.2
0.8
0.4
0.0
- 50
1
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T
J
- 结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
漏源击穿电压
- 结温
100
80
V
（ BR ） DSS
(V)
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 结温（ ° C）
www.vishay.com
4
文档编号： 72036
S- 03919 -REV 。 A， 19日， 03
SUM85N03-07P
新产品
热额定值
最大雪崩漏电流
与外壳温度
安全工作区，结至外壳
40
V
GS
= 10 V
I
D
= 20 A
38
100
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
36
有限
由R
DS （ ON）
1000
10
ms
100
ms
1毫秒
10
10毫秒
100毫秒
dc
1
T
A
= 25_C
单脉冲
Vishay Siliconix公司
34
32
30
- 50
0.1
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
1
10
100
T
C
- 外壳温度（ ° C）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
方波脉冲持续时间（秒）
文档编号： 72036
S- 03919 -REV 。 A， 19日， 03
www.vishay.com
5
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推荐型号
SB630CT
ST92F124CV2Q6
STM8S105S6T6
SRF1650CE
S-8533A15AFT-TB-G
S1812R-821K
S83C51FC-2
SMQ-C09
SN74ALS1005N
S72NS512ND0ZJW732
STI3220CV
SC475A
SMBJ5366A
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SN74AUC1G04DBVRG4
SLR-322
ST92F124R9
SC1480AEVB
SKA471M063
SHD115236B
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操作
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    SUM85N03-07P
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    -
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VB
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联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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